线性温度系数电压输出电路制造技术

本发明专利技术公开了一种线性温度系数电压输出电路，包括：一零温度系数电压基准模块、一线性正温度系数电压基准模块和一加减法模块；零温度系数电压基准模块用于产生零温度系数电压基准值，并将零温度系数电压基准值放大一第一预设放大倍数后传送至加减法模块；线性正温度系数电压基准模块用于产生线性正温度系数电压基准值，并将线性正温度系数电压基准值放大一第二预设放大倍数后传送至加减法模块；加减法模块将放大后的零温度系数电压基准值与放大后的线性正温度系数电压基准值进行和或差处理后，输出输出电路的线性温度系数电压，从而根据线性温度系数电压获得输出电路的温度。本发明专利技术所述电路具有测量准确、计算简单方便等特点。

【技术实现步骤摘要】
线性温度系数电压输出电路
本专利技术涉及电路温度监测
，尤其涉及一种线性温度系数电压输出电路。
技术介绍
在当前的很多电路应用中需要实时地监测系统的温度状况，从而根据所测量到的温度值进行控制、补偿或保护等功能。目前主要采用热敏电阻进行测量，通过其电阻值和温度的关系来计算温度，但是在实际操作中热敏电阻需要额外的电路来偏置，同时阻值和温度是指数关系，且计算公式相对复杂，不易使用。针对上述情况，需要提供一种新的用于监测系统温度状况的电压输出电路。且，提供一种线性温度系数的电压输出电路，以更好地解决现有技术中的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种线性温度系数电压输出电路，其利用零温度系数电压基准值和正温度系统电压基准值，并通过比较放大后相加或减而获得线性温度系数电压，从而根据所述线性温度系数电压而获得输出电路的相应温度。该电路具有测量准确、计算简单方便等特点。为了实现上述目的，本专利技术提供一种线性温度系数电压输出电路，包括：一零温度系数电压基准模块、一线性正温度系数电压基准模块和一加减法模块，所述零温度系数电压基准模块、所述线性正温度系数电压基准模块均与所述加减法模块电性连接；所述零温度系数电压基准模块用于产生零温度系数电压基准值，并将所述零温度系数电压基准值放大一第一预设放大倍数后传送至所述加减法模块；所述线性正温度系数电压基准模块用于产生线性正温度系数电压基准值，并将所述线性正温度系数电压基准值放大一第二预设放大倍数后传送至所述加减法模块；所述加减法模块将放大后的零温度系数电压基准值与放大后的线性正温度系数电压基准值进行和或差处理后，输出所述输出电路的线性温度系数电压，从而根据所述线性温度系数电压获得所述输出电路的温度。在本专利技术的一实施例中，所述零温度系数电压基准模块包括：零温度系数电压基准产生单元，用于产生所述零温度系数电压基准值；第一放大单元，与所述零温度系数电压基准产生单元和所述加减法模块电性连接，用于将所述零温度系数电压基准值放大后输出至所述加减法模块。在本专利技术的一实施例中，所述零温度系数电压基准产生单元包括：一第一三极管、一第二三极管、一第一电阻、一第二电阻、一第一P沟道MOS管、一第二P沟道MOS管、一第一N沟道MOS管、一第三电阻和一第四电阻；其中，所述第一P沟道MOS管的源极与第二P沟道MOS管的源极电性连接至供电电源，第一P沟道MOS管的栅极与所述第二P沟道MOS管的栅极电性连接，第一P沟道MOS管的漏极、第一N沟道MOS管的栅极均与第一三极管的集电极电性连接；所述第二P沟道MOS管的漏极电性连接至所述第二三极管的集电极；所述第一三极管的发射极电性连接至第一电阻的一端和第二电阻的一端，所述第一三极管的基极电性连接至所述第二三极管的基极、第三电阻的一端和第四电阻的一端；所述第二三极管的发射极电性连接至第一电阻的另一端，所述第二三极管的基极电性连接至所述第三电阻的一端和所述第四电阻的一端；第二电阻的另一端接地；所述第三电阻的一端电性连接至所述第四电阻的一端，所述第四电阻的另一端接地；第一N沟道MOS管的漏极电性连接至所述第一放大单元；第一N沟道MOS管的源极电性连接至第三电阻的另一端。在本专利技术的一实施例中，所述第一放大单元包括第三P沟道MOS管和第四P沟道MOS管，所述第三P沟道MOS管的源极与第四P沟道MOS管的源极电性连接至供电电源，所述第三P沟道MOS管的栅极电性连接至所述第四P沟道MOS管的栅极和所述第三P沟道MOS管的漏极，所述第三P沟道MOS管的漏极电性连接至所述第一N沟道MOS管的漏极，所述第四P沟道MOS管的漏极电性连接至所述加减法模块的第一输入端。在本专利技术的一实施例中，所述第一放大单元还包括：第二N沟道MOS管和第三N沟道MOS管，所述第二N沟道MOS管的源极与所述第三N沟道MOS管的源极接地，所述第二N沟道MOS管的漏极电性连接至所述第四P沟道MOS管漏极，所述第二N沟道MOS管的栅极电性连接至所述第二N沟道MOS管的漏极和所述第三N沟道MOS管的栅极，所述第三N沟道MOS管的漏极电性连接至所述加减法模块的第一输入端。在本专利技术的一实施例中，所述线性正温度系数电压基准模块包括：线性正温度系数电压基准产生单元，用于产生线性正温度系数电压基准值；第二放大单元，与所述线性正温度系数电压基准产生单元和所述加减法模块电性连接，用于将所述线性正温度系数电压基准值放大后输出至所述加减法模块。在本专利技术的一实施例中，线性正温度系数电压基准产生单元包括：一第一三极管、一第二三极管、一第一电阻、一第二电阻、一第一P沟道MOS管和一第二P沟道MOS管；其中，所述第一P沟道MOS管的源极与第二P沟道MOS管的源极电性连接供电电源，所述第一P沟道MOS管的栅极电性连接至第二P沟道MOS管的栅极，所述第一P沟道MOS管的漏极与第一三极管的集电极电性连接；所述第二P沟道MOS管的漏极电性连接至所述第二三极管的集电极；所述第一三极管的发射极电性连接至第一电阻的一端和第二电阻的一端，所述第一三极管的基极电性连接至所述第二三极管的基极；所述第二三极管的发射极电性连接至所述第一电阻的另一端；所述第一电阻的一端电性连接至所述第二电阻的一端，所述第二电阻的另一端接地。在本专利技术的一实施例中，第二放大单元包括：第二P沟道MOS管和第五P沟道MOS管，所述第二P沟道MOS管的栅极电性连接至所述第五P沟道MOS管的栅极，所述第五P沟道MOS管的源极电性连接至供电电源，第五P沟道MOS管的漏极电性连接至所述加减法模块的第二输入端。在本专利技术的一实施例中，所述加减法模块包括第五电阻，所述第五电阻的一端电性连接至第五P沟道MOS管的漏极和第三N沟道MOS管的漏极，所述第五电阻的另一端接地。在本专利技术的一实施例中，根据所述线性温度系数电压获得所述输出电路的温度包括：根据常温时所述输出电路的输出电压、一预先设定的目标斜率及所述线性温度系数电压确定所述输出电路的温度，其中，所述温度采用公式VT＝K(T-25)+Vc计算获得，K为预先设定的目标斜率，Vc为常温时所述输出电路的输出电压，VT为所述线性温度系数电压。在本专利技术的一实施例中，所述线性温度系数电压采用公式VT＝A*Vt+B*Vbg计算获得，其中VT为线性温度系数电压，Vt为线性正温度系数电压基准值，Vbg为零温度系数电压基准值，A为第一预设放大倍数，B为第二预设放大倍数。在本专利技术的一实施例中，所述第一预设放大倍数采用公式A＝K/K0计算获得，其中，K为预先设定的目标斜率，K0是与ΔVbe相对应的温度系数，ΔVbe根据ΔVbe＝Vt*lnN计算获得，lnN为常数，Vt为线性正温度系数电压基准值。在本专利技术的一实施例中，所述第二预设放大倍数采用公式B＝(A*Vt-Vc)/Vbg计算获得，其中，A*Vt为放大后的线性正温度系数电压基准值，Vc为常温时所述输出电路的输出电压，Vbg为零温度系数电压基准值。在本专利技术的一实施例中，所述线性温度系数电压采用公式VT＝A0*(R5/R1)*Vt*lnN-B0*(R5/R4)*Vbg计算获得，其中A＝A0*(R5/R1)*lnN，A0为第二P沟道MOS管和第五P沟道MOS管的宽长比例，B＝B0*(R5/R4)，B0＝B1*B2，B1为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种线性温度系数电压输出电路，其特征在于，包括：一零温度系数电压基准模块、一线性正温度系数电压基准模块和一加减法模块，所述零温度系数电压基准模块、所述线性正温度系数电压基准模块均与所述加减法模块电性连接；所述零温度系数电压基准模块用于产生零温度系数电压基准值，并将所述零温度系数电压基准值放大一第一预设放大倍数后传送至所述加减法模块；所述线性正温度系数电压基准模块用于产生线性正温度系数电压基准值，并将所述线性正温度系数电压基准值放大一第二预设放大倍数后传送至所述加减法模块；所述加减法模块将放大后的零温度系数电压基准值与放大后的线性正温度系数电压基准值进行和或差处理后，输出所述输出电路的线性温度系数电压，从而根据所述线性温度系数电压获得所述输出电路的温度。

【技术特征摘要】
1.一种线性温度系数电压输出电路，其特征在于，包括：一零温度系数电压基准模块、一线性正温度系数电压基准模块和一加减法模块，所述零温度系数电压基准模块、所述线性正温度系数电压基准模块均与所述加减法模块电性连接；所述零温度系数电压基准模块用于产生零温度系数电压基准值，并将所述零温度系数电压基准值放大一第一预设放大倍数后传送至所述加减法模块；所述线性正温度系数电压基准模块用于产生线性正温度系数电压基准值，并将所述线性正温度系数电压基准值放大一第二预设放大倍数后传送至所述加减法模块；所述加减法模块将放大后的零温度系数电压基准值与放大后的线性正温度系数电压基准值进行和或差处理后，输出所述输出电路的线性温度系数电压，从而根据所述线性温度系数电压获得所述输出电路的温度。2.根据权利要求1的线性温度系数电压输出电路，其特征在于，所述零温度系数电压基准模块包括：零温度系数电压基准产生单元，用于产生所述零温度系数电压基准值；第一放大单元，与所述零温度系数电压基准产生单元和所述加减法模块电性连接，用于将所述零温度系数电压基准值放大后输出至所述加减法模块。3.根据权利要求2的线性温度系数电压输出电路，其特征在于，所述零温度系数电压基准产生单元包括：一第一三极管、一第二三极管、一第一电阻、一第二电阻、一第一P沟道MOS管、一第二P沟道MOS管、一第一N沟道MOS管、一第三电阻和一第四电阻；其中，所述第一P沟道MOS管的源极与第二P沟道MOS管的源极电性连接至供电电源，第一P沟道MOS管的栅极与所述第二P沟道MOS管的栅极电性连接，第一P沟道MOS管的漏极、第一N沟道MOS管的栅极均与第一三极管的集电极电性连接；所述第二P沟道MOS管的漏极电性连接至所述第二三极管的集电极；所述第一三极管的发射极电性连接至第一电阻的一端和第二电阻的一端，所述第一三极管的基极电性连接至所述第二三极管的基极、第三电阻的一端和第四电阻的一端；所述第二三极管的发射极电性连接至第一电阻的另一端，所述第二三极管的基极电性连接至所述第三电阻的一端和所述第四电阻的一端；第二电阻的另一端接地；所述第三电阻的一端电性连接至所述第四电阻的一端，所述第四电阻的另一端接地；第一N沟道MOS管的漏极电性连接至所述第一放大单元；第一N沟道MOS管的源极电性连接至第三电阻的另一端。4.根据权利要求3的线性温度系数电压输出电路，其特征在于，所述第一放大单元包括第三P沟道MOS管和第四P沟道MOS管，所述第三P沟道MOS管的源极与第四P沟道MOS管的源极电性连接至供电电源，所述第三P沟道MOS管的栅极电性连接至所述第四P沟道MOS管的栅极和所述第三P沟道MOS管的漏极，所述第三P沟道MOS管的漏极电性连接至所述第一N沟道MOS管的漏极，所述第四P沟道MOS管的漏极电性连接至所述加减法模块的第一输入端。5.根据权利要求4的线性温度系数电压输出电路，其特征在于，所述第一放大单元还包括：第二N沟道MOS管和第三N沟道MOS管，所述第二N沟道MOS管的源极与所述第三N沟道MOS管的源极接地，所述第二N沟道MOS管的漏极电性连接至所述第四P沟道MOS管漏极，所述第二N沟道MOS管的栅极电性连接至所述第二N沟道MOS管的漏极和所述第三N沟道MOS管的栅极，所述第三N沟道MOS管的漏极电性连接至所述加减法模块的第一输入端。6.根据权利要求4的线性温度系数电压输出电路，其特征在于，所述线性正温度系数电压基准模块包括：线性正温度系数电压基准产生单元，用于产生线性正温度系数电压基准值；第二放大单元，与所述线性正温度系数电压基准产生单元和所述加减法模块电性连接，用于将所述线性正温度系数电...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄河，郁炜嘉，易坤，
申请(专利权)人：上海晶丰明源半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31