一种模组结构及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种模组结构及其制作方法，该模组结构，包括：基底、至少一个无源器件、至少两个金属柱和至少一个芯片；至少一个无源器件、至少两个金属柱和至少一个芯片位于基底的同一侧，无源器件位于基底与金属柱和芯片所在膜层之间；芯片在基底上的垂直投影与金属柱在基底上的垂直投影构成的线段或图形存在交叠区域；无源器件在基底上的垂直投影与金属柱在基底上的垂直投影构成的线段或图形存在交叠区域；和/或，无源器件在基底上的垂直投影与芯片在基底上的垂直投影存在交叠区域。本发明专利技术提供的技术方案，减小了模组结构的面积，提高了模组结构的空间利用率，有利于实现模组结构高度集成化的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种模组结构及其制作方法
本专利技术实施例涉及集成电路模组技术，尤其涉及一种模组结构及其制作方法。
技术介绍
随着电子产品的日益发展，各类元器件的研发都朝着高集成化、多功能的方向发展，因此，对集成器件的集成电路模组结构的要求也在日益提高。在集成电路的模组结构中会存在多种元件，例如，功放、低噪放、开关、声波滤波器等芯片和电容、电感等无源器件，一般情况下，这些元件均平铺在模组结构的基底上，这些平铺设置的元件会增大模组结构的面积，使集成电路模组结构的空间利用率较低，不利于实现集成电路模组结构的高度集成化。
技术实现思路
本专利技术提供一种模组结构及其制作方法，以降低模组结构的面积，提高模组结构的空间利用率，以实现模组结构高度集成化的目的。第一方面，本专利技术实施例提出一种模组结构，包括：基底、至少一个无源器件、至少两个金属柱和至少一个芯片；所述至少一个无源器件、至少两个金属柱和至少一个芯片位于所述基底的同一侧，所述至少一个无源器件位于所述基底与所述至少两个金属柱和所述至少一个芯片所在膜层之间；所述至少一个芯片在所述基底上的垂直投影与所述至少两个金属柱在所述基底上的垂直投影构成的线段或图形存在交叠区域；所述至少一个无源器件在所述基底上的垂直投影与所述至少两个金属柱在所述基底上的垂直投影构成的线段或图形存在交叠区域；和/或，所述至少一个无源器件在所述基底上的垂直投影与所述至少一个芯片在所述基底上的垂直投影存在交叠区域。可选的，单个所述金属柱形成电感或者至少部分所述金属柱之间相互电连接形成电感线圈。可选的，所述的模组结构，还包括：第一介电层，所述第一介电层覆盖或包裹所述无源器件；第二介电层，所述第二介电层位于所述第一介电层远离所述基底的一侧，所述第二介电层远离所述基底一侧的表面与所述金属柱远离所述基底一侧的表面平齐，或者所述第二介电层远离所述基底一侧的表面低于或高于所述金属柱远离所述基底一侧的表面；第三介电层，所述第三介电层位于所述第二介电层远离所述基底的一侧，所述第三介电层覆盖所述第二介电层。可选的，所述无源器件包括电容、电阻或者电感之间的至少一种。可选的，所述的模组结构，还包括：位于所述第一介电层远离所述基底一侧的第一连接层；位于所述第二介电层远离所述基底一侧的第二连接层。可选的，所述第一介电层中形成有第一过孔，所述第一过孔中形成有第一导电材料，所述无源器件与所述金属柱和/或所述芯片通过所述第一导电材料及所述第一连接层电连接；所述第二介电层中形成有第二过孔，所述第二过孔中形成有第二导电材料，所述金属柱与所述芯片通过所述第二导电材料及所述第二连接层电连接。可选的，所述芯片包括至少一个接口，所述接口位于所述芯片靠近所述基底一侧的表面或远离所述基底一侧的表面。可选的，所述接口位于所述芯片远离所述基底一侧的表面时，所述模组结构还包括：支撑层，所述支撑层位于所述芯片与所述基底之间，用于减小所述接口与所述金属柱远离所述基底一侧的端面之间的垂直距离。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种模组结构的制作方法，包括：提供基底；在所述基底上设置至少一个无源器件；在所述至少一个无源器件远离所述基底的一侧设置至少两个金属柱和至少一个芯片；其中，所述至少一个芯片在所述基底上的垂直投影与所述至少两个金属柱在所述基底上的垂直投影构成的线段或图形存在交叠区域；所述至少一个无源器件在所述基底上的垂直投影与所述至少两个金属柱在所述基底上的垂直投影构成的线段或图形存在交叠区域；和/或，所述至少一个无源器件在所述基底上的垂直投影与所述至少一个芯片在所述基底上的垂直投影存在交叠区域。可选的，在所述至少一个无源器件远离所述基底的一侧设置至少两个金属柱和至少一个芯片，包括：在所述基底靠近所述无源器件的一侧形成第一介电层，所述第一介电层覆盖或包裹所述无源器件，所述第一介电层中形成有第一过孔，所述第一过孔中形成有第一导电材料；在所述第一介电层远离所述无源器件的一侧设置至少两个金属柱和至少一个芯片。本专利技术实施例提供了一种模组结构及其制作方法，该模组结构包括：基底、至少一个无源器件、至少两个金属柱和至少一个芯片；至少一个无源器件、至少两个金属柱和至少一个芯片位于基底的同一侧，无源器件位于基底与金属柱和芯片所在膜层之间；芯片在基底上的垂直投影与金属柱在基底上的垂直投影构成的线段或图形存在交叠区域；无源器件在基底上的垂直投影与金属柱在基底上的垂直投影构成的线段或图形存在交叠区域；和/或，无源器件在基底上的垂直投影与芯片在基底上的垂直投影存在交叠区域。本专利技术提供的技术方案，通过将无源器件设置在基底与芯片和金属柱所在膜层之间，以实现无源器件与其他元件之间的三维堆叠，而不是平铺设置，以降低模组结构的面积，并且将芯片设置在金属柱之间，使芯片与金属柱构成嵌套结构，可以提高模组结构的空间利用率，有利于实现模组结构高度集成化的目的。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。图1是本专利技术实施例一提供的一种模组结构的结构示意图；图2是本专利技术实施例一提供的一种金属柱连接的结构示意图；图3是本专利技术实施例一提供的另一种模组结构的结构示意图；图4是本专利技术实施例一提供的又一种模组结构的结构示意图；图5是本专利技术实施例二提供的一种模组结构的制作方法的流程图；图6是本专利技术实施例三提供的一种模组结构的制作方法的流程图；图7-图13是利用图6中提供的模组结构的制作方法制作模组结构时，模组结构各个状态的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。实施例一图1是本专利技术实施例一提供的一种模组结构的结构示意图。参见图1，该模组结构，包括：基底1、至少一个无源器件2、至少两个金属柱3和至少一个芯片4；至少一个无源器件2、至少两个金属柱3和至少一个芯片4位于基底1的同一侧，至少一个无源器件2位于基底1与至少两个金属柱3和至少一个芯片4所在膜层之间；至少一个芯片4在基底1上的垂直投影与至少两个金属柱3在基底1上的垂直投影构成的线段或图形存在交叠区域；至少一个无源器件2在基底1上的垂直投影与至少两个金属柱2在基底1上的垂直投影构成的线段或图形存在交叠区域，和至少一个无源器件2在基底1上的垂直投影与至少一个芯片4在基底1上的垂直投影存在交叠区域。可以理解的是，在图1中，无源器件2在基底1上的垂直投影与金属柱3在基底1上的垂直投影构成的线段或图形和芯片4在基底1上垂直投影均存在交叠区域，仅是本专利技术的一种具体示例，而非对本申请的限制。可选地，无源器件2在基底1上的垂直投影可以只与金属柱2在基底1上的垂直投影构成的线段或图形存在交叠区域，或者只与芯片4在基底1上的垂直投影存在交叠区域。其中，无源器件2位于基底1与金属柱3和芯片4所在膜层之间，并且在基底1上的垂直投影与金属柱3在基底1上的垂直投影构成的线段或图形，和/或芯片4在基底1上垂直投影存在交叠区域，可以使无源器件2与金属柱3和芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种模组结构，其特征在于，包括：基底、至少一个无源器件、至少两个金属柱和至少一个芯片；所述至少一个无源器件、至少两个金属柱和至少一个芯片位于所述基底的同一侧，所述至少一个无源器件位于所述基底与所述至少两个金属柱和所述至少一个芯片所在膜层之间；所述至少一个芯片在所述基底上的垂直投影与所述至少两个金属柱在所述基底上的垂直投影构成的线段或图形存在交叠区域；所述至少一个无源器件在所述基底上的垂直投影与所述至少两个金属柱在所述基底上的垂直投影构成的线段或图形存在交叠区域；和/或，所述至少一个无源器件在所述基底上的垂直投影与所述至少一个芯片在所述基底上的垂直投影存在交叠区域。

【技术特征摘要】
1.一种模组结构，其特征在于，包括：基底、至少一个无源器件、至少两个金属柱和至少一个芯片；所述至少一个无源器件、至少两个金属柱和至少一个芯片位于所述基底的同一侧，所述至少一个无源器件位于所述基底与所述至少两个金属柱和所述至少一个芯片所在膜层之间；所述至少一个芯片在所述基底上的垂直投影与所述至少两个金属柱在所述基底上的垂直投影构成的线段或图形存在交叠区域；所述至少一个无源器件在所述基底上的垂直投影与所述至少两个金属柱在所述基底上的垂直投影构成的线段或图形存在交叠区域；和/或，所述至少一个无源器件在所述基底上的垂直投影与所述至少一个芯片在所述基底上的垂直投影存在交叠区域。2.根据权利要求1所述的模组结构，其特征在于，单个所述金属柱形成电感或者至少部分所述金属柱之间相互电连接形成电感线圈。3.根据权利要求1所述的模组结构，其特征在于，还包括：第一介电层，所述第一介电层覆盖或包裹所述无源器件；第二介电层，所述第二介电层位于所述第一介电层远离所述基底的一侧，所述第二介电层远离所述基底一侧的表面与所述金属柱远离所述基底一侧的表面平齐，或者所述第二介电层远离所述基底一侧的表面低于或高于所述金属柱远离所述基底一侧的表面；第三介电层，所述第三介电层位于所述第二介电层远离所述基底的一侧，所述第三介电层覆盖所述第二介电层。4.根据权利要求1所述的模组结构，其特征在于，所述无源器件包括电容、电阻或者电感之间的至少一种。5.根据权利要求3所述的模组结构，其特征在于，还包括：位于所述第一介电层远离所述基底一侧的第一连接层；位于所述第二介电层远离所述基底一侧的第二连接层。6.根据权利要求5所述的模组结构，其特征在于，所述第一介电层中形成有第一过孔，所述第一过孔中...

【专利技术属性】
技术研发人员：何军，其他发明人请求不公开姓名，
申请(专利权)人：安徽安努奇科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34