一种半导体器件的制作方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的制作方法，所述方法包括:提供封装衬底，所述封装衬底具有彼此相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上设置多个芯片预封装区域以及位于所述多个芯片预封装区域彼此之间的条状区域；至少蚀刻去除部分所述条状区域。根据本发明专利技术提供的半导体器件的制作方法，通过部分蚀刻封装衬底，降低由于封装材料热膨胀系数失配造成的各个芯片预封装区域之间的热应力影响，避免造成翘曲，从而保证半导体器件的性能稳定，提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的制作方法
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种半导体器件的制作方法。
技术介绍
在半导体工艺中，封装工艺用于将半导体芯片与封装衬底电连接，以及用于使用模塑材料来封装半导体芯片以保护半导体芯片不受外部环境影响。近年来，由于随着数字网络通信系统的快速发展，高性能和小尺寸电子系统的需求不断增长，集成电路封装趋于薄型、小型化。球栅阵列(BGA)作为一种广泛应用的封装技术，其特征在于使用封装衬底，该封装衬底的芯片侧安装有半导体芯片，且该封装衬底的下表面安装有焊球的栅格阵列。在表面安装技术工艺期间，BGA封装可以通过焊球的栅格阵列机械地焊接结合并电连接至印刷电路板(PCB)。FCFBGA(FlipChipFine-pitchBallGridArray，倒装芯片细间距球栅格阵列)是一种BGA封装技术，以倒置方式将芯片的有源侧安装在封装衬底上，并通过使用附着至芯片输入/输出焊盘的焊料凸块结合至封装衬底。由于封装体各构成部分材料间的热膨胀系数(CTE)失配，在FCFBGA高温回流过程中易产生热应力，从而造成翘曲。翘曲易造成芯片与封装衬底之间接触不良，发生短路或开路，进一步导致半导体器件失效。此外，翘曲还会使后续制程难度加大，导致制程不良率升高。因此，有必要提出一种半导体器件的制作方法，以解决上述问题，保证半导体器件的性能稳定，提高生产效率。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。针对现有技术的不足，本专利技术提供一种半导体器件的制作方法，包括：提供封装衬底，所述封装衬底具有彼此相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上设置多个芯片预封装区域以及位于所述多个芯片预封装区域彼此之间的条状区域；至少蚀刻去除部分所述条状区域。进一步，所述芯片预封装区域为正方形或矩形。进一步，所述芯片预封装区域包括位于中心的芯片粘接区域。进一步，所述蚀刻完全去除与所述芯片粘接区域对应的条状区域。进一步，与所述芯片粘接区域对应的条状区域的长度大于或等于对应的所述芯片粘接区域的长度。进一步，与所述芯片粘接区域对应的条状区域的长度小于对应的所述芯片预封装区域的长度。进一步，所述蚀刻的深度小于所述封装衬底的厚度。进一步，所述蚀刻的深度大于或等于所述封装衬底厚度的一半。进一步，所述封装衬底为多层结构。进一步，至少蚀刻去除部分所述条状区域之后还包括在所述芯片预封装区域安装芯片以及模塑化的步骤。根据本专利技术提供的半导体器件的制作方法，通过部分蚀刻封装衬底，降低由于封装材料热膨胀系数失配造成的各个芯片预封装区域之间的热应力影响，避免造成翘曲，从而保证半导体器件的性能稳定，提高生产效率。附图说明通过结合附图对本专利技术实施例进行更详细的描述，本专利技术的上述以及其它目的、特征和优势将变得更加明显。附图用来提供对本专利技术实施例的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本专利技术实施例一起用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。在附图中，相同的参考标号通常代表相同部件或步骤。附图中：图1A是根据本专利技术示例性实施例所提供的封装衬底的示意性俯视图。图1B是沿着图1A的线Ⅰ-Ⅰ’截取的截面图。图2A是根据本专利技术示例性实施例一的方法所获得的封装衬底的示意性俯视图。图2B是沿着图2A的线Ⅱ-Ⅱ’截取的截面图。图2C是图2A的局部放大图。图3A是根据本专利技术示例性实施例二的方法所获得的封装衬底的示意性俯视图。图3B是沿着图3A的线Ⅲ-Ⅲ’截取的截面图。具体实施方式在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本专利技术更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本专利技术可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本专利技术发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。应当理解的是，本专利技术能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本专利技术的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本专利技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本专利技术的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。为了彻底理解本专利技术，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本专利技术提出的技术方案。本专利技术的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本专利技术还可以具有其他实施方式。在半导体工艺中，封装工艺用于将半导体芯片与封装衬底电连接，以及用于使用模塑材料来封装半导体芯片以保护半导体芯片不受外部环境影响。近年来，由于随着数字网络通信系统的快速发展，高性能和小尺寸电子系统的需求不断增长，集成电路封装趋于薄型、小型化。球栅阵列(BGA)作为一种广泛应用的封装技术，其特征在于使用封装衬底，该封装衬底的芯片侧安装有半导体芯片，且该封装衬底的下表面安装有焊球的栅格阵列。在表面安装技术工艺期间，BGA封装可以通过焊球的栅格阵列机械地焊接结合并电连接至印刷电路板(PCB)。FCFBGA(FlipChipFine-pitchBallGridArray，倒装芯片细间距球栅格阵列)是一种BGA封装技术，以倒置方式将芯片的有源侧安装在封装衬底上，并通过使用附着至芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供封装衬底，所述封装衬底具有彼此相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上设置多个芯片预封装区域以及位于所述多个芯片预封装区域彼此之间的条状区域；至少蚀刻去除部分所述条状区域。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供封装衬底，所述封装衬底具有彼此相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上设置多个芯片预封装区域以及位于所述多个芯片预封装区域彼此之间的条状区域；至少蚀刻去除部分所述条状区域。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述芯片预封装区域为正方形或矩形。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述芯片预封装区域包括位于中心的芯片粘接区域。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述蚀刻完全去除与所述芯片粘接区域对应的条状区域。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，与所述芯片粘...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆水华，费春潮，陆丽辉，王亚平，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31