一种高密度色温可调COB制造方法技术

本发明专利技术涉及一种LED的制造方法，特别是涉及一种高密度色温可调COB制造方法。本发明专利技术的技术方案是：加热荧光薄膜并同时对密闭空间抽真空，使分离薄膜在抽真空过程中压紧荧光薄膜，并使薄膜伸出部受热软化并下垂贴合到第一蓝光LED芯片的侧面，形成半成品。本发明专利技术提出的高密度色温可调COB制造方法可通过在蓝光LED芯片上设置荧光薄膜形成低色温光源并实现高密度排布。

【技术实现步骤摘要】
一种高密度色温可调COB制造方法
本专利技术涉及一种LED的制造方法，特别是涉及一种高密度色温可调COB制造方法。
技术介绍
在LED应用中，所谓CSP(ChipScalePackage，芯片级封装)光源是指一类LED器件，其核心部分为蓝宝石衬底的倒装蓝光芯片，除带有正负电极的焊脚一面外，其部分表面被荧光粉胶膜覆盖。其中，正负焊脚通过焊锡连接到应用的线路基板上。由于CSP光源只是采用荧光粉胶膜包覆住倒装芯片的结构，因此免除了传统LED光源的大部分封装步骤，使得封装体尺寸小，达到封装体体积不大于倒装芯片体积的20％。当CSP光源通电后，荧光胶被蓝光激发，混合后形成不同色温和显指的白光。现有技术中，如中国专利技术专利CN107039411A涉及的一种“采用CSP芯片和倒装蓝光LED芯片封装的白光LEDCOB的结构及制备方法”，其技术方案是：多串并联的倒装蓝光LED芯片和多串并联的低色温CSP光源分别共同连接至一个正极和一个负极，形成双电路结构；或者多串并联的倒装蓝光LED芯片和多串并联的低色温CSP光源并联后共同连接至一个正极和一个负极，形成单电路结构；两种电路结构分别焊接并均匀分布在COB基板上，并经过COB基板上的线路分别与对应的电极相连；在两种电路结构的周围区域设有由白色围坝胶构成的围坝，围坝内的空白区域内填充有高色温荧光粉硅胶，形成白光LEDCOB结构。其技术缺陷在于：所述低色温CSP光源通过蓝光LED芯片与荧光胶成形之后再固定到基板上从而无法做到高密度排布。
技术实现思路
本专利技术提出一种高密度色温可调COB制造方法，可通过在蓝光LED芯片上设置荧光薄膜形成低色温光源并实现高密度排布。本专利技术的技术方案是：一种高密度色温可调COB制造方法，包括以下步骤：（1）布置设有线路的基板；（2）在所述基板上设有安装区域，在安装区域内阵列布置若干蓝光LED芯片，所述蓝光LED芯片包括第一蓝光LED芯片和若干第二蓝光LED芯片，第一蓝光LED芯片和第二蓝光LED芯片在横向和纵向方向上间隔分布；（3）通过固晶机将荧光薄膜贴在第一蓝光LED芯片的顶面，荧光薄膜四周超出第一蓝光LED芯片顶面的部分为薄膜伸出部，薄膜伸出部的伸出宽度大于第一蓝光LED芯片的高度；（4）在所述安装区域的上方布置分离薄膜，使分离薄膜的边缘与基板顶面贴合，分离薄膜与安装区域围成密闭空间，所述蓝光LED芯片和荧光薄膜设在密闭空间内；（5）加热所述荧光薄膜并同时对密闭空间抽真空，使分离薄膜在抽真空过程中压紧荧光薄膜，并使所述薄膜伸出部受热软化并下垂贴合到第一蓝光LED芯片的侧面，形成半成品；（6）揭去分离薄膜，烘烤所述半成品，使荧光薄膜固化；（7）在所述安装区域周围贴装围堰，在围堰内点胶，烘烤成型，形成最终产品。作为改进，所述步骤（2）中，第一蓝光LED芯片和第二蓝光LED芯片为倒装LED芯片。作为改进，所述步骤（5）中的加热温度为100~110℃，加热时间为3~4min。作为改进，所述步骤（5）中，使用具有加热功能的抽真空设备完成所述加热与抽真空步骤。作为改进，所述步骤（6）中，烘烤固化温度为150℃，烘烤固化时间为3h。作为改进，所述步骤（5）中，抽真空时，在分离薄膜的四周同时对密闭空间抽真空。本专利技术对比现有技术的有益效果是：倒装LED芯片之间的间隙小，封装密度高，使同等面积下的LED产品亮度更高。附图说明图1为贴荧光薄膜的侧视图。图2为分离薄膜的布置侧视图。图3为分离薄膜的布置俯视图。图4为加热后的荧光薄膜示意图。图5为烘烤成型后的产品示意图。图6为贴荧光薄膜的俯视图。说明书与说明书附图涉及的名词与标号包括：基板1、第一蓝光LED芯片2、第二蓝光LED芯片3、线路4、助焊剂5、荧光薄膜6、薄膜伸出部7、密闭空间8、围堰9、分离薄膜10。具体实施方式下面结合说明书附图对本专利技术作进一步说明。如图5所示，一种高密度色温可调COB，包括设有线路的基板1和若干设在基板上的蓝光LED芯片，所述基板上设有安装区域，所述蓝光LED芯片包括若干设在安装区域内的第一蓝光LED芯片2和第二蓝光LED芯片3。蓝光LED芯片的电极与基板1的线路连接。所述第一蓝光LED芯片1上设有荧光薄膜7，荧光薄膜7覆盖第一蓝光LED芯片2的顶面和侧面。所述安装区域的周围设有围堰9，围堰9内设有覆盖所述蓝光LED芯片和荧光薄膜7的荧光胶层。一种高密度色温可调COB制造方法，包括以下步骤：（1）如图1所示，布置设有线路4的基板1；（2）如图1所示，在基板1上设有安装区域，在安装区域内阵列布置若干蓝光LED芯片，所述蓝光LED芯片包括第一蓝光LED芯片2和若干第二蓝光LED芯片3，第一蓝光LED芯片2和第二蓝光LED芯片3在横向和纵向方向上间隔分布；第一蓝光LED芯片2和第二蓝光LED芯片3为倒装LED芯片，第一蓝光LED芯片2和第二蓝光LED芯片3的电极与基板1的线路4接触，蓝光LED芯片的电极与线路4之间涂有助焊剂5；（3）如图1所示，通过固晶机将荧光薄膜6贴在第一蓝光LED芯片2的顶面，荧光薄膜6四周超出第一蓝光LED芯片2顶面的部分为薄膜伸出部7，薄膜伸出部7的伸出宽度大于第一蓝光LED芯片2的高度，薄膜伸出部7的伸出宽度小于两个临近芯片之间的距离；（4）如图2所示，在安装区域的上方布置分离薄膜10，使分离薄膜10的边缘与基板1顶面贴合，分离薄膜10与安装区域围成密闭空间8，所述蓝光LED芯片和荧光薄膜6设在密闭空间8内；（5）如图3所示，使用具有加热功能的抽真空设备加热荧光薄膜6并同时对密闭空间8抽真空，抽真空时，在分离薄膜6的四周同时对密闭空间8抽真空，加热温度为100~110℃，加热时间为3~4min，使分离薄膜10在抽真空过程中均匀地压紧荧光薄膜6，并使薄膜伸出部7受热软化并下垂贴合到第一蓝光LED芯片2的侧面，使荧光薄膜6覆盖第一蓝光LED芯片2的五面，形成半成品；（6）如图3和4所示，揭去分离薄膜10，烘烤半成品，使荧光薄膜6固化；烘烤固化温度为150℃，烘烤固化时间为3h；（7）如图5所示，在安装区域周围贴装围堰9，在围堰9内点胶，烘烤成型，形成最终产品。如图3和6所示，第二蓝光LED芯片3配合荧光胶层形成高色温光源，第一蓝光LED芯片2上贴有荧光薄膜6并配合荧光胶层形成低色温光源，第一蓝光LED芯片2和第二蓝光LED芯片3间隔并交错分布，使LED产品的高低色温发光单元布光均匀。第一蓝光LED芯片2和第二蓝光LED芯片3之间的间隙小，对比现有技术中使用CSP芯片作为低色温光源的方案，可在同等面积下实现更高密度的LED芯片封装，使LED产品功率更大、亮度更高。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高密度色温可调COB制造方法，其特征在于包括以下步骤：（1）布置设有线路的基板；（2）在所述基板上设有安装区域，在安装区域内阵列布置若干蓝光LED芯片，所述蓝光LED芯片包括第一蓝光LED芯片和若干第二蓝光LED芯片，第一蓝光LED芯片和第二蓝光LED芯片在横向和纵向方向上间隔分布；（3）通过固晶机将荧光薄膜贴在第一蓝光LED芯片的顶面，荧光薄膜四周超出第一蓝光LED芯片顶面的部分为薄膜伸出部，薄膜伸出部的伸出宽度大于第一蓝光LED芯片的高度；（4）在所述安装区域的上方布置分离薄膜，使分离薄膜的边缘与基板顶面贴合，分离薄膜与安装区域围成密闭空间，所述蓝光LED芯片和荧光薄膜设在密闭空间内；（5）加热所述荧光薄膜并同时对密闭空间抽真空，使分离薄膜在抽真空过程中压紧荧光薄膜，并使所述薄膜伸出部受热软化并下垂贴合到第一蓝光LED芯片的侧面，形成半成品；（6）揭去分离薄膜，烘烤所述半成品，使荧光薄膜固化；（7）在所述安装区域周围贴装围堰，在围堰内点胶，烘烤成型，形成最终产品。

【技术特征摘要】
1.一种高密度色温可调COB制造方法，其特征在于包括以下步骤：（1）布置设有线路的基板；（2）在所述基板上设有安装区域，在安装区域内阵列布置若干蓝光LED芯片，所述蓝光LED芯片包括第一蓝光LED芯片和若干第二蓝光LED芯片，第一蓝光LED芯片和第二蓝光LED芯片在横向和纵向方向上间隔分布；（3）通过固晶机将荧光薄膜贴在第一蓝光LED芯片的顶面，荧光薄膜四周超出第一蓝光LED芯片顶面的部分为薄膜伸出部，薄膜伸出部的伸出宽度大于第一蓝光LED芯片的高度；（4）在所述安装区域的上方布置分离薄膜，使分离薄膜的边缘与基板顶面贴合，分离薄膜与安装区域围成密闭空间，所述蓝光LED芯片和荧光薄膜设在密闭空间内；（5）加热所述荧光薄膜并同时对密闭空间抽真空，使分离薄膜在抽真空过程中压紧荧光薄膜，并使所述薄膜伸出部受热软化并下垂贴合到第一蓝光LED芯片的侧面，形成半成品；（6）揭去分离薄膜，烘...

【专利技术属性】
技术研发人员：莫宜颖，王芝烨，黄巍，
申请(专利权)人：鸿利智汇集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44