The invention provides a T gate making method with air trench structure, which includes the following steps: S1, the growth of the Si3N4 medium passivation layer on the surface of the transistor; S2, the deposition of TiW metal on the passivation layer of the medium to form a metal space layer; S3, evenly smear the electron beam photoresist on the metal space layer and bake; S4, to the electron. The beam photoresist is exposed and developed to form a gate etching window and roast; the upper gate slot is formed by S5, the etching metal space layer is formed, the passive layer of the etching medium forms the lower gate slot and the electron beam photoresist is removed. The electron beam photoresist is evenly coated on the surface of the transistor to form the photolithography of the electron beam photoresist. Gate cap line; S7, evaporation gate metal and peel off to form T gate; S8, remove metal space layer to complete T grating fabrication. The invention causes air gap isolation between the gate cap metal and the dielectric passivation layer, thereby reducing the gate capacitance of the device and effectively improving the characteristic frequency of the device. One
【技术实现步骤摘要】
一种具备空气沟结构的T型栅制作方法
本专利技术属于半导体制造
,具体涉及一种具备空气沟结构的T型栅制作方法。
技术介绍
GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)特有的高电子迁移率、高二维电子气面密度、高击穿电场,使得其具备更高的功率输出密度,被视为下一代射频/微波功率放大器的首选技术。随着GaNHEMT高频应用需求的急剧增长,提升器件截止频率fT就显得越发重要。作为表征晶体管高速性能的重要参数,器件截止频率fT的近似公式为:其中vs为载流子的饱和迁移速率,Lg为器件栅长。可以看出,栅长对器件的截止频率有着决定性的影响。通常GaNHEMT在制作栅电极之前都会生长一层氮化硅介质,用于保护器件表面,在制作栅电极时采用一次光刻结合干法刻蚀的方法去掉栅下氮化硅介质并形成栅脚,随后通过二次光刻制作栅帽,这时栅帽金属和氮化硅介质直接接触,会产生很大的栅源、栅漏电容,不利于提高器件特征频率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种具备空气沟结构的T型栅制作方法,该方法很好地解决了栅帽金属与氮化硅介质层直接接触影响器件特征频率提升的问题。为达到上述要求,该方法具体包括以下步骤:S1、在晶体管表面生长Si3N4介质钝化层;S2、在所述介质钝化层上沉积TiW金属形成金属空间层;S3、在金属空间层上均匀涂抹电子束光刻胶并进行烘烤;S4、对电子束光刻胶进行曝光并显影形成栅槽刻蚀窗口,并进行烘烤;S5、刻蚀金属空间层形成上段栅槽,刻蚀介质钝化层形成下段栅槽,并去除电子束光刻胶;S6、在晶体管表面均匀涂抹电子束光刻胶,对电子束光刻胶进行光刻显影形成栅帽线条;S7、蒸发栅金属并剥离形成 ...
【技术保护点】
1.一种具备空气沟结构的T型栅制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
【技术特征摘要】
1.一种具备空气沟结构的T型栅制作方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、在晶体管表面生长Si3N4介质钝化层;S2、在所述介质钝化层上沉积TiW金属形成金属空间层;S3、在金属空间层上均匀涂抹电子束光刻胶并进行烘烤;S4、对电子束光刻胶进行曝光并显影形成栅槽刻蚀窗口,并进行烘烤;S5、刻蚀金属空间层形成上段栅槽,刻蚀介质钝化层形成下段栅槽,并去除电子束光刻胶;S6、在晶体管表面均匀涂抹电子束光刻胶,对电子束光刻胶进行光刻显影形成栅帽线条;S7、蒸发栅金属并剥离形成T型栅;S8、去除金属空间层完成T型栅制作。2.根据权利要求1所述的具备空气沟结构的T型栅制作方法,其特征在于,所述步骤S5具体包括以下步骤:A、在ICP-RIE中使用CHF3刻蚀金属空间层形成上段栅槽;B、在ICP-RIE中使用CF4和O2刻蚀介质钝化层形成下段栅槽;C、采用浓度为10%的盐酸溶液清洗1-2min;D、去除电子束光刻胶。3....
【专利技术属性】
技术研发人员:孔欣,
申请(专利权)人:成都海威华芯科技有限公司,
类型:发明
国别省市:四川,51
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