多级式且前馈补偿的互补电流场效应晶体管放大器制造技术

本发明专利技术涉及一种多级式且前馈补偿的互补电流场效应晶体管放大器，实现利用在亚阈值操作中引发的指数属性的基于充电的方法。新颖电流场效应晶体管的多个互补对串联连接以形成多级放大器。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多级式且前馈补偿的互补电流场效应晶体管放大器相关申请的交叉引用本申请要求2015年7月30日提交的第62/198,927号美国临时申请；2015年12月17日提交的第62/268,983号美国临时申请；以及2016年3月17日提交的第62/309,903号美国临时申请的优先权，所述美国临时申请的全部内容以引入的方式并入本文中。
本专利技术涉及一种多级式且前馈补偿的互补电流场效应晶体管放大器，实现利用在亚阈值操作中引发的指数属性的基于充电的方法。
技术介绍
相关技术描述新千年带来的是以极快速度膨胀的对连通性的需求。到2015年底，全球网络连接的数量将超过世界人口的两倍，预计在2020年，超过300亿装置将无线连接到云，形成物联网(或“IoT”)。实现这一新时代的是在过去二十年中已经出现的移动计算和无线通信的革命性发展。根据摩尔定律，开发高集成度的且具成本效益的硅互补金属氧化物半导体(CMOS)装置允许将大型模/数转换器或收发器等数字和模拟系统元件合并成更具成本效益的单芯片解决方案。然而，在近几年中，虽然数字电路在很大程度上遵循了预测路径且得益于CMOS技术扩展到超深亚微米(亚-μm)，但模拟电路尚不能够遵循同样的趋势，并且在模拟设计无模式上的转变的情况下可能永远无法实现。模拟和射频(或“RF”)设计人员仍在努力探索如何制造高性能集成电路(或“IC”)以实现超深亚-μm特征大小而不损失收缩大小的益处：包含功率降低、覆盖面紧凑以及操作频率更高。要突破现有的模拟设计技术以满足新千年片上系统(SoC)的要求，需要真正的模式上的转变。现有技术：模拟电路的核心构建块是放大器。离散组件放大器自由使用电阻器、电容器、电感器、变压器和非线性元件以及各种类型的晶体管。通常可忽略各种组件之间不合需要的寄生效应。然而，为了在集成电路内构建放大器，无法轻易获得正常的模拟电路组件，且如果真要如此的话，通常采用特殊IC工艺扩展以获得这些电路元件。由于集成电路放大器相距紧密且通过其所集成到的硅晶片耦合在一起，因此集成电路放大器上的寄生效应较严重。摩尔定律IC工艺的进步集中于数字、微处理器和存储器工艺发展。由于需要一代(～18个月)或两代来将IC工艺扩展到并入有模拟组件，因此最新工艺单芯片系统上一般并未包含模拟功能。这些“混合模式”IC工艺不易获得、依赖于厂商且较贵以及高度受制于参数变化。需要大量工程改造以在变得特定于其IC厂商和工艺节点的任何IC上包含极少的模拟功能。由于针对每个工艺节点谨慎且特别地设计或布置模拟电路，因此此类模拟电路非常不便携带。由于排斥这种限制，模拟电路设计工程师变得稀缺，且慢慢退休而无足够替代。运算放大器(或OpAmp)是处理模拟信息所必要的基本IC模拟增益块。OpAmp利用一对极高匹配的晶体管来在电压输入处形成一对差分的晶体管。匹配是在集成电路上易于获得的参数，但为了达到所需等级的匹配，会使用许多考虑因素：相同质心布局、多个大型装置、阱隔离度和物理布局技术，以及许多其它考虑因素。大面积匹配的多组晶体管还用于电流镜和负载装置。OpAmp需要电流源以用于偏置。OpAmp还需要电阻器和电容器(或RC)补偿极以防止振荡。电阻器是“R”的关键，且RC时间常数的值相对精确。电阻器的值过大会使放大器过慢且过小，从而导致振荡。恒定的“偏置”电流增加了消耗的功率。总的来说，这些偏置电流趋向大于全信号操作期间所需的峰值电流。在IC工艺收缩时，阈值电压仍保持略微恒定。这是因为金属氧化物半导体(或MOS)阈值截止曲线基本上不随IC工艺的收缩而改变，且总芯片关态漏电流必须保持小得足以不影响全芯片电源泄漏。所述阈值和饱和电压往往会占用整个电源电压，从而不为模拟电压摆幅保留足够空间。为了适应这种信号摆幅电压缺乏，OpAmp可能设置有多组电流镜，这进一步使其设计变得复杂，同时消耗更多功率且使用额外的物理布局面积。本专利引入在电源电压收缩到远低于1伏时甚至运行得更好的放大器设计。常规MOS放大器增益是这样形成的：输入电压驱动跨导(gm)，所述跨导将所述输入电压转换为输出电流。此输出电流接着驱动输出负载，出于建立高负载电阻的目的，所述输出负载通常是电流源的输出。此高电阻负载将输出电流转换回到输出电压。等效输出负载电阻实际上是负载电流源晶体管和放大器输出晶体管的并联组合。为了使这种等效负载电阻保持较高以提供所需的电压增益，这些负载晶体管必须极长，但为了驱动足够的电流，这些晶体管还必须极宽，因此极大的晶体管是必要的。还可能注意到，放大器输出所驱动的负载电阻是减小电压增益的额外并联电阻。还应注意，负载电容与放大器输出电阻交互，从而修改AC性能。实际上需要的是完全相反的工作原理，这是本专利技术相关的内容。图1a是作为基准参考的高质量MOSICOpAmp的晶体管级示意图(出自威立(Wiley)教本：模拟集成电路的分析和设计(AnalysisandDesignofAnalogIntegratedCircuits)，Gray等著，第4版，第482页)，其用于在本文所示放大器的描述中进行比较。基准比较(全在180nmIC工艺中进行)呈性能绘图形式，就如图1b的在Vdd＝1.8伏且Rcmp＝700欧姆时基于频率的波德(Bode)增益-相位绘图。只要可能，用于这三个比较绘图中的每一个的所有轴比例均保持相同。本文件中选择易于获得的180nm工艺以比较所有比较实例是因为，常规现有技术放大器运作得最好且已具有最高程度的使用，且提供常规模拟所需的成熟的混合模式IC工艺扩展。而且由于IC工艺收缩以及电源电压降低，这也是本专利技术的实施方案变得高度有益之处。通常，MOS放大器因强反型MOS晶体管平方律特性而在平方律关系内操作；这些特性并未很好地界定或可预测地稳定在模拟电路所需的程度。像双极晶体管操作等指数律操作则增益更高、稳定且充分界定。在极弱操作条件下，MOS晶体管转换成指数运算，但所述晶体管过于缓慢而作用不多。此外，这两种操作模式之间的“中等反型”转变提供降低模拟MOS电路质量的非线性。在MOS晶体管大约操作的阈值电压下，50％的电流是平方律，而另外50％是指数律。这是对最新MOS模拟方程式中的阈值电压的界定。高速下的全指数MOS操作将提供可预测、稳定和充分界定的更高增益。本专利有关以指数模式操作的放大器。为了理解现有技术，我们开始论述弱反型与强反型。参考图1e和1f，弱反型是大多数设计者将认为晶体管是关态的范围：●漏源电压小(约100mV)；●栅极G(或17s)处于类似的小电位(通常小于300mV)；●这产生从源极S到漏极D的均一深度的表面导电层；●此表面层的导电性是相对于栅极G电压的指数；●这允许在数个十倍(约6个)动态范围上的操作；●沟道呈现为中等值电阻器(100+s千欧姆)；以及●均一深度的导电沟道促进在指数律上较高的增益，但损失了速度(归因于导电沟道中的低电荷密度)。强反型(参考图1g和1h)的特征在于分级式导电沟道，在靠近源极处较深且靠近漏极处较浅：●漏源电压大于图1g的栅源电压Vg和图1h中的阈值V阈值(通常超过400mV)；●栅极17u在高于其阈值电压V阈值下操作；●这产生在源极处较深且逐渐减小到漏极12u处几近夹断的导电沟道；●所得导电层表现得对栅极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电压放大器，包括：至少三个电流场效应晶体管互补对，每对包括p型电流场效应晶体管(PiFET)和n型电流场效应晶体管(NiFET)，PiFET和NiFET中的每一个具有源极端子、漏极端子、栅极端子以及PiFET和NiFET中的所述每一者的所述对应导电类型的扩散端子，界定所述源极端子与所述扩散端子之间的源极沟道，以及所述漏极端子与所述扩散端子之间的漏极沟道，所述扩散端子引起贯穿所述源极和漏极沟道的所述扩散电荷密度的改变，并且所述栅极端子电容式耦合到所述源极和漏极沟道；其中，对于至少三个互补对中的每一对，所述PiFET的所述栅极端子和所述NiFET的所述栅极端子连接在一起以形成输入，NiFET的所述源极端子连接到负电源且所述PiFET的所述源极端子连接到正电源，并且所述NiFET和所述PiFET的所述漏极端子连接在一起以形成输出，并且其中所述至少三个互补对通过将所述至少三个互补对的前一对的所述输出连接到后一对的所述输入而串联连接。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.07.30 US 62/198,927;2015.12.17 US 62/268,983;1.一种电压放大器，包括：至少三个电流场效应晶体管互补对，每对包括p型电流场效应晶体管(PiFET)和n型电流场效应晶体管(NiFET)，PiFET和NiFET中的每一个具有源极端子、漏极端子、栅极端子以及PiFET和NiFET中的所述每一者的所述对应导电类型的扩散端子，界定所述源极端子与所述扩散端子之间的源极沟道，以及所述漏极端子与所述扩散端子之间的漏极沟道，所述扩散端子引起贯穿所述源极和漏极沟道的所述扩散电荷密度的改变，并且所述栅极端子电容式耦合到所述源极和漏极沟道；其中，对于至少三个互补对中的每一对，所述PiFET的所述栅极端子和所述NiFET的所述栅极端子连接在一起以形成输入，NiFET的所述源极端子连接到负电源且所述PiFET的所述源极端子连接到正电源，并且所述NiFET和所述PiFET的所述漏极端子连接在一起以形成输出，并且其中所述至少三个互补对通过将所述至少三个互补对的前一对的所述输出连接到后一对的所述输入而串联连接。2.根据权利要求1所述的电压放大器，进一步包括一对转出电容器，将所述NiFET和PiFET的所述第二对的输出电容式连接到所述第一对的所述扩散端子。3.根据权利要求1或2所述的电压放大器，进一步包括额外一对NiFET和PiFET作为前馈对，其中所述前馈对接收所述电压放大器的输入作为到所述前馈对的栅极端子的输入，并且耦合所述第三对的所述输出与所述前馈对的所述NiFET和PiFET的漏极端子以形成前馈输出。4.一种差分电压放大器，包括：a.正负电压输入端子，用于接收差分电压输入；b.正负电压输出端子，用于输出差分电压输出；c.模拟接地基准端子，用于接收模拟接地基准；d.第一和第二多级放大器，所述第一和第二多级放大器中的每一个包括：i.至少三个电流场效应晶体管互补对，每个互补对包括p型电流场效应晶体管(PiFET)和n型电流场效应晶体管(NiFET)，对于每个互补对，所述PiFET和所述NiFET中的每一个具有源极端子、漏极端子、栅极端子以及PiFET和NiFET中的所述每一者的所述对应导电类型的扩散端子，界定所述源极端子与所述扩散端子之间的源极沟道，以及所述漏极端子与所述扩散端子之间的漏极沟道，所述扩散端子引起贯穿所述源极和漏极沟道的所述扩散电荷密度的改变，并且所述栅极端子电容式耦合到所述源极和漏极沟道；所述PiFET的所述栅极端子和所述NiFET的所述栅极端子连接在一起以形成输入，NiFET的所述源极端子连接到负电源且所述PiFET的所述源极端子连接到正电源，并且所述NiFET和所述PiFET的所述漏极端子连接在一起以形成输出，并且其中所述至少三个互补对通过将所述至少三个互补对的前一对的所述输出连接到后一对的所述输入而串联连接，其中，对于所述第一和第二多级放大器中的每一个，所述第一互补对的所述输入形成输入端子并且所述最后一对的所述输出形成输出端子；e.第一和第二电容器，所述第一和第二电容器中的每一个具有第一和第二端子，所述第一电容器的所述第二端子连接到所述第一多级放大器的所述输入端子，并且所述第二电容器的所述第二端子连接到所述第二多级放大器的所述输入端子；f.通过控制信号控制的多个开关，其中控制信号在包括设置相和启动相的相位之间交替；其中，在所述控制信号的所述设置相期间，所述多个开关使得所述第一和第二电容器的所述第一端子连接到所述模拟接地基准端子，并使所述输出端子连接到所述第一和第二多级放大器中的每一个的所述输入端子，同时断开所述正负电压输入端子与正负电压输出端子；并且在所述控制信号的所述启动相期间，所述多个开关使得所述负电压输入端子连接到所述第一电容器的所述第一端子并使所述正电压输入端子连接到所述第二电容器的所述第一端子，并且使所述第一多级放大器的所述输出端子连接到所述正电压输出端子并使所述第二多级放大器的所述输出端子连接到所述负电压输出端子。5.一种连续差分电压放大器，包括：a.正负电压输入端子，用于接收差分电压输入；b.正负电压输出端子，用于输出差分电压输出；c.模拟接地基准端子，用于接收模拟接地基准；d.根据权利要求4所述的第一和第二差分电压放大器，其中所述第一差分电压放大器能用第一控制信号进行操作并且所述第二差分电压放大器能用第二控制信号进行操作，其中所述第一和第二控制信号在设置相与启动相之间交替；其中所述第一和第二差分电压放大器的所述正电压输入端子连接到所述连续差分电压放大器的所述正电压输入端子，所述第一和第二差分电压放大器的所述负电压输入端子连接到所述连续差分电压放大器的所述负电压输入端子，所述第一和第二差分电压放大器的正输出端子连接到所述连续差分电压放大器的所述正电压输出端子，并且所述第一和第二差分电压放大器的所述负电压输出端子连接到所述连续差分电压放大器的所述负电压输出端子；其中所述第一和第二控制信号异相，由此从所述连续差分电压放大器的所述正负电压端子提供连续输出。6.根据权利要求5所述的连续差分电压放大器，其中所述第一控制信号与所述第二控制信号之间的相位差为180度。7.一种差分电压放大器，包括：a.正负电压输入端子，用于接收差分电压输入；b.正负电压输出端子，用于输出差分电压输出；c.模拟接地基准端子，用于接收模拟接地基准；d.第一和第二多级放大器，所述第一和第二多级放大器中的每一个包括：i.至少三个电流场效应晶体管互补对，a)每对包括p型电流场效应晶体管(PiFET)和n型电流场效应晶体管(NiFET)，a.PiFET和NiFET中的每一个具有源极端子、漏极端子、栅极端子以及PiFET和NiFET中的所述每一者的所述对应导电类型的扩散端子，界定所述源极端子与所述扩散端子之间的源极沟道，以及所述漏极端子与所述扩散端子之间的漏极沟道，所述扩散端子引起贯穿所述源极和漏极沟道的所述扩散电荷密度的改变，并且所述栅极端子电容式耦合到所述源极和漏极沟道；其中，对于每个互补对，所述PiFET的所述栅极端子和所述NiFET的所述栅极端子连接在一起以形成输入，所述NiFET的所述源极端子连接到负电源且所述PiFET的所述源极端子连接到正电源，并且所述NiFET和所述PiFET的所述漏极端子连接在一起以形成输出，并且其中所述至少三个互补对通过将所述至少三个互补对的前一对的所述输出连接到后一对的所述输入而串联连接，其中，对于所述第一和第二多级放大器中的每一个，所述第一互补对的所述输入形成输入端子并且所述最后一个互补对的所述输出形成输出端子；e.第一和第二电容器，所述第一和第二电容器中的每一个具有第一端子和第二端子，所述第一电容器的所述第二端子连接到所述第一多级放大器的所述输入端子，并且所述第二电容器的所述第二端子连接到所述第二多级放大器的所述输入端子；f.第三和第四电容器，所述第二和第三电容器中的每一个具有第一端子和第二端子；g.通过控制信号控制的多个开关，其中控制信号在包括设置相和启动相的相位之间交替；其中，在所述控制信号的所述设置相期间，所述多个开关使得所述第一和第二电容器的所述第一端子连接到所述模拟接地基准端子，使所述输出端子连接到所述第一和第二多级放大器中的每一个的所述输入端子，使所述第三电容器的所述第一端子和所述第四电容器的所述第二端子连接到所述正电压输入端子，并且使所述第三电容器的所述第二端子和所述第四电容器的所述第一端子连接到所述负电压输入端子，同时断开所述正负电压输出端子；并且在所述控制信号的所述启动相期间，所述多个开关使得所述第一多级放大器的所述输出端子通过串联连接所述第三和第一电容器而电容式连接到所述第一多级放大器的所述输入端子，使所述第二多级放大器的所述输出端子通过串联连接所述第四和第二电容器而电容式连接到所述第二多级放大器的所述输入端子，并且使所述第一多级放大器的所述输出端子连接到所述正电压输出端子并使所述第二多级放大器的所述输出端子连接到所述负电压输出端子，同时断开所述负正电压输入端子与模拟接地基准端子。8.一种采样保持电压放大器，包括：a.正负电压输入端子，用于接收差分电压输入；b.输出端子，用于输出电压输出；c.多级放大器，包括：i.至少三个电流场效应晶体管互补对，每对包括p型电流场效应晶体管(PiFET)和n型电流场效应晶体管(NiFET)，PiFET和NiFET中的每一个具有源极端子、漏极端子、栅极端子以及PiFET和NiFET中的所述每一者的所述对应导电类型的扩散端子，界定所述源极端子与所述扩散端子之间的源极沟道，以及所述漏极端子与所述扩散端子之间的漏极沟道，所述扩散端子引起贯穿所述源极和漏极沟道的所述扩散电荷密度的改变，并且所述栅极端子电容式耦合到所述源极和漏极沟道；其中，对于每个互补对，所述PiFET的所述栅极端子和所述NiFET的所述栅极端子连接在一起以形成输入，所述NiFET的所述源极端子连接到负电源且所述PiFET的所述源极端子连接到正电源，并且所述NiFET和所述PiFET的所述漏极端子连接在一起以形成输出，其中所述至少三个互补对通过将所述至少三个互补对的前一对的所述输出连接到后一对的所述输入而串联连接，其中，对于所述第一和第二多级放大器中的每一个，所述第一对的所述输入形成输入端子，并且所述最后一对的所述输出形成输出端子；d.通过控制信号控制的多个开关，其中所述控制信号在第一相与第二相之间交替；e.具有第一端子和第二端子的电容器，所述电容器的所述第二端子连接到所述多级放大器的所述输入端子；其中所述控制信号的所述设置相使得所述多个开关将所述正电压输入端子连接到所述电容器的所述第一端子，并且进一步通过将所述多级放大器的所述输出端子连接到所述输入端子而使得所述多级放大器自偏置，并且其中所述控制信号的所述启动相使得所述多个开关将所述负电压输入端子连接到所述电容器的所述第一端子，并且进一步使得所述多级放大器的所述输出端子连接到所述输出电压端子。9.根据权利要求8所述的放大器，进一步包括基准端子，用于接收针对所述电压输出端子的基准，以使所述基准端子与所述电压输出端子电阻式和/或电容式耦合。10.一种采样保持电压放大器，包括：a.正负电压输入端子，用于接收差分电压输入；b.输出端子，用于输出电压输出；c.基准端子，用于接收输出电压基准；d.多级放大器，包括：i.至少三个电流场效应晶体管互补对，每对包括p型电流场效应晶体管(PiFET)和n型电流场效应晶体管(NiFET)，PiFET和NiFET中的每一个具有源极端子、漏极端子、栅极端子以及PiFET和NiFET中的所述每一者的所述对应导电类型的扩散端子，界定所述源极端子与所述扩散端子之间的源极沟道，以及所述漏极端子与所述扩散端子之间的漏极沟道，所述扩散端子引起贯穿所述源极和漏极沟道的所述扩散电荷密度的改变，并且所述栅极端子电容式耦合到所述源极和漏极沟道；其中，对于每个互补对，所述PiFET的所述栅极端子和所述NiFET的所述栅极端子连接在一起以形成输入，所述NiFET的所述源极端子连接到负电源且所述PiFET的所述源极端子连接到正电源，并且所述NiFET和所述PiFET的所述漏极端子连接在一起以形成输出，并且其中所述至少三个互补对通过将所述至少三个互补对的前一对的所述输出连接到后一对的所述输入而串联连接，其中，对于每个多级放大器，所述第一互补对的所述输入形成输入端子，并且所述最后一个互补对的所述输出形成输出端子；e.第一和第二电容器，所述第一和第二电容器中的每一个具有第一和第二端子，所述第一电容器的所述第二端子连接到所述第一多级放大器的所述输入端子；f.通过控制信号控制的多个开关，其中控制信号反复地在设置相与启动相之间交替；其中所述多级放大器的所述输出端子连接到所述采样保持电压放大器的所述输出端子；其中所述控制信号的所述设置相使得所述多个开关将所述正电压输入端子连接到所述第二电容器的所述第一端子，将所述负电压输入端子连接到所述第二电容器的所述第二端子，通过将所述多级放大器的所述输出端子连接到所述多级放大器的所述输入端子而使所述多级放大器自偏置，并且将所述基准端子连接到所述第一电容器的所述第一端子；其中所述控制信号的所述启动相使得所述第二电容器的所述第一端子与所述多级放大器的所述输出端子耦合，所述第二电容器的所述第二端子连接到所述第一电容器的所述第一端子。11.根据权利要求10所述的采样保持电压放大器，其中在从所述控制信号的所述设置相过渡到所述启动相期间，所述多个开关的在所述设置相期间使得所述多级放大器自偏置且使所述基准连接到所述第一电容器的所述第一端子的对应部分比所述多个开关的使得所述正电压输入端子连接到所述第二电容器的所述第一端子并使所述负电压输入端子连接到所述第二电容器的所述第二端子的另一对应部分更早断开连接。12.一种精确的两倍增益模拟放大器，包括：a.正负电压输入端子，用于接收差分电压输入；b.输出端子，用于输出电压输出；c.输出基准；d.多级放大器，包括：i.至少三个电流场效应晶体管互补对，每对包括p型电流场效应晶体管(PiFET)和n型电流场效应晶体管(NiFET)，PiFET和NiFET中的每一个具有源极端子、漏极端子、栅极端子以及PiFET和NiFET中的所述每一者的所述对应导电类型的扩散端子，界定所述源极端子与所述扩散端子之间的源极沟道，以及所述漏极端子与所述扩散端子之间的漏极沟道，所述扩散端子引起贯穿所述源极和漏极沟道的所述扩散电荷密度的改变；其中，对于每个互补对，所述PiFET的所述栅极端子和所述NiFET的所述栅极端子连接在一起以形成输入，所述NiFET的所述源极端子连接到负电源且所述PiFET的所述源极端子连接到正电源，并且所述NiFET和所述PiFET的所述漏极端子连接在一起以形成输出；并且其中所述至少三个互补对通过将所述至少三个互补对的前一对的所述输出连接到后一对的所述输入而串联连接；其中所述第一互补对的所述输入形成输入端子，所述最后一个互补对的所述输出形成输出端子；e.通过控制信号控制的多个开关，其中所述控制信号在第一相与第二相之间交替；f.偏移电容器，具有第一和第二端子；g.第一和第二电容器，各自具有第一和第二端子；h.能通过所述控制信号操作的多个开关；其中所述偏移电容器的所述第二端子连接到所述多级放大器的所述输入；其中在所述控制信号的所述设置相期间，所述多个开关使得：i.通过将所述多级放大器的所述输出端子连接到所述多级放大器的所述输入而使所述多级放大器自偏置；ii.所述输出基准连接到所述偏移电容器的所述第一端子；iii.通过将所述第一和第二电容器的所述第一端子连接到所述正电压输入端子并将所述第一和第二电容器的所述第二端子连接到所述负电压输入端子而使所述第一和第二电容器并联连接；并且在所述控制信号的所述启动相期间，所述多个开关使得：i.通过将所述多级放大器的所述输出端子连接到所述第一电容器的所述第一端子、将所述第一电容器的所述第二端子连接到所述第二电容器的所述第一端子、将所述第二电容器的所述第二端子连接到所述偏移电容器的所述第一端子，使所述多级放大器的所述输出端子电容式连接到所述多级放大器的所述输入端子。13.一种连续放大器，包括：a.正负电压输入端子，用于接收差分电压输入；b.输出端子；c.通过第一和第二控制信号控制的多个开关，其中每个控制信号反复地在设置相与启动相之间交替，并且所述第一和第二控制信号的相位差为180度；d.第一和第二多级放大器，所述第一和第二多级放大器中的每一个包括：i.至少三个电流场效应晶体管互补对，每对包括p型电流场效应晶体管(PiFET)和n型电流场效应晶体管(NiFET)，PiFET和NiFET中的每一个具有源极端子、漏极端子、栅极端子以及PiFET和NiFET中的所述每一者的所述对应导电类型的扩散端子，界定所述源极端子与所述扩散端子之间的源极沟道，以及所述漏极端子与所述扩散端子之间的漏极沟道，所述扩散端子引起贯穿所述源极和漏极沟道的所述扩散电荷密度的改变，并且所述栅极端子电容式耦合到所述源极和漏极沟道；其中，对于每个互补对，所述PiFET的所述栅极端子和所述NiFET的...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·M·朔贝尔，R·C·朔贝尔，
申请(专利权)人：电路种子有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国,US