触控模组及其制备方法、触控屏和触控显示装置制造方法及图纸

技术编号:18006765 阅读:35 留言:0更新日期:2018-05-21 07:23
本发明专利技术提供了触控模组及其制备方法、触控屏和触控显示装置。触控模组包括:基板;设置在基板同侧的多根第一导线和多根第二导线,多根第一导线在第一方向上间隔设置,且沿与第一方向交叉的第二方向延伸;多根第二导线在第二方向上间隔设置,沿第一方向延伸,且与多根第一导线电性绝缘;磁场发生装置,磁场发生装置用于提供磁场,以使多根第一导线和多根第二导线发生形变时切割磁场的磁感应线。由此,该触控模组不仅可实现位置触控,而且还可以实现快压和慢压、重压和轻压的触控效果。此外,本发明专利技术的触控模组将3D触控效果和位置触控集于一体,可以降低触控模组的厚度,增加光透过率,提高亮度,且信号干扰较小,功耗较低。

【技术实现步骤摘要】
触控模组及其制备方法、触控屏和触控显示装置
本专利技术涉及显示
,具体的,涉及触控模组及其制备方法、触控屏和触控显示装置。
技术介绍
压力触控(ForceTouch)是一种立体触控技术,屏幕可感应不同的压力从而实现3D触控效果。压力触控(ForceTouch)可以增加人际交互体验,提升整个系统的美感和流畅度,给用户带来优越的体验,另外在手机同质化和硬件瓶颈的今天,压力触控(ForceTouch)担任着品牌差异化的重任,所以,为进一步提高市场竞争力,压力触控技术也在不断改进。因此,压力触控技术的研究有待深入。
技术实现思路
本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此,本专利技术的一个目的在于提出一种厚度薄、透过率高、亮度高、成本低、功耗低、信号干扰小或可实现快压和慢压、重压和轻压的触控模组。在本专利技术的一方面,本专利技术提供了一种触控模组。根据本专利技术的实施例,所述触控模组包括:基板;设置在所述基板同侧的多根第一导线和多根第二导线,所述多根第一导线在第一方向上间隔设置,且沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸;所述多根第二导线在所述第二方向上间隔设置,沿所述第一方向延伸,且与所述多根第一导线电性绝缘;磁场发生装置,所述磁场发生装置用于提供磁场,以使所述多根第一导线和所述多根第二导线发生形变时切割所述磁场的磁感应线。由此,在磁场的作用下,第一导线和第二导线发生形变时就会切割磁场的磁感应线,便会产生感应电流和感应电压,如此,通过检测感应电流或感应电压,不仅可实现位置触控,即根据受压变形的第一导线和第二导线的交叉位置确定触控位置,而且由于感应电流和感应电压的大小与第一导线和第二导线的切割磁感应线速度有关,因此还可以实现快压和慢压、重压和轻压的触控效果(3D触控效果)。此外,本专利技术的触控模组将3D触控效果和位置触控集于一体,即集成于同一层传感器,有效降低了触控模组的厚度,增加了光透过率,提高了亮度,且该触控模组信号干扰较小,触控方式属于无源压力触控,功耗较低。根据本专利技术的实施例,所述第一方向和所述第二方向相互垂直。根据本专利技术的实施例,所述磁场发生装置包括:第一磁场发生装置,所述第一磁场发生装置用于提供与所述第一导线相互交叉的第一磁场;第二磁场发生装置,所述第二磁场发生装置用于提供与所述第二导线相互交叉的第二磁场。根据本专利技术的实施例,所述第一磁场发生装置包括第一磁极对,所述第一磁极对包括第一S磁极和第一N磁极,所述第一S磁极和所述第一N磁极设置在所述基板相对的两侧;所述第二磁场发生装置包括第二磁极对,所述第二磁极对包括第二S磁极和第二N磁极,所述第二S磁极和所述第二N磁极设置在所述基板相对的两侧。根据本专利技术的实施例,所述第一磁场中的第一磁感应线与所述第一导线垂直,所述第二磁场中的第二磁感应线与所述第二导线垂直。根据本专利技术的实施例,所述第一磁场和所述第二磁场均为匀强磁场。在本专利技术的另一方面,本专利技术提供了一种触控屏。根据本专利技术的实施例,该触控屏包括前面所述的触控模组。由此,该触控屏不仅可以实现位置触控,还可以实现轻压和慢压、重压和轻压的触控效果,而且厚度轻薄,提高了消费者的体验效果以及市场竞争力。根据本专利技术的实施例,所述触控模组的基板构成所述触控屏的盖板。在本专利技术又一方面,本专利技术提供了一种触控显示装置。该触控显示装置包括前面所述的触控模组或触控屏。由此,该触控显示装置不仅可以具有位置触控的效果,还具有轻压和慢压、重压和轻压的3D触控效果,而且厚度轻薄,提高了消费者的体验效果以及市场竞争力。在本专利技术又一方面,本专利技术提供了一种制备触控模组的方法。根据本专利技术的实施例,该方法包括:在基板的同侧形成多根第一导线和多根第二导线,所述多根第一导线在第一方向上间隔设置,且沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸;所述多根第二导线在所述第二方向上间隔设置,沿所述第一方向延伸,且与所述多根第一导线电性绝缘;形成磁场发生装置,所述磁场发生装置用于提供磁场,以使所述多根第一导线和所述多根第二导线发生形变时切割所述磁场的磁感应线。由此,电路设计简单,制作工艺简单成熟,成本低,易于工业化生产,由该方法制备的触控模组在磁场的作用下,第一导线和第二导线发生形变时就会切割磁场的磁感应线,便会产生感应电流和感应电压,不仅可实现位置触控,即根据受压变形的第一导线和第二导线的交叉位置,便可以确定触控位置,而且由于感应电流和感应电压的大小与第一导线和第二导线切割磁感应线的速度有关,因此还可以实现快压和慢压、重压和轻压的触控效果(3D触控效果)。所以,本专利技术的触控模组将3D触控效果和位置触控集于一体,可以有效减小触控模组的厚度,增加光透过率,提高亮度,且该触控模组信号干扰较小,触控方式属于无源压力触控,功耗较低。附图说明图1是显示了本专利技术一个实施例中触控模组的结构示意图。图2是显示了本专利技术另一个实施例中触控模组的结构示意图。图3是显示了本专利技术又一个实施例中触控模组的结构示意图。图4是显示了本专利技术又一个实施例中触控屏的结构示意图。图5是显示了本专利技术又一个实施例中触控屏的结构示意图。图6是显示了本专利技术又一个实施例中制备触控模组的流程示意图。具体实施方式下面详细描述本专利技术的实施例。下面描述的实施例是示例性的,仅用于解释本专利技术,而不能理解为对本专利技术的限制。实施例中未注明具体技术或条件的,按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者,均为可以通过市购获得的常规产品。在本专利技术的一方面,本专利技术提供了一种触控模组。根据本专利技术的实施例,参照图1,所述触控模组包括:基板10;设置在基板10同侧的多根第一导线20和多根第二导线30,多根第一导线20在第一方向上间隔设置,且沿与第一方向交叉的第二方向延伸;多根第二导线30在第二方向上间隔设置,沿第一方向延伸,且与多根第一导线20电性绝缘;磁场发生装置40,磁场发生装置用于提供磁场,以使多根第一导线20和多根第二导线30发生形变时切割磁场的磁感应线。由此,在磁场的作用下,第一导线和第二导线发生形变时就会切割磁场的磁感应线,便会产生感应电流和感应电压,如此不仅可实现位置触控,即根据受压变形的第一导线和第二导线的交叉位置确定触控位置,而且由于感应电流和感应电压的大小与第一导线和第二导线切割磁感应线的速度有关,因此还可以实现快压和慢压、重压和轻压的触控效果(3D触控效果)。此外,本专利技术的触控模组将3D触控效果和位置触控集于一体,即集成于同一层传感器,可以有效降低触控模组的厚度,增加光透过率,提高亮度,且该触控模组信号干扰较小,触控方式属于无源压力触控,功耗较低。根据本专利技术的实施例,在磁场的作用下,第一导线和第二导线发生形变时就会切割磁场的磁感应线,便会产生感应电流和感应电压,根据感应电压公式ε=BLV,就可以计算出感应电压,其中B为磁场大小,L为导线长度,V为切割磁感应线的速度,手指按压时,第一导线和第二导线会发生形变而切割磁感应线,在相应位置的第一方向和第二方向上均可产生不同大小的感应电压及电流,信号沿线路传输到IC,通过IC接收该信号,定位受压位置在第一方向和第二方向上的坐标即可确定按压位置,同时还可以实现快压和慢压、轻压和重压的3D触控效果,具体的,第一导线和第二导线产生相同的形变量本文档来自技高网...
触控模组及其制备方法、触控屏和触控显示装置

【技术保护点】
一种触控模组,其特征在于,包括:基板;设置在所述基板同侧的多根第一导线和多根第二导线,所述多根第一导线在第一方向上间隔设置,且沿与所述第一方向相互交叉的第二方向延伸;所述多根第二导线在所述第二方向上间隔设置,沿所述第一方向延伸,且与所述多根第一导线电性绝缘;磁场发生装置,所述磁场发生装置用于提供磁场,以使所述多根第一导线和所述多根第二导线发生形变时切割所述磁场的磁感应线。

【技术特征摘要】
1.一种触控模组,其特征在于,包括:基板;设置在所述基板同侧的多根第一导线和多根第二导线,所述多根第一导线在第一方向上间隔设置,且沿与所述第一方向相互交叉的第二方向延伸;所述多根第二导线在所述第二方向上间隔设置,沿所述第一方向延伸,且与所述多根第一导线电性绝缘;磁场发生装置,所述磁场发生装置用于提供磁场,以使所述多根第一导线和所述多根第二导线发生形变时切割所述磁场的磁感应线。2.根据权利要求1所述的触控模组,其特征在于,所述第一方向和所述第二方向相互垂直。3.根据权利要求1所述的触控模组,其特征在于,所述磁场发生装置包括:第一磁场发生装置,所述第一磁场发生装置用于提供与所述第一导线相互交叉的第一磁场;第二磁场发生装置,所述第二磁场发生装置用于提供与所述第二导线相互交叉的第二磁场。4.根据权利要求3所述的触控模组,其特征在于,所述第一磁场发生装置包括第一磁极对,所述第一磁极对包括第一S磁极和第一N磁极,所述第一S磁极和所述第一N磁极设置在所述基板相对的两侧;所述第二磁场发生装置包括第二磁极对,所述第二磁极对包括第二S磁极和第...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄甫升张青许军刘同敏吴守政张恒
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司合肥京东方光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:北京,11

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