测试图形的选取方法和装置、构建光刻模型的方法和装置制造方法及图纸

本申请实施例公开了一种测试图形的选取方法和装置，该选取方法包括根据设计规则、实际电路版图和/或随机版图设计初始测试图形；根据简化模型对初始测试图形进行光学仿真，得到初始测试图形在预设参数取值范围内的分布；根据初始测试图形在预设参数取值范围内的分布从初始测试图形中选取关键测试图形，关键测试图形用于构建光刻模型中的参数校准。利用该选取方法选出的测试图形用于构建光刻模型，能够提高光刻模型的建模效率以及光刻模型的准确度。此外，本申请还尤其涉及一种构建光刻模型的方法和装置。

【技术实现步骤摘要】
测试图形的选取方法和装置、构建光刻模型的方法和装置
本申请涉及集成电路制造
，尤其涉及一种测试图形的选取方法和装置，此外，本申请还尤其涉及一种构建光刻模型的方法和装置。
技术介绍
光刻模型是光学仿真的基础，主要包括光学参数、光刻胶参数等等，其反映了光刻工艺中光学传输、光化学反应和物理反应的过程。在光刻模型的构建过程中，选取的测试图形对建模效率以及最终构建得到的模型准确度有很大影响。而且，随着集成电路集成度的不断提高，工艺节点持续推进，特征尺寸也越来越小，测试图形变得越来越复杂。如此，在构建光刻模型的过程中，测试图形的选取变得尤为重要。从设计的角度来说，测试图形作为反映实际电路版图的图形，因此，选取的测试图形需要具备较高的图形覆盖率。所谓图形覆盖率为测试图形分布与实际电路图形分布的比值。从建模的角度来说，较多的测试图形可以提高模型的准确度，从这一角度来说，在光刻模型的构建过程中，需要选取尽可能多的测试图形，然而，过多的测试图形会使计算时间大大增加，降低建模效率。此外，较为复杂的测试图形会使得模型构建难以收敛或者降低准确度。
技术实现思路
有鉴于此，本申请的第一方面提供了一种测试图形的选取方法和装置，以提高光刻模型的建模效率以及光刻模型的准确度。基于本申请的第一方面，本申请的第二方面提供了一种构建光刻模型的方法和装置。为了达到上述专利技术目的，本申请采用了如下技术方案：一种测试图形的选取方法，包括：根据设计规则、实际电路版图和/或随机版图设计初始测试图形；根据简化模型对所述初始测试图形进行光学仿真，得到所述初始测试图形在预设参数取值范围内的分布；根据所述初始测试图形在预设参数取值范围内的分布从所述初始测试图形中选取关键测试图形，所述关键测试图形用于构建光刻模型中的参数校准。可选地，所述根据所述初始测试图形在预设参数取值范围内的分布从所述初始测试图形中选取关键测试图形，具体包括：将所述初始测试图形在预设参数取值范围内的分布所覆盖的取值范围等分为若干个区域；从每个区域内选取至少一个分布在该区域内的初始测试图形，并将从每个区域中选取出的初始测试图形作为对应区域内的关键测试图形。可选地，所述从每个区域内选取至少一个分布在该区域内的初始测试图形，具体包括：从每个区域内选取最靠近该区域中心位置的初始测试图形。可选地，所述预设参数为多个，所述初始测试图形在预设参数取值范围内的分布为多维空间分布。一种构建光刻模型的方法，所述光刻模型包括光学参数和光刻胶参数，所述方法包括：根据上述任一项所述的测试图形的选取方法选取关键测试图形；利用所述关键测试图形校准待构建光刻模型中的光学参数，得到光学参数校准后的第一准光刻模型；利用所述关键测试图形校准所述第一准光刻模型中的光刻胶参数，得到光学参数和光刻胶参数校准后的第二准光刻模型；利用所述第二准光刻模型对所述初始测试图形进行光学仿真，得到光学仿真结果；判断所述光学仿真结果与实际光刻实验结果之间的误差分布是否达到预设标准，如果是，将所述第二准光刻模型作为最终构建的光刻模型。可选地，所述光刻胶参数包括多个光刻胶参数，所述利用所述关键测试图形校准所述第一准光刻模型中的光刻胶参数，得到光学参数和光刻胶参数校准后的第二准光刻模型，具体包括：将各个光刻胶参数按照预设顺序依次添加到第一准光刻胶模型中，并依次利用所述关键测试图形校准第一准光刻模型中的光刻胶参数。可选地，所述多个光刻胶参数包括物理参数、半经验参数和数学参数，所述预设顺序为：物理参数-->半经验参数-->数学参数。可选地，所述判断所述光学仿真结果与实际光刻实验结果之间的误差分布是否达到预设标准，还包括：如果否，分析所述误差分布未达到预设标准的原因，并根据原因返回校准光学参数的步骤或者返回校准光刻胶参数的步骤。一种测试图形的选取装置，包括：设计单元，用于根据设计规则、实际电路版图和/或随机版图设计初始测试图形；光学仿真单元，用于根据简化模型对所述初始测试图形进行光学仿真，得到所述初始测试图形在预设参数取值范围内的分布；选取单元，用于根据所述初始测试图形在预设参数取值范围内的分布从所述初始测试图形中选取关键测试图形，所述关键测试图形用于构建光刻模型中的参数校准。可选地，所述选取单元，具体包括：划分子单元，用于将所述初始测试图形在预设参数取值范围内的分布所覆盖的取值范围等分为若干个区域；选取子单元，用于从每个区域内选取至少一个分布在该区域内的初始测试图形，并将从每个区域中选取出的初始测试图形作为对应区域内的关键测试图形。一种构建光刻模型的装置，所述光刻模型包括光学参数和光刻胶参数，所述装置包括：选取模块，用于根据上述任一项所述的测试图形的选取方法选取关键测试图形；光学参数校准模块，用于利用所述关键测试图形校准待构建光刻模型中的光学参数，得到光学参数校准后的第一准光刻模型；光刻胶参数校准模块，用于利用所述关键测试图形校准所述第一准光刻模型中的光刻胶参数，得到光学参数和光刻胶参数校准后的第二准光刻模型；光学仿真模块，用于利用所述第二准光刻模型对所述初始测试图形进行光学仿真，得到光学仿真结果；判断模块，用于判断所述光学仿真结果与实际光刻实验结果之间的误差分布是否达到预设标准，如果是，将所述第二准光刻模型作为最终构建的光刻模型。可选地，所述光刻胶参数包括多个光刻胶参数，所述光刻胶参数校准模块具体包括：将各个光刻胶参数按照预设顺序依次添加到第一准光刻胶模型中，并依次利用所述关键测试图形校准第一准光刻模型中的光刻胶参数。可选地，所述多个光刻胶参数包括物理参数、半经验参数和数学参数，所述预设顺序为：物理参数-->半经验参数-->数学参数。可选地，所述装置还包括：分析模块，用于当所述光学仿真结果与实际光刻实验结果之间的误差分布未达到预设标准时，分析所述误差分布未达到预设标准的原因，并根据原因触发光学参数校准模块或光刻胶参数校准模块。相较于现有技术，本申请具有以下有益效果：基于上述技术方案可知，本申请实施例提供的测试图形的选取方法根据初始测试图形在预设参数取值范围内的分布从初始测试图形中选取关键测试图形。该选择测试图形的方法能够从初始测试图形中选出图形覆盖率较高的测试图形作为构建光刻模型的测试图形。而且通过该方法选出的用于构建光刻模型的测试图形中去除掉了冗余的测试图形，如此，避免了选取的测试图形过多。另外，该方法也能够将图形较为复杂的测试图形排除掉，因此，利用该方法选取出的测试图形进行光刻模型的构建，能够实现对关键图形的准确模拟，提高模型准确度。而且，该方法避免了测试图形过多导致的计算时间增加，降低建模效率的问题。此外，该方法能够过滤掉图形复杂的测试图形，因此，利用该选取出的测试图形进行光刻模型的构建，可以避免出现光刻模型构建过程中难以收敛或者降低准确度的问题。附图说明为了清楚地理解本申请的具体实现方式，下面将描述本申请具体实施方式时用到的附图做一简要说明。显而易见地，这些附图仅是本申请的部分实施例。图1是本申请实施例提供的测试图形的选取方法流程示意图；图2是本申请实施例提供的初始测试图形示意图；图3是本申请实施例提供的初始测试图形在预设参数取值范围内的分布示意图；图4是本申请实施例提供的选取测本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种测试图形的选取方法，其特征在于，包括：根据设计规则、实际电路版图和/或随机版图设计初始测试图形；根据简化模型对所述初始测试图形进行光学仿真，得到所述初始测试图形在预设参数取值范围内的分布；根据所述初始测试图形在预设参数取值范围内的分布从所述初始测试图形中选取关键测试图形，所述关键测试图形用于构建光刻模型中的参数校准。

【技术特征摘要】
1.一种测试图形的选取方法，其特征在于，包括：根据设计规则、实际电路版图和/或随机版图设计初始测试图形；根据简化模型对所述初始测试图形进行光学仿真，得到所述初始测试图形在预设参数取值范围内的分布；根据所述初始测试图形在预设参数取值范围内的分布从所述初始测试图形中选取关键测试图形，所述关键测试图形用于构建光刻模型中的参数校准。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述初始测试图形在预设参数取值范围内的分布从所述初始测试图形中选取关键测试图形，具体包括：将所述初始测试图形在预设参数取值范围内的分布所覆盖的取值范围等分为若干个区域；从每个区域内选取至少一个分布在该区域内的初始测试图形，并将从每个区域中选取出的初始测试图形作为对应区域内的关键测试图形。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述从每个区域内选取至少一个分布在该区域内的初始测试图形，具体包括：从每个区域内选取最靠近该区域中心位置的初始测试图形。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设参数为多个，所述初始测试图形在预设参数取值范围内的分布为多维空间分布。5.一种构建光刻模型的方法，其特征在于，所述光刻模型包括光学参数和光刻胶参数，所述方法包括：根据权利要求1-4任一项所述的方法选取关键测试图形；利用所述关键测试图形校准待构建光刻模型中的光学参数，得到光学参数校准后的第一准光刻模型；利用所述关键测试图形校准所述第一准光刻模型中的光刻胶参数，得到光学参数和光刻胶参数校准后的第二准光刻模型；利用所述第二准光刻模型对所述初始测试图形进行光学仿真，得到光学仿真结果；判断所述光学仿真结果与实际光刻实验结果之间的误差分布是否达到预设标准，如果是，将所述第二准光刻模型作为最终构建的光刻模型。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述光刻胶参数包括多个光刻胶参数，所述利用所述关键测试图形校准所述第一准光刻模型中的光刻胶参数，得到光学参数和光刻胶参数校准后的第二准光刻模型，具体包括：将各个光刻胶参数按照预设顺序依次添加到第一准光刻胶模型中，并依次利用所述关键测试图形校准第一准光刻模型中的光刻胶参数。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述多个光刻胶参数包括物理参数、半经验参数和数学参数，所述预设顺序为：物理参数-->半经验参数-->数学参数。8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述判断所述光学仿真结果与实际光刻实验结果之间的误差分布是否达...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵利俊，韦亚一，董立松，张利斌，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11