加热器单元制造技术

技术编号:18180783 阅读:39 留言:0更新日期:2018-06-09 23:35
提供温度的面内均匀性高的加热器单元。加热器单元具有:第一加热器部;第二加热器部,相对于第一加热器部独立地受控制;基材,在和第一加热器部与第二加热器部之间相对应的区域设置有槽;以及盖部,配置于槽的开口端,并与槽一起提供封闭空间。另外,可以还具有覆盖第一加热器部和第二加热器部的绝缘层、和隔着绝缘层安装于基材的静电吸盘。由盖部和槽提供的封闭空间可以为真空。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】加热器单元
本专利技术涉及加热器单元。本专利技术尤其涉及半导体制造装置中使用的加热器单元。
技术介绍
在半导体装置的制造工序中,通过在半导体基板上形成薄膜并对其进行加工从而形成晶体管元件、布线、阻抗元件、电容元件等功能元件。作为在半导体基板上形成薄膜的方法,可采用化学气相沉积法(CVD:ChemicalVaporDeposition)、物理气相沉积法(PVD:PhysicalVaporDeposition)、或原子层沉积法(ALD:AtomicLayerDeposition)等方法。另外,作为对薄膜进行加工的方法,可采用反应性离子蚀刻(RIE:ReactiveIonEtching)法等方法。另外,在半导体装置的制造工序中,除了薄膜的成膜和加工之外还进行等离子体处理等表面处理的工序。在上述的成膜、加工以及表面处理的工序所使用的装置中,设置有支承半导体基板的工作台。该工作台不仅支承半导体基板,而且还具有根据各处理工序而调节半导体基板的温度的功能。为了如上述那样调节温度,在工作台设置有加热机构。尤其是,在上述的半导体装置中,广泛使用由金属、陶瓷构成的陶瓷加热器(加热器单元)来作为加热机构。在上述的成膜、加工以及表面处理的工序中,膜质、加工形状以及表面状态根据基板的温度而敏感地变化。因此,对于上述的加热器单元,要求温度的面内均匀性高。上述的工序中所用的半导体装置,根据各工程所要求的特征而具有不同的腔室构造、电极构造。由于上述结构的差异,因散热(即,从载置于腔室内的基板向腔室气氛内的散热和从基板向载置基板的工作台传递的散热)所造成的影响,基板温度的面内均匀性会恶化。另外,在使用等离子体的装置中,因腔室内的等离子体密度的影响,基板温度的面内均匀性会恶化。为了改善上述的基板温度的面内均匀性的恶化,例如在专利文献1和专利文献2中公开了如下技术:通过将配置于加热器单元的发热电阻(加热器部)分成多个区带,并独立地对各个加热器部进行控制,从而改善基板温度的面内均匀性。在专利文献1和专利文献2所记载的加热器单元中,由于在相邻的区带之间的基材上设置有凹部,所以相邻的区带之间是绝热的。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2006-24433号公报专利文献2:日本特开2008-251707号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题然而,如专利文献1和专利文献2所示,相邻的区带之间的凹部与腔室内的空间(或者腔室外的大气)相连。因此,相邻的区带之间的绝热效果受到腔室内的空间温度(或者大气温度)的影响。其结果,相邻的区带之间的绝热效果会因腔室内的空间温度(或者大气温度)而变化,因此难以得到不依存于使用环境的稳定的绝热效果。另外,若存在于腔室内的被加热了的气体的分布不均匀,则基板温度的面内均匀性会恶化。本专利技术是鉴于这样的课题而完成的,目的在于提供一种温度的面内均匀性高的加热器单元。用于解决课题的技术方案本专利技术的一实施方式的加热器单元具有:第一加热器部;第二加热器部,相对于第一加热器部独立地受控制的;基材,在和第一加热器部与第二加热器部之间相对应的区域设置有槽;以及盖部,配置于槽的开口端,并与槽一起提供封闭空间。另外,封闭空间可以为真空。另外,封闭空间可以填充有气体。另外,封闭空间可以填充有导热率比基材低的物质。另外,还可以具有:绝缘层,覆盖第一加热器部和第二加热器部;和静电吸盘,隔着绝缘层安装于基材。另外,可以在第一加热器部与第二加热器部之间设置有去除了绝缘层的区域。另外,可以是,槽被设置成在俯视观察基材时呈环状,盖部为环形。专利技术效果根据本专利技术涉及的加热器单元,能够提供温度的面内均匀性高的加热器单元。附图说明图1是示出本专利技术的一实施方式涉及的加热器单元的整体结构的俯视图。图2是图1的A-A’剖面图。图3是本专利技术的一实施方式涉及的加热器单元的剖面图。图4是本专利技术的一实施方式涉及的加热器单元的剖面图。图5是本专利技术的一实施方式涉及的加热器单元的剖面图。图6是本专利技术的一实施方式涉及的加热器单元的剖面图。图7是本专利技术的一实施方式涉及的加热器单元的剖面图。图8是示出本专利技术的一实施方式涉及的加热器单元的整体结构的俯视图。图9是图8的A-A’剖面图。具体实施方式以下,参照附图针对本专利技术涉及的加热器单元进行说明。不过,本专利技术的加热器单元能够以多种不同的形态来实施,不可被解释成限定于以下所示的实施方式的记载内容。此外,在本实施方式中参照的附图中,对于相同的部分或具有同样功能的部分标注相同的附图标记,并省略对其的重复说明。另外,为了便于说明,使用上方或下方这样的语句进行说明,上方或下方分别表示加热器单元在使用时(装置安装时)的朝向。另外,为了使说明更明确,存在附图与实际的形态相比对于各部件的宽度、厚度、形状等示意性地示出的情况,但终究是一例,对本专利技术的解释不构成限定。(第一实施方式)使用图1和图2针对本专利技术的第一实施方式涉及的加热器单元的整体结构进行说明。本专利技术的第一实施方式涉及的加热器单元具有分割成多个区带并独立地受控制的加热器部。另外,第一实施方式涉及的加热器单元能够在CVD装置、溅射装置、蒸镀装置、蚀刻装置、等离子体处理装置、测定装置、检查装置以及显微镜等中使用。不过,第一实施方式涉及的加热器单元并不限定于在上述装置中使用,而是能够在需要对基板进行加热的装置中使用。[加热器单元10的结构]图1是示出本专利技术的一实施方式涉及的加热器单元的整体结构的俯视图。图2是图1的A-A’剖面图。如图1和图2所示,第一实施方式涉及的加热器单元10具有罩盖部110、基材120、盖部130、加热器部140以及绝缘层150。加热器部140包括分别独立受控制的第一加热器部142、第二加热器部144、以及第三加热器部146。在此,在不特别对第一加热器部142、第二加热器部144以及第三加热器部146进行区分时,称为加热器部140。基材120设置有:设置于第一加热器部142与第二加热器部144之间的第一槽123;和设置于第二加热器部144与第三加热器部146之间的第二槽125。第一加热器部142、第二加热器部144以及第三加热器部146分别经由外部连接端子1421、1441以及1461而连接于不同的加热器控制器。如图2所示,加热器单元10由腔室15包围。腔室15连接于罩盖部110,使腔室内的空间与腔室外的大气隔离。罩盖部110的一部分配置于腔室15内部,另一部分配置于腔室15外部。罩盖部110具有中空构造。罩盖部110的内部暴露于大气。罩盖部110的外部暴露于腔室内的空间。腔室15与罩盖部110可以通过焊接等而固定,也可以经由金属制衬垫、树脂制O型环等而能够装拆地连接。基材120配置于罩盖部110之上。如上所述,在基材120,在和第一加热器部142与第二加热器部144之间对应的区域设置有第一槽123,在和第二加热器部144与第三加热器部146之间对应的区域设置有第二槽125。第一槽123和第二槽125是在基材120的上表面侧(基材120的盖部130侧)具有开口端、在基材120的下表面侧(基材120的罩盖部110侧)具有底部的凹部。第一槽123和第二槽125相对于基材120的深度是距离基板120的表面为5mm以上(从基板120的板厚减去5mm后以下的位置)。在此,也可以说是,第一槽本文档来自技高网
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加热器单元

【技术保护点】
一种加热器单元,其特征在于,具有:第一加热器部;第二加热器部,相对于所述第一加热器部独立地受控制;基材,在和所述第一加热器部与所述第二加热器部之间相对应的区域设置有槽;以及盖部,配置于所述槽的开口端,并与所述槽一起提供封闭空间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.10.26 JP 2015-2098861.一种加热器单元,其特征在于,具有:第一加热器部;第二加热器部,相对于所述第一加热器部独立地受控制;基材,在和所述第一加热器部与所述第二加热器部之间相对应的区域设置有槽;以及盖部,配置于所述槽的开口端,并与所述槽一起提供封闭空间。2.根据权利要求1所述的加热器单元,其特征在于,所述封闭空间为真空。3.根据权利要求1所述的加热器单元,其特征在于,所述封闭空间填充有...

【专利技术属性】
技术研发人员:花待年彦相川尚哉
申请(专利权)人:日本发条株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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