A memory device including a repairable volatile memory is provided and a method of operation thereof. A memory piece includes a nonvolatile memory that stores user data, buffers user data and executes a volatile memory for testing a defect unit on a volatile unit array in the idle time of the memory device, and controls the execution test of the volatile memory in idle time, and will include test results or measurements. Test history information is stored in non-volatile memory controller. One
【技术实现步骤摘要】
包含可修复的易失性存储器的存储器件及其操作方法本申请要求于2016年12月7日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2016-0166206的优先权,其公开内容通过引用并入本文。
专利技术构思涉及存储器件,更具体地,涉及使用易失性存储器作为主存储器的存储器件及其操作方法。
技术介绍
作为半导体存储器件的非易失性存储器件可以包括以非易失性方式存储数据的存储单元。例如,闪存可用于各种类型的存储器件,例如存储卡和固态驱动器(SSD)。存储器件可以用于各种电子系统,例如移动电话、数码相机、个人数字助理(PDA)、移动计算系统和固定计算系统。存储器件可以在主机的请求下写入和读取数据。存储器件可以包括多个闪存设备,并且可以通过多个通道在闪存设备上执行诸如数据写入和数据读取的存储器操作。存储器件可以包括易失性存储器。例如,存储器件可以包括临时存储数据的动态随机存取存储器(DRAM)缓冲器。写入数据和/或读取数据可能临时存储在易失性存储器中。
技术实现思路
专利技术构思提供了一种存储器件及其操作方法,所述存储器件用于检测用作主存储器的易失性存储器中具有异常特性的缺陷单元,同时降低性能劣化或劣化的可能性,并且防止或降低数据错误发生的可能性的存储器件,及其操作方法。在专利技术构思的示例性实施例中,提供了一种包括存储用户数据的非易失性存储器的存储器件;缓冲用户数据并在存储器件的空闲时间执行检测易失性单元阵列上的有缺陷单元的测试的易失性存储器;以及控制易失性存储器在空闲时间执行测试并将基于所执行的测试生成的测试信息存储在非易失性存储器中的控制器。在专利技术构思的示例性实施例中 ...
【技术保护点】
1.一种存储器件,包括:
【技术特征摘要】
2016.12.07 KR 10-2016-01662061.一种存储器件,包括:非易失性存储器,被配置为存储用户数据;易失性存储器,包括易失性单元阵列,所述易失性存储器被配置为缓冲所述用户数据并且被配置为在所述存储器件的空闲时间执行用于检测所述易失性单元阵列上的缺陷单元的测试;以及控制器,被配置为控制所述易失性存储器,以在所述存储器件的空闲时间执行用于检测所述易失性单元阵列上的缺陷单元的所述测试,并被配置为在所述非易失性存储器中存储基于测试生成的测试信息。2.如权利要求1所述的存储器件,其中,所述测试信息包括测试结果和测试历史中的至少一个,所述测试结果包括缺陷单元的地址,所述测试历史包括测试的测试步骤、测试的测试条件和所述非易失性存储器的测试区域中的至少一个。3.如权利要求1所述的存储器件,其中,所述控制器被配置为响应于发生的中断控制所述易失性存储器停止所述测试,所述中断响应于从外部主机接收命令而发生,并且所述控制器被配置在所述非易失性存储器中存储响应于中断的发生而执行的测试过程的测试历史。4.如权利要求3所述的存储器件,其中,所述测试历史包括在所述易失性存储器的多个区域中已经执行了所述测试的区域的地址信息。5.如权利要求3所述的存储器件,其中,所述测试历史包括关于在多个测试步骤中在发生所述中断时执行的至少一个测试步骤的信息,所述多个测试步骤被顺序执行以检测所述缺陷单元。6.如权利要求3所述的存储器件,其中,所述测试历史包括关于在多个可变测试条件中的在所述中断发生时施加的测试条件的信息。7.如权利要求3所述的存储器件,其中,所述控制器被配置为在所述存储器件的下一空闲时间,基于所述测试历史确定测试过程以及在下一空闲时间执行的测试过程。8.如权利要求3所述的存储器件,其中,所述控制器被配置为在所述存储器件的下一空闲时间,基于所述测试历史,从所述易失性单元阵列的多个区域中确定区域以及在下一空闲时间在该区域执行的测试。9.如权利要求1所述的存储器件,其中,所述控制器被配置为响应于感测到所述存储器件的突然断电而控制所述易失性存储器停止所述测试,并且所述控制器被配置为将关于测试过程的测试信息存储在所述非易失性存储器中,所述测试过程一直被执行,直到感测到突然断电。10.如权利要求1所述的存储器件,其中,所述易失性存储器被配置为基于加速条件对所述易失性单元阵列执行写和读测试中的至少一个。11.如权利要求1所述的存储器件,其中,所述易失性存储器被配置为用冗余单元替换所述缺陷单元。12.如权利要求1所述的存储器件,其中,所述控制器被配置为向与所述缺陷单元相对应的位施加用于纠错的恢复码。13.如权利要求1所述的存储器件,其中所述非易失性存储器被配置为存储用于执行测试的程序代码;以及所述控制器被配置为从所述非易失性存储器读取所述程序代码,并且被配...
【专利技术属性】
技术研发人员:金相勋,成俊基,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。