【技术实现步骤摘要】
一种共源共栅氮化镓器件及其应用
本专利技术属于宽禁带半导体器件领域,特别涉及一种新型的共源共栅氮化镓器件。
技术介绍
现有的600V及以上耐压的氮化镓器件,最大耐流均不超过70A。为了适应高频大功率的应用场合,并联氮化镓器件成为一种有效的选择,但其也存在一些问题:用于并联的氮化镓器件特性存在差异;PCB布线需要适当延长且难以实现完全对称;并联开关管的驱动信号之间有延时等等。这些因素可能会导致并联的氮化镓器件电流不均衡分布,甚至引起环流和电流振荡,影响并联的效果。另外,并联所需的驱动芯片数目也成倍增加,不仅提高了成本,还影响系统功率密度的提升。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种共源共栅氮化镓器件及其应用,以解决上述存在的技术问题。本专利技术的共源共栅氮化镓器件,可提高通流能力,增大功率密度,提高系统效率,同时也可节省成本;仅需使用一个驱动芯片,即可达到现有氮化镓器件2倍及以上的通流能力。为达到上述目的,本专利技术采用以下技术方案:一种共源共栅氮化镓器件,包括硅器件和若干并联的氮化镓器件,所述硅器件与若干并联的氮化镓器件串联连接形成共源共栅结构;若干并联的氮化镓器件的源极均与硅器件的漏极相连接,若干并联的氮化镓器件的栅极均与硅器件的源极相连接,若干并联的氮化镓器件的漏极共接作为整个共源共栅氮化镓器件的漏极。进一步的,所述氮化镓器件为耗尽型氮化镓晶体管。进一步的,耗尽型氮化镓晶体管的数目为N,N由硅器件的最大通流能力Imax_Si和耗尽型氮化镓晶体管的最大耐流值Imax_GaN共同决定,即N=Imax_Si/Imax_GaN。进一步的,所述硅器件为一个低耐 ...
【技术保护点】
一种共源共栅氮化镓器件,其特征在于,包括硅器件和若干并联的氮化镓器件,所述硅器件与若干并联的氮化镓器件串联连接形成共源共栅结构;若干并联的氮化镓器件的源极均与硅器件的漏极相连接,若干并联的氮化镓器件的栅极均与硅器件的源极相连接,若干并联的氮化镓器件的漏极共接作为整个共源共栅氮化镓器件的漏极。
【技术特征摘要】
1.一种共源共栅氮化镓器件,其特征在于,包括硅器件和若干并联的氮化镓器件,所述硅器件与若干并联的氮化镓器件串联连接形成共源共栅结构;若干并联的氮化镓器件的源极均与硅器件的漏极相连接,若干并联的氮化镓器件的栅极均与硅器件的源极相连接,若干并联的氮化镓器件的漏极共接作为整个共源共栅氮化镓器件的漏极。2.根据权利要求1所述的一种共源共栅氮化镓器件,其特征在于,所述氮化镓器件为耗尽型氮化镓晶体管。3.根据权利要求2所述的一种共源共栅氮化镓器件,其特征在于,耗尽型氮化镓晶体管的数目为N,N由硅器件的最大通流能力Imax_Si和耗尽型氮化镓晶体管...
【专利技术属性】
技术研发人员:卓放,朱田华,王丰,王海林,贺鑫露,史书怀,
申请(专利权)人:西安交通大学,
类型:发明
国别省市:陕西,61
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