一种发光二极管CSP封装支架及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管CSP封装支架及其制造方法，它涉及发光二极管封装技术领域；陶瓷基板上设置有铜箔一和铜箔二，铜箔一上面有一凸起的金属镀层一，其厚度为0.02‑0.03毫米，铜箔一上面有一凸起的金属镀层二，其厚度约0.05‑0.07毫米；所述的铜箔一、铜箔二、金属镀层一和金属镀层二位于陶瓷基板的同一方向，铜箔一和铜箔二上各有一个金属镀层一和金属镀层二；所述的金属镀层一与金属镀层二为圆柱形，焊接LED芯片负极的金属镀层直径为0.04‑0.06毫米，高0.05‑0.07毫米；本发明专利技术在封装支架的铜箔电镀上两金属镀层，能有效解决因LED芯片正负电极有高度差，而导致CSP封装焊接良品率不高的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管CSP封装支架及其制造方法
本专利技术涉及一种发光二极管CSP封装支架及其制造方法，属于发光二极管封装

技术介绍
随LED产业日新月异的发展，作为LED照明核心部件LED封装器件，将朝着尺寸越来越小，性能越来越高的方向发展。首先，尺寸足够小，性能足够高的LED封装器件能够带来比普通LED封装器件更多的创意和发挥空间，实现高性价比；其次，LED器件制造商能够在相同的物理空间和光学配套投入上，获得更大的回报；再者LED封装器件可以在更小的体积空间内实现更高的流明输出，使照明设计更灵活。这将不仅仅为现有的LED照明存量市场提供更好的解决方案，更会为今后LED新增市场带来更多的想象空间和发展机遇。因此开发超小尺寸LED封装器件极为迫切。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术要解决的技术问题是提供一种发光二极管CSP封装支架及其制造方法。本专利技术的一种发光二极管CSP封装支架，它包括陶瓷基板；陶瓷基板上设置有铜箔一和铜箔二，铜箔一上面有一凸起的金属镀层一，其厚度为0.02-0.03毫米，铜箔一上面有一凸起的金属镀层二，其厚度约0.05-0.07毫米。作为优选，所述的铜箔一上的金属镀层一为安装LED芯片正极的位置，铜箔二上的金属镀层二为安装LED芯片负极的位置。作为优选，所述的金属镀层一及金属镀层二的直线距离和LED芯片正负电极直线距离一致。作为优选，所述的铜箔一、铜箔二、金属镀层一和金属镀层二位于陶瓷基板的同一方向，铜箔一和铜箔二上各有一个金属镀层一和金属镀层二。作为优选，所述的陶瓷基板为水平式支架。作为优选，所述的金属镀层一与金属镀层二为圆柱形，焊接LED芯片负极的金属镀层直径为0.04-0.06毫米，高0.05-0.07毫米；焊接LED芯片正极的金属镀层直径为0.06-0.1毫米，高0.02-0.03毫米。一种发光二极管CSP封装支架的制造方法，它包括以下步骤：步骤一：使用陶瓷粉末，加入适量的助结剂和水，混合均匀后，经压制成型，在1600-1800℃下烧结，制得陶瓷基板；步骤二：使用钢网6覆盖在陶瓷基板上，用刮刀把铜粉浆填充到钢网的缝隙中，移走钢网，在1200-1400℃环境中烘烤，与陶瓷基板产生共熔晶体；步骤三：用钢网在基板线路中涂上保护膜，放进三氯化铁溶液进行蚀刻，获得精确线路。步骤四：在基板上的铜箔一和铜箔二上，覆盖隔板，隔板上有一组两个的小孔，并进行电镀，镀上金属镀层一和金属镀层二。本专利技术的有益效果为：由于主流的照明LED器件采用蓝宝石衬底芯片为光源，芯片为水平式的结构，因芯片制造工艺的问题，其正负极存在高度差，约0.02-0.05毫米；采用在LED基板的倒装焊接区上再电镀两个凸起的圆柱形金属电镀层，通过控制隔板大小能控制圆柱的直径，通过控制电镀时间可以控制凸点的高度；实施简单、经济，且使用效果好。在封装支架的铜箔电镀上两金属镀层，能有效解决因LED芯片正负电极有高度差，而导致CSP封装焊接良品率不高的问题。附图说明为了易于说明，本专利技术由下述的具体实施及附图作以详细描述。图1为本专利技术的俯视结构示意图；图2为图1的侧视图；图3-图5为本专利技术中线路制作过程示意图；图6-图8为本专利技术中基板上铜箔上金属块制作过程的示意图。图中：1-陶瓷基板；2-铜箔一；3-铜箔二；4-金属镀层一；5-金属镀层二；6-钢网；7-铜粉浆；8-隔板。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面通过附图中示出的具体实施例来描述本专利技术。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本专利技术的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本专利技术的概念。如图1-2所示，本具体实施方式采用以下技术方案：包括陶瓷基板1、铜箔一2、铜箔二3及铜箔一2上的金属镀层一4和铜箔二3上的金属镀层二5。采用陶瓷粉末和适量的助结剂混合，压制成型并风干后，在1600-1800℃下烧结，制得陶瓷基板1；如图3、图4、图5所示，把雕刻好线路的钢网6压在陶瓷基板1上，使用刮刀，把调好助结剂的铜粉浆7填充到陶瓷基板1和钢网6之间的空隙，移走钢网6，铜粉浆7在陶瓷基板1上留下所需线路图形；静置一段时间后，把附有铜粉浆7的陶瓷基板1放进1200-1400℃的环境进行真空烘烤，防止铜和空气发生各种反应，影响导电效果；烘烤完成后，在附有铜共融晶体的陶瓷基板1上，使用钢网6在上面再刷一个保护层，然后把陶瓷基板1放进三氯化铁溶液中，进行线路的蚀刻，去掉线路上的毛刺和不必要的连接线等。在完成蚀刻的陶瓷基板1盖上隔板8，隔板孔81露出铜箔2的一部分，隔板82露出铜箔二3的一部分，然后进行电镀，根据要求，镀上不同形状和厚度的金属镀层。如图3、图4、图5所示，所述的陶瓷基板1上的铜箔一2为支架的正极，铜箔二3为支架负极。两铜箔最小间距为0.025mm，最大间距不大于待封装芯片正负电极直线距离80%。铜箔一2和铜箔二3可以是方形、圆形或其他任意形状；但是铜箔二3必须有一处是处于图形的突出部31，用于电镀金属镀层二5，突出部为0.06X0.06毫米大小。如图6、图7、图8所示，在基板1上的铜箔2和铜箔3上盖上隔板8，隔板上有一组小孔，分别是两个孔81、82。孔81和孔82的中心间距和该支架待封装的蓝宝石衬底LED芯片正负电极间距一致；孔81直径为0.06-0.1毫米，孔82直径为0.04-0.06毫米。孔81可以在铜箔2上的任意位置；孔82必须在铜箔二31处，且必须重合。隔板8盖上基板1上的铜箔一2和铜箔二3后，进行电镀处理。金属镀层的大小会有一点变化，但是具体变化不大。另外，隔板8可以是一个独立单元，也可以是一个有特定长、宽距离组成的阵列组合。因此作为较佳的实施方式，在本专利技术中，选镀后，正极的金属镀层一4为圆柱形，直径是0.1毫米，高0.03毫米；负极的金属镀层二5为圆柱形，直径是0.05毫米，高0.6毫米。该两个金属镀层可以是金、银或铜等延展性好的金属，也可以是铜、镍、金等多种金属镀层的组合。一种发光二极管CSP封装支架，其制造可以通过下述步骤实现：步骤二：使用陶瓷粉末，加入适量的助结剂和水，混合均匀后，经压制成型，在1600-1800℃下烧结，制得陶瓷基板1；步骤二：使用钢网6覆盖在陶瓷基板1上，用刮刀把铜粉浆7填充到钢网6的缝隙中，使用在1200-1400℃烘烤，与基板产生共熔晶体；步骤三：用钢网6在基板线路中涂上保护膜，放进三氯化铁溶液进行蚀刻，获得精确线路。步骤四：在基板铜箔一2和铜箔二3上，覆盖隔板8，进行电镀，镀上金属镀层一4和金属镀层二5。本具体实施方式在基板上的铜箔上电镀了两个直径分别为0.06-0.1毫米和0.04-0.06毫米的金属块，而且焊接芯片正极的金属块比焊接芯片负极的金属块矮0.03毫米，两金属块中心距离和待封装芯片正负两电极中心距离一致。这样，能有效解决蓝宝石衬底的LED芯片因制程问题导致政府两电极高低不一，采用CSP形式封装时焊接容易虚焊的问题，从而提高产品的良品率。以上显示和描述了本专利技术的基本原理和主要特征和本专利技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本专利技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本专利技术的原理，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下，本专利技术还会有各种变化和改本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管CSP封装支架，其特征在于：它包括陶瓷基板；陶瓷基板上设置有铜箔一和铜箔二，铜箔一上面有一凸起的金属镀层一，其厚度为0.02‑0.03毫米，铜箔一上面有一凸起的金属镀层二，其厚度约0.05‑0.07毫米。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管CSP封装支架，其特征在于：它包括陶瓷基板；陶瓷基板上设置有铜箔一和铜箔二，铜箔一上面有一凸起的金属镀层一，其厚度为0.02-0.03毫米，铜箔一上面有一凸起的金属镀层二，其厚度约0.05-0.07毫米。2.一种发光二极管CSP封装支架的制造方法，其特征在于：它包括以下步骤：步骤一：使用陶瓷粉末，加入适量的助结剂和水，混合均匀后，经压制成型，在1600-1800℃下烧结，制得陶瓷基板；步骤二：使用钢网6覆盖在陶瓷基板上，用刮刀把铜粉浆填充到钢网的缝隙中，移走钢网，在1200-1400℃环境中烘烤，与陶瓷基板产生共熔晶体；步骤三：用钢网在基板线路中涂上保护膜，放进三氯化铁溶液进行蚀刻，获得精确线路；步骤四：在基板上的铜箔一和铜箔二上，覆盖隔板，隔板上有一组两个的小孔，并进行电镀，镀上金属镀层一和金属镀层二。3.根据权利要求1所述的一种发光二极管CSP封装支架，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：李钊英，涂梅仙，
申请(专利权)人：木林森股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44