具有垂直连接器的集成电路芯片制造技术

技术编号:18179618 阅读:64 留言:0更新日期:2018-06-09 21:46
在所描述实例中,一种集成电路IC芯片(50)可包含具有导电耦合到引线框(56)的互连件的裸片(58),其中所述引线框(56)形成所述IC芯片(50)的给定表面的部分。所述IC芯片(50)还可包含模制在所述裸片(58)及所述引线框(56)上的囊封材料(57)。所述囊封材料(57)可形成所述IC芯片(50)的另一表面。所述IC芯片(50)的所述另一表面与所述IC芯片的所述给定表面相对。所述IC芯片(50)可进一步包含沿基本上垂直于所述IC芯片(50)的所述给定表面的方向延伸穿过所述囊封材料(57)的垂直导线(54),且所述垂直导线(54)突出穿过所述IC芯片(50)的所述另一表面以形成用于所述IC芯片(50)的垂直连接器(52)。所述垂直连接器(52)可耦合到所述裸片(58)上的所述互连件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有垂直连接器的集成电路芯片
本专利技术大体上涉及一种具有垂直连接器的集成电路(IC)芯片,且更具体来说,涉及一种具有由垂直导线形成的垂直连接器的IC芯片。
技术介绍
电子封装(或简称“封装”)可指内建到电子产品(例如集成电路(IC)芯片)中的外壳及保护性特征。电子封装适用于终端产品及组件两者。电子系统的封装必须考虑防止机械损坏、冷却、射频噪音发射、静电放电保护、维护、操作员便利性及成本。半导体封装可为含有一或多个半导体电子组件的金属、塑料、玻璃或陶瓷壳体。在封装中切割及组装之前,通常在硅晶片中蚀刻个别离散组件。封装防止碰撞及腐蚀且耗散装置中产生的热量。扁平无引线封装(例如四边扁平无引线(QFN)、双边扁平无引线(DFN))将IC芯片物理连接且电连接到衬底,例如印刷电路板(PCB)。扁平无引线,也称为微引线框(MLF)及SON(小型无引线),是一种表面安装技术,是在无通孔的情况下将IC连接到PCB的表面的若干封装技术中的一者。扁平无引线是使用平面铜引线框衬底制成的近芯片级封装的塑料囊封封装。封装底部上的外围引线可提供与PCB的电连接。扁平无引线封装包含暴露热焊盘以改善从IC(到PCB中)的热传递。可由热焊盘中的金属通路进一步促进热传递。
技术实现思路
在所描述实例中,一种集成电路(IC)芯片可包含具有导电耦合到引线框的互连件的裸片。所述引线框形成所述IC芯片的给定表面的部分。所述IC芯片还可包含模制在所述裸片及所述引线框上的囊封材料。所述囊封材料可形成所述IC芯片的另一表面。所述IC芯片的所述另一表面与所述IC芯片的所述给定表面相对。所述IC芯片可进一步包含沿基本上垂直于所述IC芯片的所述给定表面的方向延伸穿过所述囊封材料的垂直导线,且所述垂直导线突出穿过所述IC芯片的所述另一表面以形成用于所述IC芯片的垂直连接器。所述垂直连接器可耦合到所述裸片上的所述互连件。另一实例涉及一种可包含IC芯片的电路。所述IC芯片可包含具有导电耦合到引线框的互连件的裸片。所述引线框形成所述IC芯片的给定表面的部分。所述IC芯片还可包含给定垂直导线及另一垂直导线,每一垂直导线沿基本上垂直于所述IC芯片的所述给定表面的方向延伸穿过所述IC芯片的囊封材料。所述给定垂直导线及所述另一垂直导线可在所述IC芯片的另一表面处突出穿过所述囊封材料以形成用于所述IC芯片的相应给定垂直连接器及另一垂直连接器。所述给定垂直连接器及所述另一垂直连接器可耦合到所述裸片的所述互连件上的不同点。所述电路还可包含表面安装技术(SMT)组件,所述SMT组件粘附到所述IC芯片且导电耦合到所述给定垂直连接器及所述另一垂直连接器以在所述裸片的所述互连件上的所述不同点之间形成电流路径。又一实例涉及另一集成电路(IC)芯片。所述IC芯片可包含具有导电耦合到引线框的互连件的裸片。所述引线框形成所述IC芯片的给定表面的部分,且所述裸片可包含面对所述引线框的有源表面。所述IC芯片还可包含模制在所述裸片及所述引线框上的囊封材料。所述囊封材料形成所述IC芯片的另一表面。所述IC芯片的所述另一表面可与所述IC芯片的所述给定表面相对。所述IC芯片可进一步包含沿基本上垂直于所述IC芯片的所述给定表面的方向从所述引线框上的特定引线延伸的垂直导线。所述垂直导线可延伸穿过所述囊封材料以形成垂直连接器。所述引线框的所述特定引线还可耦合到所述IC芯片的互连件。再一实例涉及一种IC芯片,所述IC芯片可包含具有导电耦合到引线框的给定互连件的给定裸片。所述引线框形成所述IC芯片的给定表面的部分。所述IC芯片还可包含具有导电耦合到所述引线框的另一互连件的另一裸片。所述IC芯片可进一步包含模制在所述裸片及所述引线框上的囊封材料,所述囊封材料形成所述IC芯片的另一表面。所述IC芯片的所述另一表面与所述IC芯片的所述给定表面相对。所述IC芯片还可进一步包含沿基本上垂直于所述IC芯片的所述给定表面的方向延伸穿过所述囊封材料的给定垂直导线及另一垂直导线,且所述给定垂直导线及所述另一垂直导线突出穿过所述IC芯片的所述另一表面以形成用于所述IC芯片的相应给定垂直连接器及另一垂直连接器。所述给定垂直连接器可耦合到所述给定裸片上的所述给定互连件,且所述另一垂直连接器可耦合到所述另一裸片上的所述另一互连件。附图说明图1说明具有垂直连接器的集成电路(IC)芯片的实例。图2说明具有垂直连接器的IC芯片的另一实例。图3说明耦合到外部组件的图2的IC芯片的实例。图4说明耦合到外部组件的图2的IC芯片的另一实例。图5说明耦合到外部组件的图2的IC芯片的又一实例。图6说明图5的IC芯片的另一视图。图7说明具有垂直连接器的IC芯片的又一实例。图8说明垂直连接器耦合到外部组件的IC芯片的再一实例。图9说明用于形成IC芯片的膜辅助模具的实例。图10说明IC芯片的多个垂直连接器的图。具体实施方式集成电路(IC)芯片可包含结合膜辅助模具以在IC芯片(或封装)(包含扁平无引线封装,例如四边扁平无引线(QFN)封装或双边扁平无引线(DFN)封装)中形成垂直连接器(例如,垂直连接点)的垂直导线。垂直导线可经由标准导线结合平台(包含带结合技术)而放置且可从IC芯片的裸片表面或从引线框引线延伸,穿过模制化合物,且暴露在与IC芯片的引线框相对的表面处,所述表面可简称为相对表面(或“顶部”表面)。此外,可将焊球或焊膏施加到暴露导线,从而使更大面积能够用于表面安装技术(SMT)。而且,在一些实例中,这个焊膏或焊球可为无铅(Pb)的(例如导电环氧树脂),由此降低二次回流过程的影响。在形成垂直连接器之后,可通过在制造IC芯片时或在另一装置中安装IC芯片时使用表面安装技术(SMT)技术而将所要组件(或多个组件)粘附到IC芯片的相对侧。图1说明IC芯片50的实例,其可用以实施垂直连接器52(例如,垂直连接点)以将外部组件连接到IC芯片50。垂直连接器52可为垂直导线54的组件,所述垂直导线54沿远离引线框56的方向延伸且从IC芯片50的囊封材料57的相对表面突出以形成垂直连接器52。如本文中所使用,术语“垂直导线”(包含垂直导线54)表示沿相对于形成IC芯片50的表面(例如,IC芯片50的“底部”表面)的引线框56的表面正交(例如,垂直)的方向延伸的导线。IC芯片50的引线框56可将来自裸片58上的互连件上的点的信号载送到在IC芯片50外部的组件。引线框56可由金属(例如铜或金)形成。裸片58可形成为制造IC芯片50的给定功能电路的半导体材料块(例如,硅)。在一些实例中,垂直导线54可直接导电连接到裸片58。在其它实例中,垂直导线54可经由导线结合或引线框56上的引线导电耦合到裸片58。图2说明可用以实施图1的IC芯片50的IC芯片100的实例。IC芯片100包含具有垂直连接器104的垂直导线102,所述垂直连接器104延伸超出IC芯片100的囊封材料106的边界。举例来说,囊封材料106可为塑料或类似的惰性且非导电材料。IC芯片100的给定表面105(例如,“底部”)可包含引线框108。因此,引线框108可形成给定表面105或其某个部分。在图2中所说明的实例中,引线框108是由多个部分形成。在图2中所说明的实例中,引线框108包含暴露裸片焊盘110及引线本文档来自技高网...
具有垂直连接器的集成电路芯片

【技术保护点】
一种集成电路IC芯片,其包括:裸片,其具有导电耦合到引线框的互连件,其中所述引线框形成所述IC芯片的给定表面的部分;囊封材料,其模制在所述裸片及所述引线框上,所述囊封材料形成所述IC芯片的另一表面,其中所述IC芯片的所述另一表面与所述IC芯片的所述给定表面相对;及垂直导线,其沿基本上垂直于所述IC芯片的所述给定表面的方向延伸穿过所述囊封材料,且所述垂直导线突出穿过所述IC芯片的所述另一表面以形成用于所述IC芯片的垂直连接器,其中所述垂直连接器耦合到所述裸片上的所述互连件。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.12.31 US 14/985,9471.一种集成电路IC芯片,其包括:裸片,其具有导电耦合到引线框的互连件,其中所述引线框形成所述IC芯片的给定表面的部分;囊封材料,其模制在所述裸片及所述引线框上,所述囊封材料形成所述IC芯片的另一表面,其中所述IC芯片的所述另一表面与所述IC芯片的所述给定表面相对;及垂直导线,其沿基本上垂直于所述IC芯片的所述给定表面的方向延伸穿过所述囊封材料,且所述垂直导线突出穿过所述IC芯片的所述另一表面以形成用于所述IC芯片的垂直连接器,其中所述垂直连接器耦合到所述裸片上的所述互连件。2.根据权利要求1所述的IC芯片,其中所述裸片的有源侧背对所述IC芯片的所述给定侧。3.根据权利要求2所述的IC芯片,其中所述IC芯片是扁平无引线IC芯片。4.根据权利要求2所述的IC芯片,其中所述垂直导线从所述引线框的引线延伸。5.根据权利要求4所述的IC芯片,其中导线结合将所述裸片的所述互连件耦合到所述引线框的所述引线。6.根据权利要求2所述的IC芯片,其中所述裸片热耦合到沿所述IC芯片的所述给定表面延伸的暴露裸片焊盘。7.根据权利要求1所述的IC芯片,其中所述垂直导线从所述裸片的所述互连件延伸。8.根据权利要求1所述的IC芯片,其中外部组件耦合到所述垂直连接器。9.根据权利要求8所述的IC芯片,其中所述垂直连接器耦合到横杆及后退部分以形成高功率连接器。10.根据权利要求9所述的IC芯片,其中所述高功率连接器呈U形。11.根据权利要求9所述的IC芯片,其中所述高功率连接器是由带结合形成。12.根据权利要求1所述的IC芯片,其中所述垂直导线是给定垂直导线,且所述垂直连接器是给定垂直连接器,所述IC芯片进一步包括:另一垂直导线,其沿基本上垂直于所述IC芯片的所述给定表面的方向延伸穿过所述囊封材料,且所述另一垂直导线突出穿过所述IC芯片的所述另一表面以形成用于所述IC芯片的另一垂直连接器,其中所述另一垂直连接器耦合到所述裸片上的所述互连件。13.根据权利要求12所述的IC芯片,其中在所述IC芯片外部的电路组件耦合到所述给定垂直导线及所述另一垂直导线。14.根据权利要求13所述的IC芯片,其中所述外部组件是无源电感器。15.根据权利要求1所述的IC芯片,其中所述裸片的有源侧面对所述IC芯片的所述给定侧。16.根据权利要求15所述的IC芯片,其中所述引线框的引线耦合到所述裸片的所述互连件且耦合到所述垂直...

【专利技术属性】
技术研发人员:A·M·卡斯特罗史蒂文·库默尔
申请(专利权)人:德州仪器公司
类型:发明
国别省市:美国,US

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