冗余隔离开关控制电路制造技术

一种冗余隔离开关控制电路，包含一工作电源、一电力输入端、一电力输出端、至少一场效应晶体管、一第一晶体管及一第二晶体管，该场效应晶体管具有一栅极，一连接该电力输入端的源极及一连接该电力输出端的漏极，该第一晶体管与该第二晶体管以及关联回路构成电流镜电路，该冗余隔离开关控制电路还包含一第一电子单元及一第二电子单元，该第一电子单元具有一连接该第一晶体管的一第一基极的第一连接端及一连接该第二晶体管的一第二发射极的第二连接端，该第二电子单元具有一连接该第一晶体管的一第一集电极的第三连接端及一连接该栅极的第四连接端。

【技术实现步骤摘要】
冗余隔离开关控制电路
本技术涉及一种冗余隔离开关控制电路。
技术介绍
现有冗余隔离开关控制电路就如WO2008/013895A1以及CN105450008A所揭，于此基于CN105450008A所揭该冗余隔离开关控制电路进行仿真，并于模拟过程中对两处于不同工作状态的冗余隔离开关控制电路80、90进行电路仿真，电路即如图1所示，模拟条件如下，该冗余隔离开关控制电路80被设定为电力输入端电源(VIN1)为12伏特(V)，且启动时间为20ms，关闭时间为20ms，另一该冗余隔离开关控制电路90则被设定为电力输入端电源(Vs2)为12伏特(V)，且固定于启动的状态下。除此之外，一负载70为100安培、012欧姆，另一方面，图1中所呈现的一第一电压量测单元(VG1)是用来测量该场效应晶体管81的栅源极电压(VGS)，一第一电流量测单元(IO1)是用来测量该冗余隔离开关控制电路80的输出电流，一第二电流量测单元(IO2)是用来测量该冗余隔离开关控制电路90的输出电流，一第二电压量测单元(VIN)是用来测量该冗余隔离开关控制电路80的电力输入端电压，一第三电压量测单元(VO)是用来测量该负载70的端电压。承上，电路仿真结果如图2，从图2可知，该冗余隔离开关控制电路80的电力输入端电压一旦瞬间下降，该冗余隔离开关控制电路80所包含的一场效应晶体管81未能实时关闭时，将会产生极大的反向电流。假若，分别将该冗余隔离开关控制电路80、90所包含电阻82、92的阻值降低(本测试是将阻值由6.8k欧姆调降至3k欧姆)，其模拟结果就如图3所揭。然由图3可知，如此修改虽可加快该场效应晶体管81、91的反应速度，避免极大反向电流的产生，但如此却会增加该场效应晶体管81、91的导通损。
技术实现思路
本技术的主要目的，在于解决现有电路于实施过程中所产生的问题。为达上述目的，本技术提供一种冗余隔离开关控制电路，包含一工作电源、一电力输入端、一电力输出端、至少一场效应晶体管、一第一晶体管、一第二晶体管。该场效应晶体管具有一栅极，一连接该电力输入端的源极以及一连接该电力输出端的漏极，该第一晶体管具有一第一基极，一连接该电力输入端的第一发射极以及一连接该工作电源的第一集电极，该第二晶体管具有一第二发射极，一连接该工作电源的第二基极以及一连接该电力输出端的第二集电极，该第二基极与该第二发射极连接。进一步地，该冗余隔离开关控制电路还包含一第一电子单元以及一第二电子单元，该第一电子单元具有一连接该第一基极的第一连接端以及一连接该第二发射极的第二连接端，该第二电子单元具有一连接该第一集电极的第三连接端以及一连接该栅极的第四连接端，其中，该第一电子单元为一二极管、一电阻以及一电容器的其中之一者，该第二电子单元为一用于启动或关闭该场效应晶体管的集成电路组件、一二极管以及一电阻的其中之一者。一实施例中，该冗余隔离开关控制电路包含多个场效应晶体管，该多个场效应晶体管并联设置，该多个场效应晶体管的每一该栅极分别连接该第二电子单元的该第四连接端，每一该源极分别连接该电力输入端，每一该漏极分别连接该电力输出端。一实施例中，该冗余隔离开关控制电路包含一连接该电力输入端并具有该工作电源的稳压单元。一实施例中，该冗余隔离开关控制电路具有一设置于该工作电源与该第一集电极之间的第一电阻，以及一设置于该工作电源与第二基极的第二电阻。透过本技术前述实施方式，相较于现有具有以下特点：本技术该冗余隔离开关控制电路改善了该场效应晶体管的反应速度，并有效降低该冗余隔离开关控制电路的内电力输入端电压瞬间下降所产生的反向电流，并兼顾了该场效应晶体管的导通损。附图说明图1，现有的电路示意图。图2，现有的模拟波形示意图(一)。图3，现有的模拟波形示意图(二)。图4，本技术的电路示意图。图5，本技术第一实施例的电路示意图。图6，本技术第一实施例的模拟波形示意图。图7，本技术第二实施例的电路示意图。图8，本技术第二实施例的模拟波形示意图。图9，本技术第三实施例的电路示意图。图10，本技术第三实施例的模拟波形示意图。图11，本技术第四实施例的电路示意图。图12，本技术第四实施例的模拟波形示意图。具体实施方式本技术详细说明及
技术实现思路
，现就配合图式说明如下：请参阅图4至图11，本技术提供一种冗余隔离开关控制电路10，该冗余隔离开关控制电路10可应用于一电源供应器(本图未示)中，该冗余隔离开关控制电路10包含一工作电源101、一电力输入端102、一电力输出端103、至少一场效应晶体管11、一第一晶体管12以及一第二晶体管13。该场效应晶体管11具有一栅极111，一连接该电力输入端102的源极112以及一连接该电力输出端103的漏极113。进一步地，该电力输入端102实际上连接一电力转换电路(本图未示)的输出端，以接受该电力转换电路输出的电力。另一方面，该电力输出端103实际上则连接一负载20，以对该负载20供给电力。再者，该场效应晶体管11即为本技术所称冗余隔离开关，该场效应晶体管11可根据该电源供应器的额定输出电流进行布设数量的调整，举例来说，该电源供应器的额定输出电流较大时，该冗余隔离开关控制电路10即需增加该场效应晶体管11的数量，而当该场效应晶体管11以多个实施时，该多个场效应晶体管11将并联设置，该多个场效应晶体管11的每一该栅极111将产生连结关系并受同一控制源所控制，每一该源极112分别连接该电力输入端102，每一该漏极113分别连接该电力输出端103。承上，本技术令该第一晶体管12与该第二晶体管13构成一电流镜电路，该第一晶体管12具有一第一基极121，一连接该电力输入端102的第一发射极122以及一连接该工作电源101的第一集电极123，该第二晶体管13具有一第二发射极131，一连接该工作电源101的第二基极132以及一连接该电力输出端103的第二集电极133，该第二基极132与该第二发射极131连接。再者，该第一晶体管12与该第二晶体管13可被设置于同一封装件中，也就是说，该第一晶体管12与该第二晶体管13可以封装芯片的方式实施。进一步地，本技术该冗余隔离开关控制电路10还于该电流镜电路中设有一第一电子单元14以及一第二电子单元15，该第一电子单元14具有一连接该第一基极121的第一连接端141以及一连接该第二发射极131的第二连接端142，该第一电子单元14可为一二极管、一电阻以及一电容器的其中之一者。具体说明，本技术设置该第一电子单元14的用意，由前述记载可知，该第一晶体管12与该第二晶体管13将构成该电流镜电路，而根据该电流镜电路的工作原理可知，该第一晶体管12电流应相当于该第二晶体管13电流，亦即IB1＝IB2。然，因该场效应晶体管11的负载电流导致该第一晶体管12电流不同于该第二晶体管13电流，而令该第一晶体管12与该第二晶体管13互为截止及导通状态，进而控制该场效应晶体管11的启闭。承此，本技术为避免现有电路会令该第二晶体管13与该电源供应器关闭或未启动时烧毁，遂以前列方式实施。又，本技术透过该第一电子单元14的设置来进行参数补偿，令该第一晶体管12的工作更为明确，并使该场本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种冗余隔离开关控制电路，其特征在于包含：一工作电源；一电力输入端以及一电力输出端；至少一场效应晶体管，具有一栅极，一连接该电力输入端的源极以及一连接该电力输出端的漏极；一第一晶体管，具有一第一基极，一连接该电力输入端的第一发射极以及一连接该工作电源的第一集电极；一第二晶体管，具有一第二发射极，一连接该工作电源的第二基极以及一连接该电力输出端的第二集电极，该第二基极与该第二发射极连接；一第一电子单元，具有一连接该第一基极的第一连接端以及一连接该第二发射极的第二连接端；以及一第二电子单元，具有一连接该第一集电极的第三连接端以及一连接该栅极的第四连接端；其中，该第一电子单元为一二极管、一电阻以及一电容器中的一种，该第二电子单元为一用于启动或关闭该场效应晶体管的集成电路组件、一二极管以及一电阻中的一种。

【技术特征摘要】
1.一种冗余隔离开关控制电路，其特征在于包含：一工作电源；一电力输入端以及一电力输出端；至少一场效应晶体管，具有一栅极，一连接该电力输入端的源极以及一连接该电力输出端的漏极；一第一晶体管，具有一第一基极，一连接该电力输入端的第一发射极以及一连接该工作电源的第一集电极；一第二晶体管，具有一第二发射极，一连接该工作电源的第二基极以及一连接该电力输出端的第二集电极，该第二基极与该第二发射极连接；一第一电子单元，具有一连接该第一基极的第一连接端以及一连接该第二发射极的第二连接端；以及一第二电子单元，具有一连接该第一集电极的第三连接端以及一连接该栅极的第四连接端；其中，该第一电子单元为一二极管、一电阻以及一电容器中的一种，该第二电子单元为...

【专利技术属性】
技术研发人员：周胜千，张智胜，
申请(专利权)人：海韵电子工业股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾,71