一种雪崩信号产生装置制造方法及图纸

本发明专利技术揭示了一种雪崩信号产生装置，其包括：雪崩二极管，用于产生雪崩信号；半导体制冷器，用于给所述雪崩二极管降温；密封腔体，收容所述雪崩二极管及所述半导体制冷器；印刷电路板，与所述雪崩二极管及所述半导体制冷器电性连接；尾纤，将光信号从所述密封腔体外引入所述密封腔体内并发射到所述雪崩二极管上，通过本发明专利技术，可有效地提高所述雪崩信号产生装置的防水性能，同时在所述密封腔体内，可以放置多个雪崩模块，可以同时产生多路雪崩信号，而整体的成本相对于现有技术中的产生多路雪崩信号的方式要低很多。

【技术实现步骤摘要】
一种雪崩信号产生装置
本专利技术涉及量子通信
，尤其涉单光子探测器。
技术介绍
在单光子探测技术中，主要使用的是单光子探测器，该单光子探测器广泛应用于量子密钥分发设备中。在单光子探测器中，由微弱的单光子信号产生的雪崩信号是最关键的，决定着是否能过准备判断是否探测到了单光子信号。通常情况下，红外1550nm波段的单光子检测都是通过工作在盖革模式下的雪崩光电二极管进行响应的，进而产生有用的、由单光子引起的雪崩信号。单光子照射到工作在盖革模式下（盖革模式就是雪崩光电二极管工作在反向偏压略高于雪崩电压的情况下，因此雪崩光电二极管的光电放大倍数达到【10】^6倍）的雪崩光电二极管，雪崩光电二极管置于温度很低的（一般为零下40℃）、密封性很好的、隔热性能和散热性能很好的容器中，使得雪崩光电二极管可以更加容易发生雪崩（因为用于单光子探测的雪崩光电二极管在温度越低、偏压越高的情况下，越容易发生雪崩），响应单光子信号。现有的技术中，因为密闭容器的电接口使用防水接插件连接，该防水接插件对于一般的防水性能还是可以的，但是当密闭容器中的水汽因为被吸收而变得压强变小时，外部空气产生的压强差很容易将外部空气带入密闭容器，使得雪崩光电二极管放置的密闭容器密闭性不好，很容易进水汽，进而影响器件的使用寿命和雪崩光电二极管的响应速度。并且考虑到成本控制的问题，不建议使用更高防水级别的接插件。同时，在单光子探测器使用的过程中，经常需要使用到两个探测器的地方，现有的技术无法满足同时使用两个探测器的情况，也就是说无法同时产生两路用于单光子探测的雪崩信号。现有的技术方案对于需要使用到两个雪崩二极管的单光子探测器的地方，需要制备两套密闭容器，成本投入大。所以密闭效果不好、性能单一及成本投入大，是现有技术的主要缺点。
技术实现思路
本专利技术提供了一种雪崩信号产生装置，以解决当前方法存在的上述几种问题。根据本专利技术的雪崩信号产生装置，其包括：雪崩二极管，用于产生雪崩信号；半导体制冷器，用于给所述雪崩二极管降温；密封腔体，收容所述雪崩二极管及所述半导体制冷器；印刷电路板，与所述雪崩二极管及所述半导体制冷器电性连接；尾纤，将光信号从所述密封腔体外引入所述密封腔体内并发射到所述雪崩二极管上。进一步地，所述雪崩二极管与所述半导体制冷器通过导热硅胶粘结。进一步地，所述雪崩信号产生装置还设有与所述半导体制冷器粘结的热敏电阻。进一步地，所述半导体制冷器与所述热敏电阻通过导热硅脂粘结，且所述热敏电阻靠近所述雪崩二极管。进一步地，所述密封腔体包括密闭壳体及顶盖。进一步地，所述密闭壳体及所述顶盖通过密封胶连接。进一步地，所述半导体制冷器设置于所述密闭壳体的底部，所述密闭壳体的底部外侧设有散热片。进一步地，所述印刷电路板与所述热敏电阻电性连接。进一步地，所述所述雪崩二极管、所述半导体制冷器及所述尾纤组成雪崩模块，所述雪崩信号产生装置设有两个雪崩模块。进一步地，所述雪崩信号产生装置设有若干隔热泡沫颗粒。通过本专利技术，可有效地提高所述雪崩信号产生装置的防水性能，同时在所述密封腔体内，可以放置多个雪崩模块，可以同时产生多路雪崩信号，而整体的成本相对于现有技术中的产生多路雪崩信号的方式要低很多。【附图说明】图1是本专利技术雪崩信号产生装置结构示意图。图2是本专利技术雪崩信号产生装置另一视角结构示意图。【具体实施方式】如图1，图2所示，所述雪崩信号产生装置100包括，雪崩二极管4，用于产生雪崩信号；半导体制冷器7，用于给所述雪崩二极管降温，提供雪崩信号产生的环境，通常使得所述雪崩二极管的工作温度达到零下40摄氏度；密封腔体5，收容所述雪崩二极管4及所述半导体制冷器7；印刷电路板2，与所述雪崩二极管4及所述半导体制冷器7电性连接；尾纤41，将光信号从所述密封腔体5外引入所述密封腔体5内并发射到所述雪崩二极管4上。为提高所述雪崩信号产生装置10的性能稳定性，所述雪崩信号产生装置100还设有与所述半导体制冷器7粘结的热敏电阻10，所述热敏电阻10设置于靠近所述雪崩二极管4的地方，以便检测所诉雪崩二极管4的工作温度。同时，为了提高所述雪崩信号产生装置100的工作温度的稳定性，所述雪崩信号产生装置内部还设有若干隔热泡沫颗粒3，以便降低所述雪崩二极管4与外界的热交换情况。本实施例中，所述密封腔体5由密闭壳体6及顶盖1组成，所述半导体制冷器7的产热面通过导热硅胶粘结设置于所述密闭壳体6的底部，所述密闭壳体6为金属壳体，有助于热传带，所述密闭壳体6的底部外侧设置由散热鳞片8，用于将所述半导体制冷器7的产热面的热烈尽可能快的吸收并散发掉。所述雪崩二极管4通过耐低温的硅胶粘结于所述半导体制冷器7的低温面，所述热敏电阻10同样通过所述耐低温的硅胶粘结于所述半导体制冷器7的低温面。所述密闭壳体6及所述顶盖1通过密封胶彼此粘合。本实施例中，所述印刷电路板2部分延伸入所述密封腔体5内，所述印刷电路板2通过导线于所述半导体制冷器7、所述雪崩二极管4及所述热敏电阻10连接。为满足同时产生两组或两组以上的雪崩信号的需要，所述所述雪崩二极管4、所述半导体制冷器7及所述尾纤41组成雪崩模块，可以根据需要，在所述密封腔体5内设置多个雪崩模块。本实施例中，所述雪崩信号产生装置100设有两个雪崩模块。以上所述仅为本专利技术的优选实施例而已，并不用于限制本专利技术，对于本领域的技术人员来说，本专利技术可以有各种更改和变化。凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种雪崩信号产生装置，其特征在于，包括：雪崩二极管，用于产生雪崩信号；半导体制冷器，用于给所述雪崩二极管降温；密封腔体，收容所述雪崩二极管及所述半导体制冷器；印刷电路板，与所述雪崩二极管及所述半导体制冷器电性连接；尾纤，将光信号从所述密封腔体外引入所述密封腔体内并发射到所述雪崩二极管上。

【技术特征摘要】
1.一种雪崩信号产生装置，其特征在于，包括：雪崩二极管，用于产生雪崩信号；半导体制冷器，用于给所述雪崩二极管降温；密封腔体，收容所述雪崩二极管及所述半导体制冷器；印刷电路板，与所述雪崩二极管及所述半导体制冷器电性连接；尾纤，将光信号从所述密封腔体外引入所述密封腔体内并发射到所述雪崩二极管上。2.根据权利要求1所述的雪崩信号产生装置，其特征在于，所述雪崩二极管与所述半导体制冷器通过导热硅胶粘结。3.根据权利要求1所述的雪崩信号产生装置，其特征在于，所述雪崩信号产生装置还设有与所述半导体制冷器粘结的热敏电阻。4.根据权利要求3所述的雪崩信号产生装置，其特征在于，所述半导体制冷器与所述热敏电阻通过导热硅脂粘结，且所述热敏电阻靠近所述雪崩二极管。5...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐生福，吴峡，谢海荣，
申请(专利权)人：浙江科易理想量子信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33