阵列基板及其制造方法、触控显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种阵列基板及其制造方法、触控显示装置，以提高触控与显示驱动集成显示装置中阵列基板的薄膜晶体管的关态电流。其中该阵列基板包括：衬底，设置于衬底上的多个薄膜晶体管，设置于多个薄膜晶体管远离衬底一侧的触控走线层；其中薄膜晶体管包括有源层，有源层包括沟道图案，触控走线层包括多条触控线和多个遮光单元，遮光单元与沟道图案在衬底上的正投影至少部分重叠。上述阵列基板应用于触控与显示驱动集成的显示装置中。 1

Array substrate and its manufacturing method, touch display device

The invention provides an array substrate and its manufacturing method and touch display device to improve the closed current of the thin film transistor of the array substrate in the touch and display drive integrated display device. The array substrate includes: a substrate, a plurality of thin film transistors set on the substrate, set on the touch line layer of a plurality of thin film transistors far away from the substrate. The thin film transistors include the active layer, the active layer including the channel pattern, the touch line layer including a plurality of touch lines and a plurality of light shading units, and the light shielding unit and the light shielding unit. The orthographic projection of the channel pattern on the substrate is at least partially overlapped. The array substrate is applied to a display device integrated with touch control and display drive. One

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制造方法、触控显示装置
本专利技术涉及显示装置制造
，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、触控显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay，简称TFT-LCD)是当前主流的一类显示器，触控与显示驱动集成(TouchandDisplayDriverIntegrate，简称TDDI)显示器作为其中一类备受关注。在触控与显示驱动集成显示器中，包括多条触控线的触控走线层(TouchPatternMetal，简称TPM)集成在阵列基板上，以同时实现显示和触控的功能。
技术实现思路
对于触控与显示驱动集成显示器，薄膜晶体管作为其基本组成部分，其开关特性的稳定性对于显示器的正常工作是十分重要的。薄膜晶体管的开启电流Ion的大小决定了触控与显示驱动集成显示器中像素存储电容是否可以在有限的充电时间内完成充电，从而达到正常显示需要的工作电压。而薄膜晶体管的关态电流Ioff则决定了像素电压是否可以在一帧的扫描时间内保持住正常显示需要的工作电压。可见，关态电流Ioff过大会导致像素电压损失过快或者写入其他错误的信号，进而导致显示画面出现污渍(一种显示亮度不均的现象，视觉感觉像有污渍)、残像、串扰等不良，因此，减小薄膜晶体管的关态电流Ioff对于改善触控与显示驱动集成显示器显示画面质量有十分重要的意义。本专利技术实施例提供一种阵列基板及其制造方法、触控显示装置，针对导致薄膜晶体管关态电流Ioff增大的外在原因，对阵列基板的内部结构进行改进，以提高薄膜晶体管的关态电流Ioff。为达到上述目的，本专利技术实施例采用如下技术方案：第一方面，本专利技术实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板包括：衬底，设置于所述衬底上的多个薄膜晶体管，设置于所述多个薄膜晶体管远离所述衬底一侧的触控走线层；其中，所述薄膜晶体管包括有源层，所述有源层包括沟道图案，所述触控走线层包括多条触控线和多个遮光单元，所述遮光单元与所述沟道图案在所述衬底上的正投影至少部分重叠。在上述阵列基板中，通过在薄膜晶体管的有源层之上设置遮光单元，且遮光单元与有源层的沟道图案至少部分地交叠，使得遮光单元能够遮蔽照射在有源层的沟道图案上的光线，从而减轻了由于光线照射沟道图案产生光生载流子所引起的薄膜晶体管关态电流Ioff增大的程度，有效降低了关态电流Ioff，增强了薄膜晶体管特性的稳定性，有助于改善由于关态电流Ioff过大所产生污渍、串扰、残像等不良。并且，所设置的遮光单元与触控线属于同一膜层：触控走线层，因此遮光单元的制作步骤可兼容于触控线的制作步骤中，无需额外增加用于制作遮光单元的工艺步骤，从而上述技术方案实现了在不增加工艺步骤的前提下，降低薄膜晶体管的关态电流Ioff的效果。第二方面，本专利技术实施例提供了一种阵列基板的制造方法，该制造方法包括以下步骤：提供衬底，在所述衬底上制作多个薄膜晶体管；其中，所述薄膜晶体管包括有源层，所述有源层包括沟道图案。在所述多个薄膜晶体管远离所述衬底的一侧制作触控走线层；其中，所述触控走线层包括多条触控线和多个遮光单元，所述遮光单元与所述沟道图案在所述衬底上的正投影至少部分重叠。上述阵列基板的制造方法所能产生的有益效果与第一方面所提供的阵列基板的有效果相同，此处不再赘述。第三方面，本专利技术实施例提供了一种触控显示装置，所述触控显示装置包括如第一方面所述的阵列基板。上述触控显示装置所能产生的有益效果与第一方面所提供的阵列基板的有效果相同，此处不再赘述。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1为现有技术中薄膜晶体管的截面结构图；图2为薄膜晶体管的有源层受到光照的示意图；图3为薄膜晶体管在暗态状态下和曝光状态下的关态电流Ioff的曲线图；图4为薄膜晶体管上方膜层受到隔垫物摩擦的示意图；图5为薄膜晶体管上方在有隔垫物摩擦时和无隔垫物摩擦时的关态电流Ioff的曲线图；图6为现有技术中常规触控与显示驱动集成显示装置的阵列基板的截面结构图；图7为现有技术中常规触控与显示驱动集成显示装置的阵列基板中触控线的布置架构的平面图；图8为本专利技术实施例一所提供的阵列基板的平面结构图；图9为图8沿虚线aa′的截面结构图；图10为本专利技术实施例二所提供的阵列基板的平面结构图；图11为图10沿虚线bb′的截面结构图；图12为图10沿虚线cc′的截面结构图；图13为图10沿虚线dd′的截面结构图；图14为本专利技术实施例二所提供的阵列基板的布置架构的平面图。附图标记说明：1-衬底；2-栅极；3-栅极绝缘层；4-有源层；5-源极；6-漏极；7-钝化层；8-数据线；9-隔垫物；10-彩膜基板；11-栅线；12-像素电极；13-遮光单元；14-触控线；15-第一钝化层；16-第二钝化层；17-公共电极；18-过孔；19-公共电极线；20-触控与显示驱动集成芯片；21-第一引出线；22-第二引出线；23-接地线。具体实施方式正如
技术介绍
所述，现有技术中触控与显示驱动集成显示器的阵列基板中的薄膜晶体管的关态电流Ioff过大，会导致显示画面出现污渍、残像、串扰等不良，本专利技术的专利技术人经研究发现，引起薄膜晶体管关态电流Ioff增大的原因，除了薄膜晶体管自身的内在因素的影响外，还存在如下外在因素的影响：(1)光照。如图1和图2所示，现有技术中薄膜晶体管的有源层4的沟道图案上方的钝化层7等膜层均为透明膜层，这相当于有源层4的沟道图案裸露，斜入射或反射的光线照射在沟道图案上，会产生光生载流子，导致薄膜晶体管的关态电流Ioff增大。请参见图3，曝光状态下的关态电流Ioff明显高于暗态状态下的关态电流Ioff。需要说明的是，本专利技术实施例中所述的“沟道图案”指的是，薄膜晶体管在外加电场的作用下，用于导通源极和漏极的有源层区域。(2)隔垫物摩擦。如图4所示，在很多类型的显示器中，彩膜(ColorFilter，简称CF)基板10上的隔垫物9(PhotoSpacer，简称PS)顶在阵列基板中薄膜晶体管所在位置处，在外力作用下隔垫物9与薄膜晶体管上的膜层(如图4中的钝化层7)发生摩擦产生静电荷，静电荷无法排除而不断积累，从而在隔垫物9与有源层4之间形成内电场，导致薄膜晶体管的有源层4与钝化层7相接触的界面产生静电荷，导致薄膜晶体管的关态电流Ioff增大。请参见图5，薄膜晶体管上方有隔垫物摩擦产生静电荷时，关态电流Ioff明显高于无隔垫物摩擦产生静电荷时的关态电流Ioff。基于上述研究发现，本专利技术的专利技术人提出如下技术方案：(1)针对如上所述的光照因素造成薄膜晶体管关态电流Ioff增大的问题，可在薄膜晶体管的有源层的沟道图案上方设置遮光单元来遮挡沟道图案，避免沟道图案产生光生载流子，从而达到减小薄膜晶体管关态电流Ioff的效果。(2)基于上述第1点的所提供的改进方案，针对如上所述的隔垫物摩擦产生静电荷引起薄膜晶体管关态电流Ioff增大的问题，可通过设置引出线，连接所设置的遮光单元，并将引出线接地，以将隔垫物摩擦薄膜晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底，设置于所述衬底上的多个薄

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底，设置于所述衬底上的多个薄膜晶体管，设置于所述多个薄膜晶体管远离所述衬底一侧的触控走线层；其中，所述薄膜晶体管包括有源层，所述有源层包括沟道图案，所述触控走线层包括多条触控线和多个遮光单元，所述遮光单元与所述沟道图案在所述衬底上的正投影至少部分重叠。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板的每个薄膜晶体管的有源层均对应一个所述遮光单元。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：沿第一方向延伸的多条栅线，及沿第二方向延伸的多条数据线；其中，所述第一方向与所述第二方向交叉设置；所述多个薄膜晶体管呈矩阵式布置，布置的行方向为所述第一方向，布置的列方向为所述第二方向；所述多条触控线沿所述第二方向延伸；所述阵列基板的触控走线层还包括：多条第一引出线，所述第一引出线沿所述第一方向延伸，用于将一行所述薄膜晶体管所对应的所述遮光单元中的至少两个电连接；至少一条第二引出线，所述第二引出线沿所述第二方向延伸，用于与至少一条所述第一引出线电连接，且所述第二引出线与接地线电连接。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二引出线与所述数据线在所述衬底上的正投影无交叠。5.根据权利要求3...

【专利技术属性】
技术研发人员：李云泽，杨妮，谭倩，董中飞，王小元，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，重庆京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11