一种湿法黑硅扩散后返工片返工的方法技术

技术编号:18085868 阅读:234 留言:0更新日期:2018-05-31 14:32
本发明专利技术要解决的技术问题是,提供一种返工工艺流程简单、易操作、经过的工序较少、损耗低及返工后成品不良较少的湿法黑硅扩散后返工片返工的方法;1)返工刻蚀:将湿法黑硅扩散后返工片采用刻蚀法去除原扩散面的脏污、发蓝、黑点等外观不良及扩散面氧化层和P‑N结;所述刻蚀用的混合液为氢氟酸、硝酸和水组成的混合液,且混合液中的体积比为氢氟酸:硝酸:水=3~5:16~20:3,所述氢氟酸的浓度为45%~50%,所述硝酸的浓度为50%~55%,并将湿法黑硅扩散后返工片减重控制在0.1~0.15g;2)扩散:返回到原先的扩散工序进行扩散处理;3)从正常产线流程的刻蚀工序开始进入到正常产线流程中处理即可。

【技术实现步骤摘要】
一种湿法黑硅扩散后返工片返工的方法
本专利技术涉及晶硅电池太阳能电池生产
,更确切地说涉及一种湿法黑硅扩散后返工片返工的方法。
技术介绍
随着光伏行业的发展和技术的不断创新,湿法黑硅技术已经实现量产化,但在湿法黑硅技术日益成熟和量产化过程中,如图1所示,湿法黑硅扩散后返工流程主要是:如公告号为CN106057967A,名称为一种RIE黑硅电池返工方法公开的先通过先利用氢氟酸浸泡清洗返工片表面的氧化层后,再利用HNO3、HF和去离子水的混合溶液去除表面硅后,随后返回到湿法制绒工序进行再次制绒,再返回扩散、刻蚀、镀膜、丝网的返工方法进行返工的,但是该返工工艺方法流程繁琐且所经过的工序也比较多导致返工损耗很高,且此类返工湿法制绒药液需要从新按返工配比工艺从新配液,较大程度上影响了湿法制绒工序的产能,在湿法制绒返工片清洗是在原有绒面的基础上再次进行湿法制绒,这样在绒面反射率的控制上和绒面外观上很难控制导致返工片返工处理后不良比例较高,同时在扩散后的刻蚀也需特定的刻蚀工艺“对所述RIE黑硅片的表面进行反应离子刻蚀的反应条件为:利用氯气、氧气和六氟化硫混合气体在高频电源的激发下生成的等离子体气体对所述N型硅片衬底的上下表面进行反应离子刻蚀;所述氯气的流量范围为200-1000sccm,氧气的流量为500-2000sccm,六氟化硫的流量范围为200-1000sccm,压力范围为10-15pa,高频电源的功率范围为15-30kw,刻蚀时间范围为10-500s。”,否则不良比例将更高,但这个刻蚀工艺操作较繁琐、能耗较高。故现有技术整个返工工艺存在工艺较复杂,工序较多,操作较繁琐及损耗较高的问题。本专利技术有效地解决了以上技术难题,返工工艺流程简单、易操作,经过的工序较少,损耗低,返工后成品不良较少,且可当班处理。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是,提供一种返工工艺流程简单、易操作、经过的工序较少、损耗低及返工后成品不良较少的湿法黑硅扩散后返工片返工的方法。本专利技术的技术解决方案是,提供一种具有以下结构的湿法黑硅扩散后返工片返工的方法,它包括以下步骤:1)返工刻蚀:将湿法黑硅扩散后返工片采用刻蚀法去除原扩散面的脏污、发蓝、黑点等外观不良及扩散面氧化层和P-N结;所述刻蚀用的混合液为氢氟酸、硝酸和水组成的混合液,且混合液中的体积比为氢氟酸:硝酸:水=3~5:16~20:3,所述氢氟酸的浓度为45%~50%,所述硝酸的浓度为50%~55%,并将湿法黑硅扩散后返工片减重控制在0.1~0.15g;2)扩散:返回到原先的扩散工序进行扩散处理;3)从正常产线流程的刻蚀工序开始进入到正常产线流程中处理即可。作为优选,所述混合液中的体积比为氢氟酸:硝酸:水=3~4:18~20:3。作为更优选,所述混合液中的体积比为氢氟酸:硝酸:水=3.5:19:3。作为优选,所述氢氟酸的浓度为48%。作为优选,所述硝酸的浓度为52%。作为优选,在步骤1)中处理时,刻蚀槽的进料速度控制在0.8~3.8m/min;刻蚀槽中氢氟酸的补充原则为每过30片湿法黑硅扩散后返工片后补充100~140ml,硝酸的补充原则为每过30片湿法黑硅扩散后返工片后补充300~400ml;温度控制在16±2.0℃。作为更优选,所述刻蚀槽的进料速度控制在1.0~2.8m/min;刻蚀槽中氢氟酸的补充原则为每过30片湿法黑硅扩散后返工片后补充120ml,硝酸的补充原则为每过30片湿法黑硅扩散后返工片后补充350ml;温度控制在16±2.0℃。作为优选,所述步骤2)中扩散处理时,方阻控制在85~105Ω。采用以上方法后,与现有技术相比,本专利技术具有以下优点:首先省去了原先工艺中的酸洗和制绒工艺,也就不需要特别制定制绒液,大幅缩短了加工周期,减少了生产过程中的损耗;其次本专利技术刻蚀液的刻蚀法不但去除原扩散面的脏污、发蓝、黑点等外观不良及扩散面氧化层和P-N结,还去除了扩散面外观不良及氧化层和P-N结,可有效利用外观、绒面正常的非扩散面,使得处理后湿法黑硅返工片扩散后可返回原扩散工序进行扩散处理,而扩散后的即可进入到正常湿法黑硅片的生产中处理即可,故返工工艺流程简单,易操作,经过的工序较少,损耗低,返工后成品不良较少,且可当班处理。附图说明图1为现有技术的湿法黑硅扩散后返工片返工的方法的工艺流程图。图2为本专利技术的湿法黑硅扩散后返工片返工的方法的工艺流程图。具体实施方式以下是本专利技术的具体实施例并结合附图,对本专利技术的技术方案作进一步的描述,但本专利技术并不限于这些实施例。如图2所示为本专利技术的湿法黑硅扩散后返工片返工的方法的工艺流程图。实施例一本专利技术的一种湿法黑硅扩散后返工片返工的方法,它包括以下步骤:1)返工刻蚀:将湿法黑硅扩散后返工片采用刻蚀法去除原扩散面的脏污、发蓝、黑点等外观不良及扩散面氧化层和P-N结;所述刻蚀用的混合液为氢氟酸、硝酸和水组成的混合液,且混合液中的体积比为氢氟酸:硝酸:水=3.5:19:3,所述氢氟酸的浓度为48%,所述硝酸的浓度为52%,并将湿法黑硅扩散后返工片减重控制在0.1~0.15g;2)扩散:返回到原先的扩散工序进行扩散处理;3)从正常产线流程的刻蚀工序开始进入到正常产线流程中处理即可。在步骤1)中处理时,所述刻蚀槽的进料速度控制在1.0~2.8m/min;刻蚀槽中氢氟酸的补充原则为每过30片湿法黑硅扩散后返工片后补充120ml,硝酸的补充原则为每过30片湿法黑硅扩散后返工片后补充350ml;温度控制在16±2.0℃。所述步骤2)中扩散处理时,方阻控制在85~105Ω。实施例二一种湿法黑硅扩散后返工片返工的方法,它包括以下步骤:1)返工刻蚀:将湿法黑硅扩散后返工片采用刻蚀法去除原扩散面的脏污、发蓝、黑点等外观不良及扩散面氧化层和P-N结;所述刻蚀用的混合液为氢氟酸、硝酸和水组成的混合液,且混合液中的体积比为氢氟酸:硝酸:水=5:16:3,所述氢氟酸的浓度为45%,所述硝酸的浓度为55%,并将湿法黑硅扩散后返工片减重控制在0.1~0.15g;2)扩散:返回到原先的扩散工序进行扩散处理;3)从正常产线流程的刻蚀工序开始进入到正常产线流程中处理即可。在步骤1)中处理时,刻蚀槽的进料速度控制在0.8~2.6m/min;刻蚀槽中氢氟酸的补充原则为每过30片湿法黑硅扩散后返工片后补充100ml,硝酸的补充原则为每过30片湿法黑硅扩散后返工片后补充300ml;温度控制在16±2.0℃。所述步骤2)中扩散处理时,方阻控制在85~105Ω。实施例三一种湿法黑硅扩散后返工片返工的方法,它包括以下步骤:1)返工刻蚀:将湿法黑硅扩散后返工片采用刻蚀法去除原扩散面的脏污、发蓝、黑点等外观不良及扩散面氧化层和P-N结;所述刻蚀用的混合液为氢氟酸、硝酸和水组成的混合液,且混合液中的体积比为氢氟酸:硝酸:水=3:20:3,所述氢氟酸的浓度为50%,所述硝酸的浓度为50%,并将湿法黑硅扩散后返工片减重控制在0.1~0.15g;2)扩散:返回到原先的扩散工序进行扩散处理;3)从正常产线流程的刻蚀工序开始进入到正常产线流程中处理即可。在步骤1)中处理时,刻蚀槽的进料速度控制在2.0~3.8m/min;刻蚀槽中氢氟酸的补充原则为每过30片湿法黑硅扩散后返工片后补充140ml,硝酸的补充原则为每本文档来自技高网
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一种湿法黑硅扩散后返工片返工的方法

【技术保护点】
一种湿法黑硅扩散后返工片返工的方法,其特征在于:它包括以下步骤:1)返工刻蚀:将湿法黑硅扩散后返工片采用刻蚀法去除原扩散面的脏污、发蓝、黑点等外观不良及扩散面氧化层和P‑N结;所述刻蚀用的混合液为氢氟酸、硝酸和水组成的混合液,且混合液中的体积比为氢氟酸:硝酸:水=3~5:16~20:3,所述氢氟酸的浓度为45%~50%,所述硝酸的浓度为50%~55%,并将湿法黑硅扩散后返工片减重控制在0.1~0.15g;2)扩散:返回到原先的扩散工序进行扩散处理;3)从正常产线流程的刻蚀工序开始进入到正常产线流程中处理即可。

【技术特征摘要】
1.一种湿法黑硅扩散后返工片返工的方法,其特征在于:它包括以下步骤:1)返工刻蚀:将湿法黑硅扩散后返工片采用刻蚀法去除原扩散面的脏污、发蓝、黑点等外观不良及扩散面氧化层和P-N结;所述刻蚀用的混合液为氢氟酸、硝酸和水组成的混合液,且混合液中的体积比为氢氟酸:硝酸:水=3~5:16~20:3,所述氢氟酸的浓度为45%~50%,所述硝酸的浓度为50%~55%,并将湿法黑硅扩散后返工片减重控制在0.1~0.15g;2)扩散:返回到原先的扩散工序进行扩散处理;3)从正常产线流程的刻蚀工序开始进入到正常产线流程中处理即可。2.根据权利要求1所述的湿法黑硅扩散后返工片返工的方法,其特征在于:所述混合液中的体积比为氢氟酸:硝酸:水=3~4:18~20:3。3.根据权利要求2所述的湿法黑硅扩散后返工片返工的方法,其特征在于:所述混合液中的体积比为氢氟酸:硝酸:水=3.5:19:3。4.根据权利要求1所述的湿法黑硅扩散后返工片返工的方法,其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员:何长春仇杰葛竖坚何梅
申请(专利权)人:东方日升新能源股份有限公司
类型:发明
国别省市:浙江,33

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