一种基于光学临近效应修正减少栅极波动的方法技术

本发明专利技术提供了一种基于光学临近效应修正减少栅极波动的方法，应用于光刻工艺中，其中，提供一目标图形，并对目标图形的图形边进行分割以形成可移动的图形片段；包括以下步骤：步骤S1、对目标图形进行模拟曝光以获得目标图形的边缘误差；步骤S2、根据边缘误差移动图形片段，并在移动后的目标图形达到一预定值时执行步骤S3；步骤S3、停止移动图形片段，判断移动的图形片段是否为间隔终端，并在为间隔终端时执行步骤S4；步骤S4、根据当前的图形片段与栅极之间的距离，对移动之后的间隔终端进行追加移动；步骤S5、固定当前的图形片段，以形成最终的修正图形。其技术方案的有益效果在于，在修正过程中可有效减小栅极尺寸波动，可提产品性能。

【技术实现步骤摘要】
一种基于光学临近效应修正减少栅极波动的方法
本专利技术涉及半导体制备领域，尤其涉及一种基于光学临近效应修正减少栅极波动的方法。
技术介绍
在亚波长微影工艺领域，RET(解析度增强技术)技术已经成为提高图形解析度，增强微影工艺稳定性的重要保证。在不断寻求193nm光刻解析能力极限的过程中，一些193nm微影技术的加强方法比如浸入式光刻，两次曝光技术都已经在半导体制造中得到应用，然而在找到合适根本替代解决方案之前，譬如EUV(远紫外光)实现商业化，OPCOpticalProximityCorrection，光学临近修正。)仍然是先进半导体制造所需要的关键技术。在不断追求图形转移质量的过程中，各种新的OPC技术应运而生，然而在不同的技术节点，OPC技术都受到解析度极限的限制，OPC技术可以优化由于临近效应造成的尺寸变化，改善线端缩短等问题，但仍然无法避免拐角圆化(CornerRounding)现象。在不同技术节点微影工艺中，多晶硅层一直都是最为关键的微影层次，不仅因为其设计尺寸在整个技术节点最小，因而在微影工艺中最具挑战性，而且多晶硅层的硅片尺寸浮动影响到产品的性能，因而对多晶硅层的尺寸控制更为严格。在多数层次的图形转移过程中，拐角圆化不会对产品的性能造成大的影响，然而对于多晶硅层，由于栅极尺寸的一致性会影响产品的性能，因而对于靠近拐角的栅极，必须尽量避免拐角圆化对栅极尺寸的影响，才能减少栅极尺寸波动。现有的处理方法一般采用MRC(掩模板规则限制)避免OPC过度修正，同时确保避免由于过小的掩模板尺寸导致增加制作难度；但MRC也会导致修正不足引起修正误差，尤其在线端(LineEnd)或者间隔终端(SpaceEnd)。图1，图2揭示了两种不同的OPC方法对栅极区域的影响，在图2的OPC结果中，栅极尺寸的一致性得到明显的改善。掩模板规则限制(MaskRuleConstraint)也是影响OPC精度重要因素，在如图3所示的案例中，栅极区域除了受到拐角圆化效应的影响，掩模板规则限制也导致间隔终端(SpaceEnd)存在较大的修正误差，这些OPC结果最终导致栅极尺寸的波动，并影响产品的性能。
技术实现思路
针对现有技术中对目标图形执行OPC修正存在的上述问题，现提供一种旨在可有效减小栅极尺寸波动，可提产品性能的方法。具体技术方案如下：一种基于光学临近效应修正减少栅极波动的方法，应用于光刻工艺中，其中，提供一目标图形，并对所述目标图形的图形边进行分割以形成可移动的图形片段；包括以下步骤：步骤S1、对所述目标图形进行模拟曝光以获得所述目标图形的边缘误差；步骤S2、根据所述边缘误差移动所述图形片段，并在移动后的所述目标图形达到一预定值时执行步骤S3；步骤S3、停止移动所述图形片段，判断移动的所述图形片段是否为间隔终端，并在为所述间隔终端时执行步骤S4；步骤S4、根据当前的所述图形片段与栅极之间的距离，对移动之后的所述间隔终端进行追加移动；步骤S5、固定当前的所述图形片段，以形成最终的修正图形。优选的，在所述步骤S2中，当移动后的所述目标图形未达到所述预定值时，执行以下步骤：步骤A1、继续移动所述图形片段得到一第一修正图形；步骤A2、判断所述目标图形的修正次数是否超过一预设值；若是，则将当前的所述第一修正图形作为最终的所述修正图形；若否，则将所述目标图形的修正次数加1，并返回步骤S1。优选的，在所述步骤S5中，包括以下步骤：步骤S51、固定所述图形片段以形成一第二修正图形；步骤S52、判断所述目标图形的修正次数是否超过一预设值；若是，则将当前的所述第二修正图形作为最终的所述修正图形；若否，则将所述目标图形的修正次数加1，并返回步骤S1。优选的，在所述步骤S3中，当移动的所述图形片段非所述间隔终端时，执行以下步骤；步骤B1、根据当前停止移动的所述图形片段形成一第三修正图形；步骤B2、判断所述目标图形的修正次数是否超过一预设值；若是，则将当前的所述第三修正图形作为最终的所述修正图形；若否，则将所述目标图形的修正次数加1，并返回步骤S1。优选的，所述目标图形为多晶硅层图形，所述栅极表示所述多晶硅层图形和有源区层图形重叠的部分；对所述目标图形进行追加移动的方法，包括以下步骤：步骤S41、获取所述间隔终端与所述栅极之间的水平距离；步骤S42、根据所述水平距离，将所述间隔终端于水平方向向所述目标图形的内部或者所述目标图形的外部提供对应的修正值。优选的，当所述水平距离大于等于所述多晶硅的2倍的最小线宽值时，将所述间隔终端于水平方向向所述目标图形的外部移动至所述修正值。优选的，当所述水平距离小于等于所述多晶硅的最小线宽值时，将所述间隔终端于水平方向向所述目标图形的内部移动至所述修正值。优选的，所述修正值为10-30nm。优选的，提供一光学临近效应修正工具，对所述目标图形进行分割以及对所述图形片段的移动以及固定的操作。上述技术方案具有如下优点或有益效果：在修正过程中可有效减小栅极尺寸波动，可提产品性能，还可避免根据掩膜版规则导致修正不足引起修正误差(尤其在目标图形的线段或者间隔终端)。附图说明参考所附附图，以更加充分的描述本专利技术的实施例。然而，所附附图仅用于说明和阐述，并不构成对本专利技术范围的限制。图1-3为
技术介绍
部分，现有的OPC执行修正后的修正图形；图4为本专利技术一种基于光学临近效应修正减少栅极波动的方法中实施例的流程图；图5为本专利技术一种基于光学临近效应修正减少栅极波动的方法中实施例中，关于所述目标图形未达到所述预定值时执行方法的流程图；图6为本专利技术一种基于光学临近效应修正减少栅极波动的方法中实施例中，关于固定所述图形片段后的方法的流程图；图7为本专利技术一种基于光学临近效应修正减少栅极波动的方法中实施例中，关于所述图形片段非所述间隔终端时执行方法的流程图；图8为本专利技术一种基于光学临近效应修正减少栅极波动的方法中实施例中，关于对所述目标图形进行追加移动的方法的流程图；图9-13为本专利技术一种基于光学临近效应修正减少栅极波动的方法中，对应标准图形的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步说明，但不作为本专利技术的限定。本专利技术的技术方案中包括一种基于光学临近效应修正减少栅极波动的方法。一种基于光学临近效应修正减少栅极波动的方法，应用于光刻工艺中，其中，提供一目标图形，并对目标图形的图形边进行分割以形成可移动的图形片段；如图4所示，包括以下步骤：步骤S1、对目标图形进行模拟曝光以获得目标图形的边缘误差；步骤S2、根据边缘误差移动图形片段，并在移动后的目标图形达到一预定值时执行步骤S3；步骤S3、停止移动图形片段，判断移动的图形片段是否为间隔终端，并在为间隔终端时执行步骤S4；步骤S4、根据当前的图形片段与栅极之间的距离，对移动之后的间隔终端进行追加移动；步骤S5、固定当前的图形片段，以形成最终的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于光学临近效应修正减少栅极波动的方法，应用于光刻工艺中，其特征在于，提供一目标图形，并对所述目标图形的图形边进行分割以形成可移动的图形片段；包括以下步骤：步骤S1、对所述目标图形进行模拟曝光以获得所述目标图形的边缘误差；步骤S2、根据所述边缘误差移动所述图形片段，并在移动后的所述目标图形达到一预定值时执行步骤S3；步骤S3、停止移动所述图形片段，判断移动的所述图形片段是否为间隔终端，并在为所述间隔终端时执行步骤S4；步骤S4、根据当前的所述图形片段与栅极之间的距离，对移动之后的所述间隔终端进行追加移动；步骤S5、固定当前的所述图形片段，以形成最终的修正图形。

【技术特征摘要】
1.一种基于光学临近效应修正减少栅极波动的方法，应用于光刻工艺中，其特征在于，提供一目标图形，并对所述目标图形的图形边进行分割以形成可移动的图形片段；包括以下步骤：步骤S1、对所述目标图形进行模拟曝光以获得所述目标图形的边缘误差；步骤S2、根据所述边缘误差移动所述图形片段，并在移动后的所述目标图形达到一预定值时执行步骤S3；步骤S3、停止移动所述图形片段，判断移动的所述图形片段是否为间隔终端，并在为所述间隔终端时执行步骤S4；步骤S4、根据当前的所述图形片段与栅极之间的距离，对移动之后的所述间隔终端进行追加移动；步骤S5、固定当前的所述图形片段，以形成最终的修正图形。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，当移动后的所述目标图形未达到所述预定值时，执行以下步骤：步骤A1、继续移动所述图形片段得到一第一修正图形；步骤A2、判断所述目标图形的修正次数是否超过一预设值；若是，则将当前的所述第一修正图形作为最终的所述修正图形；若否，则将所述目标图形的修正次数加1，并返回步骤S1。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S5中，包括以下步骤：步骤S51、固定所述图形片段以形成一第二修正图形；步骤S52、判断所述目标图形的修正次数是否超过一预设值；若是，则将当前的所述第二修正图形作为最终的所述修正图形；若否，则将所述目标图形的修正次数加1，并返回步骤S1。4...

【专利技术属性】
技术研发人员：何大权，胡青，魏芳，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31