【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。技术背景目前国际上通常使用硅烷和一氧化氮来生长高温淀积氧化膜。在该工艺中，需要采用目前东京电子生产的标准的117槽且环厚度为2mm的石英 环舟，但是经过使用后发现,环厚度为2mm的这种舟存在面内均匀性差的问 题，不能符合0. 35um以下工艺的需要。用硅垸和一氧化氮生长的高温淀积氧化膜的膜厚面内均一性本来就很 难控制，之所以国际上都采用如图2所示的石英环舟，而不用普通的梯状石 英舟，是为了降低硅片周边的膜厚，从而改善硅片的面内均匀性。如图1 所示，釆用普通的梯状石英舟，会使得硅片周边的膜厚大大的高于硅片中 心位置的膜厚。但是，在特定的流量、温度和真空压力的条件下,如果直接采用环厚度 为2mm的石英环舟进行操作仍然不行，因为硅片的面内均勻性不能满足工艺 要求。在半导体领域中，0. 5()um线宽以上的工艺对面内均匀性的要求不高， 但对0. 35um以下的工艺,面内均匀性不好会对硅片造成很大的影响。直接采用标准的117槽、环厚为2mm的石英环舟，炉管内上端，中上端， 中端，中下端，下端五个位置的面内均匀性都不好，高达7%左右，如图3所 示。从均匀性分布图发现，采用了环厚为2mm的石英环舟后,硅片的周边相 对中间位置膜厚偏薄太多，导致面内均匀性变大，不能满足0.35um以下工 艺的要求。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种改善高温淀积氧化膜的面内均 匀性的方法，用非常简单的方法，改善高温淀积氧化膜的面内均匀性，从 而提高半导体器件的质量。为解决上述技术问题，本专利技术改善高温淀积氧化膜的面内均匀性的方 法的技术方案是，在...
【技术保护点】
一种改善高温淀积氧化膜的面内均匀性的方法，其特征在于，在使用石英环舟之前，对石英环舟进行刻蚀从而使其厚度变薄。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：方昭蒂，董颖，卢键，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。