【技术实现步骤摘要】
一种MIM电容制造方法
本专利技术涉及半导体制造工艺
,尤其涉及一种MIM电容制造方法。
技术介绍
MIM电容是作为器件中被动组件除电感电阻外的一部份。其中MIM电容需靠两个金属电板及中间一层介电层形成主结构,另外两层金属板有部份也作金属连接层,层间需有一道低介电系数的聚合物层(POLYIMIDE)降低高频下的层间电容。现有技术在制作MIM电容时,包括以下步骤:下层电板的制作、氮化硅介电层沉积、介电层的开孔、制作聚合物层、聚合物层的开孔、上层电板的制作。然而现有技术在对厚度薄的电容介电层(氮化硅)表面作上层电极时,在对聚合物(POLYIMIDE)开孔的步骤中,刻蚀到介电层表面时容易造成击穿电压及可靠度下降。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的不足,提供一种MIM电容制造方法。本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的:一种MIM电容制造方法,包括以下步骤:S1:在下层金属电板上利用金属M1光罩光刻、金属蒸镀以及liftoff反转方式,得到带有M1图形的下层金属电板;S2:在带有M1图形的下层金属电板上,沉积一层氮化硅介电层;S3:在氮化硅介电层上光刻出NM图形;S4:在NM图形内部的氮化硅介电层上溅镀Ti/TiN/TaN或蒸镀Ti,作为上层金属电板;S5:对上层金属电板进行liftoff去胶;S6:在氮化硅介电层和上层金属电板上沉积一层氮化硅保护层;S7:利用PV光罩,对氮化硅保护层进行开孔至上层金属电板;S8:采用旋涂方式制作聚合物层;S9:利用PV光罩,对聚合物层进行开孔至上层金属电板;S10:在利用金属M2光罩光刻出M2图形,金属蒸镀 ...
【技术保护点】
一种MIM电容制造方法,其特征在于:包括以下步骤:S1:在下层金属电板上利用金属M1光罩光刻、金属蒸镀以及liftoff反转方式,得到带有M1图形的下层金属电板;S2:在带有M1图形的下层金属电板上,沉积一层氮化硅介电层;S3:在氮化硅介电层上光刻出NM图形;S4:在NM图形内部的氮化硅介电层上溅镀Ti/TiN/TaN或蒸镀Ti,作为上层金属电板;S5:对上层金属电板进行liftoff去胶;S6:在氮化硅介电层和上层金属电板上沉积一层氮化硅保护层;S7:利用PV光罩,对氮化硅保护层进行开孔至上层金属电板;S8:采用旋涂方式制作聚合物层;S9:利用PV光罩,对聚合物层进行开孔至上层金属电板;S10:利用金属M2光罩光刻出M2图形,金属蒸镀后采取liftoff反转方式,得到金属连接层M2。
【技术特征摘要】
1.一种MIM电容制造方法,其特征在于:包括以下步骤:S1:在下层金属电板上利用金属M1光罩光刻、金属蒸镀以及liftoff反转方式,得到带有M1图形的下层金属电板;S2:在带有M1图形的下层金属电板上,沉积一层氮化硅介电层;S3:在氮化硅介电层上光刻出NM图形;S4:在NM图形内部的氮化硅介电层上溅镀Ti/TiN/TaN或蒸镀Ti,作为上层金属电板;S5:对上层金属电板进行liftoff去胶;S6:在氮化硅介电层和上层金属电板上沉积一层氮化硅保护层;S7:利用PV光罩,对氮化硅保护层进行开孔至上层金属电板;S8:采用旋涂方式制作聚合物层;S9:利用PV光罩,对聚合物层进行开孔至上层金属电板;S10:利用金属M2光罩光刻...
【专利技术属性】
技术研发人员:谢骞,
申请(专利权)人:成都海威华芯科技有限公司,
类型:发明
国别省市:四川,51
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