整板的芯片级LED光源和芯片级LED光源单体制造技术

技术编号:18051412 阅读:47 留言:0更新日期:2018-05-26 08:54
本实用新型专利技术整板的芯片级LED光源和芯片级LED光源单体。具体而言,公开了一种整板的芯片级LED光源,包括基板(5);固定在所述基板(5)一面上的多个倒装芯片(1);覆盖在各自倒装芯片(1)上的透明膜(2);布置在所述透明膜(2)的上表面和/或四周施涂的荧光粉(3);和涂覆在所述荧光粉(3)的上表面和各自倒装芯片(1)四周的封装胶(4)。可将固化后的基板(5)取出,对照基板(1)上表面的切割标示线(7)使用切割工艺分离,可得到芯片级LED光源单体。本实用新型专利技术提供了一种可实现高落bin率和稳定性强的芯片级LED光源。

【技术实现步骤摘要】
整板的芯片级LED光源和芯片级LED光源单体
本技术涉及LED领域,具体涉及整板的芯片级LED光源,以及由整板的芯片级LED光源分离得到的芯片级LED光源单体。
技术介绍
众所周知,贴片式LED器件由带碗杯式LED支架作为基体,碗杯底部放置芯片,并有键合导线将芯片与LED支架进行电气连接,芯片表面覆盖荧光胶(荧光粉和封装胶水混合物)并和碗杯齐平。贴片式LED器件是通过外界施加相应的正向电流通过LED器件中的芯片,芯片P‐N结与电子反应发出蓝光并激发其周围的荧光粉从而实现白光。现阶段,区别于贴片式LED器件的另一种形态器件为芯片级LED器件,它由LED芯片和荧光胶组成,省去了LED支架和键合导线。从而因其体积小,厚度轻薄,可载高功率,尺寸设计灵活性强而被广泛应用到照明、背光、汽车等领域。传统芯片级LED光源是采用荧光胶涂布工艺与覆晶芯片进行封装而来,可简单理解为荧光胶裹罩在芯片四周及上表面。其产生白光的原理和贴片式LED器件类似,均是芯片发出的蓝光激发荧光胶中的荧光粉而产生。所述荧光胶包括荧光粉和封装胶,二者混合在一起,荧光粉可以是黄粉、绿粉、红粉等粉中的一种或几种混合,由于荧光粉致密度不足且于荧光胶中不同位置散布不均,故在芯片发出蓝光激发荧光粉时不能很好的达到光学一致性的转换,落bin率和色彩均匀度与可靠度都不理想。其次,LED器件在发光时会产生大量的热量,散热好坏是影响LED产品稳定性的重要因素。
技术介绍
中的芯片级LED器件在经SMT贴片后应用到成品器件中,由于芯片发出的蓝光在激发荧光胶中的荧光粉产生白光时会相应产生热量,这些热量分布在芯片四周及其上表面的封装胶中,由于封装胶的导热性能不足,导致热量向外界传递受限,长时间的热量集聚将导致LED器件的荧光胶体龟裂,发黑等现象,继而影响器件的亮度,使得芯片级LED器件的产品稳定性受到影响。因此,本领域急需解决现有技术中存在的上述技术问题和缺陷,以及其它技术问题,而开发出解决上述问题的芯片级LED光源以及改善其稳定性的芯片级LED光源。
技术实现思路
鉴于现有技术的不足,本技术提出一芯片级LED光源,它能克服
技术介绍
中存在的不足之处,包括但不限于上述技术问题,同时提供更多的附加技术效果。根据本技术的一方面,构思了一种芯片级LED光源,包括基板(1)做为载体,在基板(1)表面可设置有丝印网格线(6),和切割对位孔(7),基板丝印那一面可贴合固定膜(8),在固定膜(8)上表面可透过基板丝印的网格内固着倒装芯片(1);接着可在所固倒装芯片(1)组成区域四周贴一层围胶墙(9),所述围胶墙(9)的厚度可为LED光源总厚度。在倒装芯片(1)的上表面及四周可附着一层透明膜(2),在每一层透明膜(2)表面可堆叠一层或多层荧光粉(3);紧接着可在真空环境下使用点胶方式在荧光粉(3)上表面及芯片(1)与芯片(1)间隔位置涂覆一定厚度封装胶(4),以达到产品所需厚度为宜,然后可在一定固温度下进行封装胶固化,最后可将固化后的基板(1)取出,并可对照基板上表面的切割标示线使用切割工艺分离得到单颗芯片级光源。更具体而言,根据本技术,提供了一种整板的芯片级LED光源,包括基板(5),所述芯片级LED光源还包括,设置在所述基板(5)一面上的多个倒装芯片(1);覆盖在各自倒装芯片(1)上的透明膜(2);布置在所述透明膜(2)的上表面和/或四周施涂的荧光粉(3);和涂覆在所述荧光粉(3)的上表面和各自倒装芯片(1)四周的封装胶(4)。根据本技术的一实施例,所述基板(5)的固定倒装芯片(1)的那一面的表面带有网格线(6)和切割对位孔(7);其中,在所述基板(5)的带有网格线(6)的那一面贴合固定膜(8),所述倒装芯片(1)固定在所述基板(5)上的所述网格线(6)所限定的网格内;并且其中,在倒装芯片(1)周围贴有围胶墙(9)。根据本技术的一实施例,所述围胶墙(9)为矩形,且高度与所述封装胶(4)的表面齐平或接近齐平。根据本技术的一实施例,所述封装胶(4)是真空,近真空或者惰性气体环境下涂覆的点胶的封装胶(4)。根据本技术的一实施例,所述基板(1)是不锈钢板、玻璃板、铁板、铝板或铜板。根据本技术的一实施例,所述倒装芯片(1)芯片的尺寸能够根据LED光源功率做调整,并且芯片尺寸面积不大于LED光源面积的2/3。根据本技术的一实施例,所述倒装芯片(1)为蓝光、绿光或紫光芯片。根据本技术的一实施例,所述透明膜(2)为高透光性、高折射率的双面带粘性的膜材。根据本技术的一实施例,所述透明膜(2)的厚度为5‐20微米。根据本技术的一实施例,所述透明膜(2)是在真空、近真空或惰性气体环境下覆盖在各自倒装芯片(1)上的透明膜;并且,所述荧光粉(3)是在真空、近真空或惰性气体环境下在所述透明膜(2)的上表面和/或四周施涂的荧光粉。根据本技术的一实施例,所述荧光粉(3)为一层或多层。根据本技术的一实施例,所述荧光粉(3)可为黄粉、绿粉、红粉中的一种或多种。根据本技术的一实施例,所述封装胶(4)为环氧树脂胶或硅树脂胶。根据本技术,提供了一种芯片级LED光源单体,其通过对所示整板的芯片级LED光源的基板(5)沿着所述基板(5)上表面上的切割标示线(7)进行切割分离而得到。本技术的有益技术效果进一步包括、但不限于以下方面。芯片发出的光通过透明膜直接激发其表面的荧光粉,因荧光粉堆叠是在真空环境下进行,荧光粉的堆叠相当致密,且均匀度一致,故通过荧光粉激发获得的白光色坐标、色温、显色指数、亮度都比较一致,最终再经过荧光粉表面的封装胶折射发出的白光色坐标、显色指数、亮度其均匀性都可以保持一致,继而实现芯片级光源的高落BIN率。本技术的又一有益效果在于:所涉及的芯片级LED光源由于芯片发出的光在其四周激发荧光粉并产生热量,热量通过芯片往外界传递的能力要远大于封装胶体,最终可以使得绝大部分热量通过芯片传递到外界,继而保护封装胶不受影响。从而保证了产品色度一致性,产品质量的稳定性都可以得以保证。本技术还有一有益效果在于:由于荧光粉涂覆是采用堆叠的方式,只覆盖到了芯片发光表面(上表面及四周),相对传统芯片级LED光源,使用荧光粉与封装胶混合的方式,本技术所使用的荧光粉的量将大大减少,从而在成本上的优势将更加明显。在以下对附图和具体实施方式的描述中,将阐述本技术的一个或多个实施例的细节。本技术的多个方面和优点将在以下说明中部分地阐述,或者可由该说明而显而易见,或者可通过实践本技术而获悉。附图说明结合在说明书中并构成说明书一部分的附图图示了本技术的实施例,并且与说明书一起用于解释和说明本技术的原理和一些具体实施方案。本说明书中描述了针对本领域普通技术人员的本技术的完整而能够实施的公开,包括其优选实施方式,其中引用了附图,这些附图并非严格按照制图要求按比例绘制。这些附图包括:图1是根据本技术的一个实施例提出的芯片级LED光源正视图。图2是根据本技术的一个实施例提出的芯片级LED光源侧视图。图3至图11是根据本技术的一个实施例提出的单个芯片级LED光源(芯片级LED光源单体)的获取流程图。具体实施方式现在将参考附图本文档来自技高网
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整板的芯片级LED光源和芯片级LED光源单体

【技术保护点】
一种整板的芯片级LED光源,包括基板(5),其特征在于,所述芯片级LED光源还包括,设置在所述基板(5)一面上的多个倒装芯片(1);覆盖在各自倒装芯片(1)上的透明膜(2);布置在所述透明膜(2)的上表面和/或四周施涂的荧光粉(3);和涂覆在所述荧光粉(3)的上表面和各自倒装芯片(1)四周的封装胶(4)。

【技术特征摘要】
1.一种整板的芯片级LED光源,包括基板(5),其特征在于,所述芯片级LED光源还包括,设置在所述基板(5)一面上的多个倒装芯片(1);覆盖在各自倒装芯片(1)上的透明膜(2);布置在所述透明膜(2)的上表面和/或四周施涂的荧光粉(3);和涂覆在所述荧光粉(3)的上表面和各自倒装芯片(1)四周的封装胶(4)。2.根据权利要求1所述的整板的芯片级LED光源,其特征在于:在所述基板(5)设置倒装芯片(1)的那一面的表面带有网格线(6)和切割对位孔(7);其中,在所述基板(5)的带有网格线(6)的那一面贴合固定膜(8),所述倒装芯片(1)固定在所述基板(5)上的所述网格线(6)所限定的网格内;并且其中,在倒装芯片(1)周围贴有围胶墙(9)。3.根据权利要求2所述的整板的芯片级LED光源,其特征在于:所述围胶墙(9)为矩形,且高度与所述封装胶(4)的表面齐平或接近齐平。4.根据权利要求1-3中任一项所述的整板的芯片级LED光源,其特征在于:所述封装胶(4)是真空,近真空或者惰性气体环境下涂覆的点胶的封装胶(4)。5.根据权利要求1-3中任一项所述的整板的芯片级LED光源,其特征在于:所述基板(5)是不锈钢板、玻璃板、铁板、铝板或铜板。6.根据权利要求1-3中任一项所述的整板的芯片级LED光源,其特征在于:所述倒装芯片(1)芯片的尺寸能够根据LED...

【专利技术属性】
技术研发人员:张仲元张明武张路华王鹏辉刘云
申请(专利权)人:深圳市斯迈得半导体有限公司
类型:新型
国别省市:广东,44

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