The invention provides a T gate making method for increasing the inclination angle of the silicon nitride medium slot, including the following steps: S1, the growth of the Si3N4 medium layer on the surface of the transistor; S2, evenly smearing high photoresist on the Si3N4 medium layer and baking before; S3, exposing and developing the high photoresist by the step exposure mode. The etching window; S4, baking the high photosensitive positive glue and forming an etched window on the side wall; S5, using CF4 and O2 in the ICP RIE to etch the Si3N4 medium from the side wall of the side wall to form the silicon nitride medium, and then remove the high photoresist; the RF power is set to 50 80W, the bias power is set to 8 12W 12W, cavity. The pressure is 3 5mT, the ratio of CF4 to O2 is 5:1 8:1, the etching rate is 20 30nm/min, the etching time is 5 8min, and the over etching does not exceed 20%; S6, the negative glue is evenly coated on the surface of the transistor to form the gate cap line; S7, evaporating gate metal and peeling off the T gate. The invention can effectively improve the breakdown voltage and reliability of the device. One
【技术实现步骤摘要】
一种增大氮化硅介质槽倾斜角度的T型栅制作方法
本专利技术属于半导体制造
,具体涉及一种增大氮化硅介质槽倾斜角度的T型栅制作方法。
技术介绍
GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)特有的高电子迁移率、高二维电子气面密度、高击穿电场,使其具备更高的功率输出密度,被视为下一代射频/微波功率放大器的首选技术。减小器件栅长是提高器件工作频率最简单有效的方法,然而栅长减小会导致栅电阻增大,从而削弱器件特征频率的提升。为了解决上述矛盾,当前的做法主要是采用T型栅技术,通过栅脚来定义栅长,栅脚可以做到很小的尺寸;同时加宽栅帽尺寸,减小栅电阻。对于GaNHEMT而言,在制作栅电极之前通常会生长一层氮化硅介质,用于保护器件表面,因此,在制作T型栅时往往通过刻蚀氮化硅介质来定义栅脚。典型的氮化硅介质刻蚀之后的剖面角度接近90°,这个角度不利于栅金属的填充,容易形成空洞,从而降低晶体管的可靠性;也不利于缓解等电势线的聚集,从而影响器件击穿电压的提高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种增大氮化硅介质槽倾斜角度的T型栅制作方法,该方法很好地解决了氮化硅介质槽角度不利于填充、容易形成孔洞的问题。为达到上述要求,本专利技术提供一种增大氮化硅介质槽倾斜角度的T型栅制作方法,包括如下步骤:S1、在晶体管表面生长Si3N4介质层;S2、在Si3N4介质层上均匀涂抹高光感正胶并进行前烘;S3、采用步进式曝光方式对高光感正胶进行曝光并经显影形成刻蚀窗口;S4、对高光感正胶进行烘烤,形成侧壁倾斜的刻蚀窗口;S5、在ICP-RIE设备中使用CF4和O2从侧壁倾斜的刻蚀窗口刻蚀Si3N4介质层 ...
【技术保护点】
1.一种增大氮化硅介质槽倾斜角度的T型栅制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
【技术特征摘要】
1.一种增大氮化硅介质槽倾斜角度的T型栅制作方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、在晶体管表面生长Si3N4介质层;S2、在Si3N4介质层上均匀涂抹高光感正胶并进行前烘;S3、采用步进式曝光方式对高光感正胶进行曝光并经显影形成刻蚀窗口;S4、对高光感正胶进行烘烤,形成侧壁倾斜的刻蚀窗口;S5、在ICP-RIE设备中使用CF4和O2从侧壁倾斜的刻蚀窗口刻蚀Si3N4介质层形成氮化硅介质槽,并去除高光感正胶;射频功率设置为50-80W,偏置功率设置为8-12W,腔体压力为3-5mT,CF4与O2的比例为5:1-8:1,刻蚀速率为20-30nm/min,刻蚀时间5-8min,过刻蚀不超过20%;S6、在晶体管表面均匀涂抹负胶,对负胶进行光刻形成栅帽线条;S7、蒸发栅金属并剥离形成T型栅。2.根据权利要求1所述的增大氮化硅介质槽倾斜角度的T型栅制作方法,其特征在于,所述步骤S4中采用真空...
【专利技术属性】
技术研发人员:孔欣,
申请(专利权)人:成都海威华芯科技有限公司,
类型:发明
国别省市:四川,51
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