一种引脚改良的八角场效应管制造技术

本实用新型专利技术涉及场效应管技术领域，具体涉及一种引脚改良的八角场效应管，包括芯片、与芯片连接的第一引脚及第二引脚、包覆芯片的壳体，所述第一引脚及第二引脚间隔设置，所述第一引脚包括弧形部和固定于弧形部底部的第一焊接部，本实用新型专利技术通过设置第一引脚和第二引脚，第一引脚包括弧形部和第一焊接部，一方面在晶体管体积不变的情况下加大了第一引脚与第二引脚的间距，避免短路风险；另一方面设计为弧形部，方便引脚通电后的热应力吸收，大大减少了晶体管使用过程中的引脚脱落的现象，延长了晶体管的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种引脚改良的八角场效应管
本技术涉及场效应管
，具体涉及一种引脚改良的八角场效应管。
技术介绍
八脚场效应管广泛应用于笔记本电脑及液晶高压板上。随着笔记本电脑及液晶高压板轻量化、小型化、轻薄化，要求场效应管的体积越来越小，然而体积小会引起引脚之间的间距变小，进而引起短路及焊接不便的问题。
技术实现思路
为了克服现有技术中存在的缺点和不足，本技术的目的在于提供一种结构简单，成本低的引脚改良的八角场效应管。本技术的目的通过下述技术方案实现：一种引脚改良的八角场效应管，包括芯片、与芯片连接的第一引脚及第二引脚、包覆芯片的壳体，所述第一引脚及第二引脚间隔设置，所述第一引脚包括弧形部和固定于弧形部底部的第一焊接部。进一步的，所述第二引脚为直引脚。进一步的，所述第二引脚包括缓冲部和固定连接于缓冲部底部的第二焊接部，所述缓冲部为螺旋形。进一步的，所述缓冲部的长度为3-6毫米，所述第二焊接部的长度为5-10毫米。进一步的，所述第一引脚、第二引脚均包括无氧铜芯及电镀于铜芯表面的锡层。进一步的，所述锡层的厚度为30-60微米。进一步的，所述锡层的厚度为50微米。进一步的，所述弧形部的弧度为30-120°。进一步的，所述弧形部的弧度为90°。本技术的有益效果在于：本技术通过设置第一引脚和第二引脚，第一引脚包括弧形部和第一焊接部，一方面在晶体管体积不变的情况下加大了第一引脚与第二引脚的间距，避免短路风险；另一方面设计为弧形部，方便引脚通电后的热应力吸收，大大减少了晶体管使用过程中的引脚脱落的现象，延长了晶体管的使用寿命。附图说明图1是本技术的侧视图；图2是本技术的立体图。附图标记为：1-壳体；2-第一引脚；3-第二引脚；21-弧形部；22-第一焊接部；31-缓冲部；32-第二焊接部。具体实施方式为了便于本领域技术人员的理解，下面结合实施例及附图1-2对本技术作进一步的说明，实施方式提及的内容并非对本技术的限定。请参阅附图1-2，一种引脚改良的八角场效应管，包括芯片、包覆芯片的壳体1、与芯片连接的第一引脚2及第二引脚3，所述第一引脚2及第二引脚3间隔设置，所述第一引脚2包括弧形部21和固定于弧形部21底部的第一焊接部22。本技术通过设置第一引脚2和第二引脚3，第一引脚2包括弧形部21和第一焊接部22，一方面在晶体管体积不变的情况下加大了第一引脚2与第二引脚3的间距，避免短路风险；另一方面设计为弧形部21，方便引脚通电后的热应力吸收，大大减少了晶体管使用过程中的引脚脱落的现象，延长了晶体管的使用寿命。进一步的，所述第二引脚3为直引脚。本技术通过将第二引脚3设为直引脚，保证间隔设置的第一引脚2与第二引脚3的距离，避免短路发生及增加了焊接的操作空间，进而减少焊接的难度。进一步的，所述第二引脚3包括缓冲部31和固定连接于缓冲部31底部的第二焊接部32，所述缓冲部31为螺旋形。本技术通过将第二引脚3设为螺旋形的缓冲部31和第二焊接部32，一方面可缓冲在焊接过程中由于焊球大小的差异引起焊接长度的差异，进而保证焊接到电路板的各引线的长度相同，使得各引脚受力相同，有效减少了引脚脱落与裂开的可能性。进一步的，所述缓冲部31的长度为3-6毫米，所述第二焊接部32的长度为5-10毫米。本技术通过将螺旋形的长度为3-6毫米，既能有效缓冲引脚长度，又节约材料，有效控制成本。进一步的，所述第一引脚2、第二引脚3均包括无氧铜芯及电镀于铜芯表面的锡层。进一步的，所述锡层的厚度为30-60微米。本技术通过在铜芯表面镀锡层，能增加引脚的抗氧化性，通过可靠性试验验证，将锡层的厚度设为30-60微米，既能有效保护引脚改良晶体管，在电镀此晶体管的引脚时，锡层的厚度更均匀。进一步的，所述锡层的厚度为50微米。进一步的，所述弧形部21的弧度为30-120°。本技术通过将弧形部21的弧度设为30-120°，在保证晶体管体积不变的情况下增加各引脚的距离，另外，弧度为30-120°的弧形部21不易裂开且容易电镀均匀厚度。进一步的，所述弧形部21的弧度为90°。上述实施例为本技术较佳的实现方案，除此之外，本技术还可以其它方式实现，在不脱离本技术构思的前提下任何显而易见的替换均在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种引脚改良的八角场效应管，其特征在于：包括芯片、与芯片连接的第一引脚及第二引脚、包覆芯片的壳体，所述第一引脚及第二引脚间隔设置，所述第一引脚包括弧形部和固定于弧形部底部的第一焊接部。

【技术特征摘要】
1.一种引脚改良的八角场效应管，其特征在于：包括芯片、与芯片连接的第一引脚及第二引脚、包覆芯片的壳体，所述第一引脚及第二引脚间隔设置，所述第一引脚包括弧形部和固定于弧形部底部的第一焊接部。2.根据权利要求1所述的一种引脚改良的八角场效应管，其特征在于：所述第二引脚为直引脚。3.根据权利要求2所述的一种引脚改良的八角场效应管，其特征在于：所述第二引脚包括缓冲部和固定连接于缓冲部底部的第二焊接部，所述缓冲部为螺旋形。4.根据权利要求3所述的一种引脚改良的八角场效应管，其特征在于：所述缓冲部的长度为3-6毫米，所述第二焊接...

【专利技术属性】
技术研发人员：龙立，
申请(专利权)人：广东瑞森半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44