参考电压下降起始温度点可调电路及LED恒流驱动电源芯片制造技术

本发明专利技术提供一种参考电压下降起始温度点可调电路及LED恒流驱动电源芯片，所述可调节参考电压下降起始温度点的电路包括：初始电压生成模块；设定电压生成模块，包括第一电流源及第一电阻；所述第一电流源与所述第一电阻串联，所述第一电流源远离所述第一电阻的一端与电源电压相连接，所述第一电阻远离所述第一电流源的一端接地；第一比较电压生成模块；参考电压生成模块。本发明专利技术的参考电压下降起始温度点可调电路可以通过改变第一电阻的阻值，即可在保证参考电压随温度上升而下降的曲线斜率不变的前提下改变参考电压随温度上升而下降的起始温度点。

【技术实现步骤摘要】
参考电压下降起始温度点可调电路及LED恒流驱动电源芯片
本专利技术属于电路设计
，特别是涉及一种参考电压下降起始温度点可调电路及LED恒流驱动电源芯片。
技术介绍
照明LED灯具中，恒流驱动电源为LED灯串提供稳定的驱动电流，在中、低温度范围内，此驱动电流保持恒定，不随温度变化而变化，以保证LED持续稳定的亮度。LED光源和驱动电源自身所消耗的功率会转变成热量，使得照明LED灯具温度升高。在过高的温度条件下，LED光源和驱动电源的使用寿命将会大大缩短，甚至烧毁。因此，当温度过高时，随着温度的持续升高，恒流驱动电源需要降低输出到LED的电流，即降低照明系统的功率消耗，以保证LED和驱动电源不会因过高的温度而受到损坏，从而保证照明系统应用的长期可靠性。为减小照明LED驱动电源的尺寸，提高电源功率密度，恒流驱动电源主体电路通常集成于集成电路芯片中。集成在芯片内部的高温降电流电路检测芯片内部温度，当温度过高时随着温度的持续升高而降低输出电流，一般起始降温点由芯片内部设定，在芯片外部无法进行设定。由于各种LED照明灯具具有不同的外形和结构，其散热效果各不相同，相同驱动电源应用于不同的灯具，在输出相同功率时，驱动电源芯片内部温度有较大差异，这样随着环境温度升高，LED灯所表现出来的降低功率的起始环境温度点有很大不同。通常照明LED恒流驱动电源输出电流以驱动电源芯片内部的参考电压为基准来产生，输出电流的大小由芯片内部参考电压决定，内部参考电压高则驱动电源输出电流大，芯片自身消耗功率也大，外部环境到芯片内部的温差大，即芯片温升高，反之，参考电压低则驱动电源输出电流小，芯片自身功耗也小，芯片温升低。现有照明LED恒流驱动电源芯片，芯片内部所集成的高温降电流电路，检测芯片内部温度，在芯片温度过高时，随着温度持续升高而降低芯片内部参考电压，从而降低输出电流，进而降低芯片自身以及LED灯具的温度。照明LED灯具中，恒流驱动电源为LED灯串提供恒定的驱动电流，如图1所示，以保证LED持续稳定的亮度。在过高温度条件下，随着温度的继续升高，恒流驱动电源需要降低输出到LED的电流，如图2所示，即降低照明系统的功率消耗，以保证LED和驱动电源不会因过高的温度而受到损坏，从而保证照明系统应用的长期可靠性。目前照明LED恒流驱动电源芯片，高温降电流电路检测芯片内部温度，其内部参考电压随着温度升高而降低，输出电流也就随温度升高而降低，但是内部参考电压高温下降的起始温度点已经设定，致使驱动电源高温降低输出电流时的起始温度点，无法在片外设定。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种参考电压下降起始温度点可调电路及LED恒流驱动电源芯片，用于解决现有技术中LED恒流驱动电源芯片的参考电压高温下降的起始温度点已经设定，致使驱动电源高温降低输出电流时的起始温度点无法在芯片外部设定的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种可调节参考电压下降起始温度点的电路，所述可调节参考电压下降起始温度点的电路包括：初始电压生成模块，适于生成初始电压，所述初始电压为零温度系数电压；设定电压生成模块，包括第一电流源及第一电阻；所述第一电流源与所述第一电阻串联，所述第一电流源远离所述第一电阻的一端与电源电压相连接，所述第一电阻远离所述第一电流源的一端接地；所述设定电压生成模块适于生成设定电压，所述设定电压为零温度系数电压；第一比较电压生成模块，适于生成第一比较电压，所述第一比较电压随着温度的升高而降低；参考电压生成模块，与所述设定电压生成模块、所述第一比较电压生成模块及所述初始电压生成模块相连接，适于依据所述设定电压及所述第一比较电压生成第二比较电压，并将所述初始电压与所述第二比较电压相减以得到参考电压；当所述设定电压小于或等于所述第一比较电压时，所述第二比较电压为零，当所述设定电压大于所述第一比较电压时，所述第二比较电压为所述设定电压与所述第一比较电压的差值的相关值。作为本专利技术的可调节参考电压下降起始温度点的电路的一种优选方案，所述初始电压生成模块包括：第一调整系数单元，与所述带隙基准电压相连接，适于将所述带隙基准电压乘以第一调整系数以得到所述初始电压。作为本专利技术的可调节参考电压下降起始温度点的电路的一种优选方案，所述第一调整系数单元包括：第一运算放大器，包括同相输入端、反相输入端及输出端；所述第一运算放大器的同相输入端与所述带隙基准电压设定单元相连接；第一NMOS管，包括栅极、源极及漏极；所述第一NMOS管的栅极与所述第一运算放大器的输出端相连接，所述第一NMOS管的源极与所述第一运算放大器的反相输入端相连接；第二电阻，一端与所述第一NMOS管的源极相连接；第三电阻，一端与所述第二电阻远离所述第一NMOS管的一端相连接，另一端接。作为本专利技术的可调节参考电压下降起始温度点的电路的一种优选方案，所述第一比较电压生成模块包括：第一处理单元及第二调整系数单元；所述第一处理单元适于将一第三比较电压与一调整电压相减得到二者差值；所述第二调整系数单元适于将所述第三比较电压与所述调整电压的差值乘以第二调整系数以得到所述第一比较电压。作为本专利技术的可调节参考电压下降起始温度点的电路的一种优选方案，所述可调节参考电压下降起始温度点的电路还包括：第三比较电压生成单元，适于生成所述第三比较电压，所述第三比较电压随着温度的升高而降低；调整电压生成单元，适于生成所述调整电压，所述调整电压为零温度系数电压。作为本专利技术的可调节参考电压下降起始温度点的电路的一种优选方案，所述第三比较电压生成单元包括：第二电流源，所述第二电流源一端与所述电源电压相连接；三极管，包括发射极、集电极及基极；所述三极管的发射极与所述第二电流源相连接，所述三极管的集电极与所述三极管的基极相短接并接地。作为本专利技术的可调节参考电压下降起始温度点的电路的一种优选方案，所述调整电压生成单元包括：第一电流镜，与所述电源电压及所述初始电压生成模块相连接；第四电阻，一端与第一电流镜相连接，另一端与所述第一比较电压生成模块相连接；第五电阻，一端与所述第一电流源及所述第一比较电压生成模块相连接，另一端接地。作为本专利技术的可调节参考电压下降起始温度点的电路的一种优选方案，所述第一比较电压生成模块包括：所述第四电阻；所述第五电阻；第三运算放大器，包括同相输入端、反相输入端及输出端；所述第三运算放大器的同相输入端与所述第三比较电压生成单元相连接，所述第三运算放大器的反相输入端连接于所述第四电阻与所述第五电阻之间。作为本专利技术的可调节参考电压下降起始温度点的电路的一种优选方案，所述参考电压生成模块包括：第二运算放大器，包括同相输入端、反相输入端及输出端；所述第二运算放大器的同相输入端与所述初始电压生成模块相连接，所述第二运算放大器的反相输入端与所述输出端相短接；第四运算放大器，包括同相输入端、反相输入端及输出端；所述第四运算放大器的同相输入端连接于所述第一电流源与所述第一电阻之间；第二NMOS管，包括栅极、源极及漏极；所述第二NMOS管的栅极与所述第四运算放大器的输出端相连接，所述第二NMOS管的源极与所述第四运算放大器的反相输入端；第六电阻，一端与所述第二NMOS管的源极相连接，另一端与所述第一比较电压生成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可调节参考电压下降起始温度点的电路，其特征在于，所述可调节参考电压下降起始温度点的电路包括：初始电压生成模块，适于生成初始电压，所述初始电压为零温度系数电压；设定电压生成模块，包括第一电流源及第一电阻；所述第一电流源与所述第一电阻串联，所述第一电流源远离所述第一电阻的一端与电源电压相连接，所述第一电阻远离所述第一电流源的一端接地；所述设定电压生成模块适于生成设定电压，所述设定电压为零温度系数电压；第一比较电压生成模块，适于生成第一比较电压，所述第一比较电压随着温度的升高而降低；参考电压生成模块，与所述设定电压生成模块、所述第一比较电压生成模块及所述初始电压生成模块相连接，适于依据所述设定电压及所述第一比较电压生成第二比较电压，并将所述初始电压与所述第二比较电压相减以得到参考电压；当所述设定电压小于或等于所述第一比较电压时，所述第二比较电压为零，当所述设定电压大于所述第一比较电压时，所述第二比较电压为所述设定电压与所述第一比较电压的差值的相关值。

【技术特征摘要】
1.一种可调节参考电压下降起始温度点的电路，其特征在于，所述可调节参考电压下降起始温度点的电路包括：初始电压生成模块，适于生成初始电压，所述初始电压为零温度系数电压；设定电压生成模块，包括第一电流源及第一电阻；所述第一电流源与所述第一电阻串联，所述第一电流源远离所述第一电阻的一端与电源电压相连接，所述第一电阻远离所述第一电流源的一端接地；所述设定电压生成模块适于生成设定电压，所述设定电压为零温度系数电压；第一比较电压生成模块，适于生成第一比较电压，所述第一比较电压随着温度的升高而降低；参考电压生成模块，与所述设定电压生成模块、所述第一比较电压生成模块及所述初始电压生成模块相连接，适于依据所述设定电压及所述第一比较电压生成第二比较电压，并将所述初始电压与所述第二比较电压相减以得到参考电压；当所述设定电压小于或等于所述第一比较电压时，所述第二比较电压为零，当所述设定电压大于所述第一比较电压时，所述第二比较电压为所述设定电压与所述第一比较电压的差值的相关值。2.根据权利要求1所述的可调节参考电压下降起始温度点的电路，其特征在于：所述初始电压生成模块包括：第一调整系数单元，与一带隙基准电压相连接，适于将所述带隙基准电压乘以第一调整系数以得到所述初始电压。3.根据权利要求2所述的可调节参考电压下降起始温度点的电路，其特征在于：所述第一调整系数单元包括：第一运算放大器，包括同相输入端、反相输入端及输出端；所述第一运算放大器的同相输入端与所述带隙基准电压设定单元相连接；第一NMOS管，包括栅极、源极及漏极；所述第一NMOS管的栅极与所述第一运算放大器的输出端相连接，所述第一NMOS管的源极与所述第一运算放大器的反相输入端相连接；第二电阻，一端与所述第一NMOS管的源极相连接；第三电阻，一端与所述第二电阻远离所述第一NMOS管的一端相连接，另一端接地。4.根据权利要求1所述的可调节参考电压下降起始温度点的电路，其特征在于：所述第一比较电压生成模块包括：第一处理单元及第二调整系数单元；所述第一处理单元适于将一第三比较电压与一调整电压相减得到二者差值；所述第二调整系数单元适于将所述第三比较电压与所述调整电压的差值乘以第二调整系数以得到所述第一比较电压。5.根据权利要求4所述的可调节参考电压下降起始温度点的电路，其特征在于：所述可调节参考电压下降起始温度点的电路还包括：第三比较电压生成单元，适于生成所述第三比较电压，所述第三比较电压随着温度的升高而降低；调整电压生成单元，适于生成所述调整电压，所述调整电压为零温度系数电压。6.根据权利要求5所述的可调节参考电压下降起始温度点的电路，其特征在于：所述第三比较电压生成单元包括：第二电流源，所述第二电流源一端与所述电源电压相连接；三极管，包括发射...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢圣晟，刘军，李国成，张识博，
申请(专利权)人：华润矽威科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31