氮化硅层叠膜、有机电致发光元件、电子纸和光学调整膜以及氮化硅层叠膜的制造方法技术

本发明专利技术其课题在于，提供一种既具有充分的阻气性，翘曲又小的氮化硅层叠膜。本发明专利技术的氮化硅层叠膜，其特征在于，是具备柔性基材、和形成于所述柔性基材的至少一侧的表面的单层或多层的薄膜层的氮化硅层叠膜，所述单层或多层的薄膜层之中至少1层的特定薄膜层含有硅、氮和氢，表示所述特定薄膜层内的膜厚方向位置与氢原子的含量的关系的氢分布曲线具有至少1个极大点和至少1个极小点。

Silicon nitride laminated film, organic electroluminescent element, electronic paper and optical adjusting film and manufacturing method of silicon nitride laminated film

The subject of the invention is to provide a silicon nitride laminated film with sufficient gas resistance and warpage. The silicon nitride laminated film is characterized in that a silicon nitride laminated film with a flexible substrate and a monolayer or multilayer film layer formed on the surface of the flexible substrate at least one side has at least 1 layers of specific film layer in the monolayer or multilayer film layer containing silicon, nitrogen and hydrogen, indicating the specific film. There are at least 1 maximum points and at least 1 minimum points for the hydrogen distribution curve in relation to the thickness of the film in the layer and the content of the hydrogen atom.

【技术实现步骤摘要】
氮化硅层叠膜、有机电致发光元件、电子纸和光学调整膜以及氮化硅层叠膜的制造方法
本专利技术涉及氮化硅层叠膜、有机电致发光元件、电子纸和光学调整膜以及氮化硅层叠膜的制造方法。
技术介绍
例如在由树脂等形成，具有挠性的片状的柔性基材的表面，形成有氮化硅等金属化合物的薄膜层的层叠膜，被作为阻气膜利用。作为以金属化合物层叠膜作为阻气膜使用的例子，可列举有机电致发光元件，电子纸，例如用于有机薄膜太阳能电池、液晶显示器等的光学调整膜，例如医药品、饮品食品、化妆品、洗涤剂等的包装容器用材料等。作为在柔性基材的表面形成金属化合物的薄膜层的方法，可知例如有真空蒸镀法、溅射法、离子镀法等的物理气相沉积法(PVD)、低压化学气相沉积法、等离子体化学气相沉积法等的化学气相沉积法(CVD)等。另外，提出有一种金属化合物层叠膜，其通过在金属化合物的薄膜层的膜厚方向的规定区域，使氧原子含有率[atm％]比硅原子含有率[atm％]大，且使硅原子含有率比碳原子含有率[atm％]大，从而提高弯曲性(日本专利第5513959号公报)。另外，所述公报中记述，通过等离子体化学气相沉积法形成金属化合物层。但是，若由这种现有的方法在柔性基材上层叠金属化合物，则由于金属化合物的膜的压缩应力，导致金属化合物层叠膜发生翘曲。特别是若加大金属化合物层的膜厚以便能够得到充分的阻气性，则金属化合物层叠膜的翘曲变大，利用时，例如存在向其他的构件贴装作业等引起故障的情况。【现有技术文献】【专利文献】【专利文献1】日本专利第5513959号公报
技术实现思路
本专利技术鉴于所述问题点而做，其课题在于，提供一种既具有充分的阻气性，翘曲又小的氮化硅层叠膜、有机电致发光元件、电子纸和光学调整膜以及氮化硅层叠膜的制造方法。用于解决所述课题而形成的专利技术是一种氮化硅层叠膜，其特征在于，是具备柔性基材、和形成于所述柔性基材的至少一侧的表面的单层或多层的薄膜层的氮化硅层叠膜，所述单层或多层的薄膜层之中的至少1层特定薄膜层含有硅、氮和氢，表示所述特定薄膜层内的膜厚方向位置与氢原子的含量的关系的氢分布曲线具有至少1个极大点和至少1个极小点。该氮化硅层叠膜，由于在膜厚方向具有氢原子含量小而压缩应力大的部分和氢原子含量大而压缩应力小的部分，从而整体上应力得到松弛，膜的翘曲降低。另外，该氮化硅层叠膜中，薄膜层根据膜厚方向位置而生长方式有所不同，从而在薄膜层的形成过程中，可抑制缺陷从柔性基材侧朝向膜表面生长，因此阻气性优异。所述特定薄膜层也可以再含有碳。由此，所述特定薄膜层的挠性提高，因弯曲导致的特定薄膜层的裂纹受到抑制，从而该氮化硅层叠膜的阻气性难以受损。所述氢分布曲线的氢原子含量的最大的极大值相对于最小的极小值的比为1.1以上即可。由此，能够使以下两方面并立，即，由氢原子含量小的部分带来的阻气性提高，以及由氢原子含量大的部分的应力松弛功能带来的翘曲降低。另外，所述氢分布曲线的氢原子含量的最大的极大值相对于最小的极小值的比为上述下限以上，则折射率变大，从而也能够提高该氮化硅层叠膜的光学功能。所述氢分布曲线具有多个极大点，所述氢分布曲线上邻接的2个极大点的所述膜厚方向位置的差的绝对值为60nm以下即可。由此，氢原子含量小而压缩应力大的部分、和氢原子含量大而压缩应力小的部分的距离变小，因此该氮化硅层叠膜的翘曲抑制效果更加显著。表示所述特定薄膜层内的膜厚方向位置与硅原子的含量的关系的硅分布曲线具有至少1个极大点和至少1个极小点即可。如此，通过所述硅分布曲线具有至少1个极大点和至少1个极小点，能够形成压缩应力大的部分和小的部分，也能够抑制该氮化硅层叠膜的翘曲。所述硅分布曲线上的硅原子含量的最大的极大值相对于最小的极小值的比为1.1以上即可。由此，能够使如下两方面并立，即，由硅原子含量小的部分带来的阻气性提高、和由硅原子含量大的部分带来的翘曲降低。所述硅分布曲线具有多个极大点，所述硅分布曲线上邻接的2个极大点的所述膜厚方向位置的差的绝对值为60nm以下即可。由此，硅原子含量小而压缩应力大的部分、与硅原子含量大而压缩应力小的部分的距离变小，该氮化硅层叠膜的翘曲抑制效果更加显著。表示所述特定薄膜层内的膜厚方向位置、与通过二次离子质谱分析法测量的NSi－离子的检测强度相对于H－离子的检测强度的比的关系的NSi－/H－分布曲线，具有至少1个极大点和至少1个极小点即可。如此，由于NSi－离子与H－离子的检测强度的比具有极大点和极小点，所以在膜厚方向便具有NSi－离子与H－离子的检测强度的比小而压缩应力小的部分，和NSi－离子与H－离子的检测强度的比大而压缩应力大的部分，从而在整体上应力得到松弛，可降低该氮化硅层叠膜的翘曲。所述NSi－/H－分布曲线的最大的极大值相对于最小的极小值的比为1.1以上即可。由此，能够使如下两方面并立，即，利用氮含量小的部分提高阻气性、和利用氮含量大的部分的应力松弛功能降低该氮化硅层叠膜的翘曲。所述NSi－/H－分布曲线具有多个极大点，所述NSi－/H－分布曲线上邻接的2个极大点的所述膜厚方向位置的差的绝对值为60nm以下即可。由此，氮含量小而压缩应力小的部分和氮含量大而压缩应力大的部分的距离小，该氮化硅层叠膜的翘曲抑制效果更为显著。表示所述特定薄膜层内的膜厚方向位置、与通过二次离子质谱分析法测量的NSi－离子的检测强度相对于Si－离子的检测强度的比的关系的NSi－/Si－分布曲线，具有至少1个极大点和至少1个极小点即可。如此，由于NSi－离子与Si－离子的检测强度的比具有极大点和极小点，从而在膜厚方向具有NSi－离子与Si－离子的检测强度的比小而压缩应力小的部分、和NSi－离子与Si－离子的检测强度的比大而压缩应力大的部分，由此整体上应力得到松弛，膜的翘曲得到降低。所述NSi－/Si－分布曲线的最大的极大值相对于最小的极小值的比为1.1以上即可。由此，能够使如下两方面并立，即，利用氮含量小的部分提高阻气性、和利用氮含量大的部分的应力松弛功能降低该氮化硅层叠膜的翘曲。所述NSi－/Si－分布曲线具有多个极大点，所述NSi－/Si－分布曲线上邻接的2个极大点的所述膜厚方向位置的差的绝对值为60nm以下即可。由此，氮含量小而压缩应力小的部分和氮含量大而压缩应力大的部分的距离小，该氮化硅层叠膜的翘曲抑制效果更加显著。表示所述特定薄膜层内的膜厚方向位置与硅原子的含量的关系的硅分布曲线具有至少1个极大点和至少1个极小点，所述氢分布曲线的极大点与所述硅分布曲线的极大点的所述膜厚方向位置的差为5nm以下即可。由此，所述氢含量的变化所带来的效果和所述硅含量的变化所带来的效果相互叠加，该氮化硅层叠膜的阻挡性提高效果和翘曲抑制效果更加显著。表示所述膜厚方向位置、与通过二次离子质谱分析法测量的NSi－离子的检测强度相对于H－离子的检测强度的比的关系的NSi－/H－分布曲线，具有至少1个极大点和至少1个极小点，表示所述膜厚方向位置、与通过二次离子质谱分析法测量的NSi－离子的检测强度相对于Si－离子的检测强度的比的关系的NSi－/Si－分布曲线，具有至少1个极大点和至少1个极小点，所述NSi－/H－分布曲线的极大点与所述NSi－/Si－分布曲线的极大点的所述膜厚方向位置的差为5nm以下即可。由此，以氢含量为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化硅层叠膜，其特征在于，是具备柔性基材、和形成于所述柔性基材的至少一侧的表面上的单层或多层的薄膜层的氮化硅层叠膜，所述单层或多层的薄膜层之中的至少1层特定薄膜层含有硅、氮和氢，表示所述特定薄膜层内的膜厚方向位置与氢原子的含量的关系的氢分布曲线具有至少1个极大点和至少1个极小点。

【技术特征摘要】
2016.12.05 JP 2016-2361981.一种氮化硅层叠膜，其特征在于，是具备柔性基材、和形成于所述柔性基材的至少一侧的表面上的单层或多层的薄膜层的氮化硅层叠膜，所述单层或多层的薄膜层之中的至少1层特定薄膜层含有硅、氮和氢，表示所述特定薄膜层内的膜厚方向位置与氢原子的含量的关系的氢分布曲线具有至少1个极大点和至少1个极小点。2.根据权利要求1所述的氮化硅层叠膜，其中，所述特定薄膜层还含有碳。3.根据权利要求1或权利要求2所述的氮化硅层叠膜，其中，所述氢分布曲线的氢原子含量的最大的极大值相对于最小的极小值的比为1.1以上。4.根据权利要求1所述的氮化硅层叠膜，其中，所述氢分布曲线具有多个极大点，所述氢分布曲线上邻接的2个极大点的所述膜厚方向位置的差的绝对值为60nm以下。5.根据权利要求1所述的氮化硅层叠膜，其中，表示所述特定薄膜层内的膜厚方向位置与硅原子的含量的关系的硅分布曲线具有至少1个极大点和至少1个极小点。6.根据权利要求5所述的氮化硅层叠膜，其中，所述硅分布曲线中的硅原子含量的最大的极大值相对于最小的极小值的比为1.1以上。7.根据权利要求5或权利要求6所述的氮化硅层叠膜，其中，所述硅分布曲线具有多个极大点，所述硅分布曲线上邻接的2个极大点的所述膜厚方向位置的差的绝对值为60nm以下。8.根据权利要求1所述的氮化硅层叠膜，其中，表示所述特定薄膜层内的膜厚方向位置与通过二次离子质谱分析法测量的NSi－离子的检测强度相对于H－离子的检测强度的比的关系的NSi－/H－分布曲线具有至少1个极大点和至少1个极小点。9.根据权利要求8所述的氮化硅层叠膜，其中，所述NSi－/H－分布曲线的最大的极大值相对于最小的极小值的比为1.1以上。10.根据权利要求8或权利要求9所述的氮化硅层叠膜，其中，所述NSi－/H－分布曲线具有多个极大点，所述NSi－/H－分布曲线上邻接的2个极大点的所述膜厚方向位置的差的绝对值为60nm以下。11.根据权利要求1所述的氮化硅层叠膜，其中，表示所述特定薄膜层内的膜厚方向位置与通过二次离子质谱分析法测量的NSi－离子的检测强度相对于Si－离子的检测强度的比的关系的NSi－/Si－分布曲线具有至少1个极大点和至少1个极小点。12.根据权利要求11所述的氮化硅层叠膜，其中，所述NSi－/Si－分布曲线的最大的极大值相对于最小的极小值的比为1.1以上。13.根据权利要求11或权利要求12所述的氮化硅层叠膜，其中，所述NSi－/Si－分布曲线具有多个极大点，所述NSi－/Si－分布曲线上邻接的2个极大点的所述膜厚方向位置的差的绝对值为60nm以下。14.根据权利要求1所述的氮化硅层叠膜，其中，表示所述特定薄膜层内的膜厚方向位置与硅原子的含量的关系的硅分布曲线具有至少1个极大点和至少1个极小点，所述氢分布曲线的极大点与所述硅分布曲线的极大点的所述膜厚方向位置的差为5nm以下。15.根据权利要求1所述的氮化硅层叠膜，其中，表示通过二次离子质谱分析法测量出的NSi－离子的检测强度相对于H－离子的检测强度的比的关系的NSi－/H－分布曲线具有至少1个极大点和至少1个极小点，表示通过二次离...

【专利技术属性】
技术研发人员：慈幸范洋，川上信之，矶村良幸，冲本忠雄，
申请(专利权)人：株式会社神户制钢所，
类型：发明
国别省市：日本,JP