一种读出放大器制造技术

本发明专利技术提供一种读出放大器，用于读出介层窗式只读存储器，包括：读出电路，连接至所述介层窗式只读存储器；自适应保持电路，连接至所述读出电路；以及泄漏监测电路，连接至所述自适应保持电路以形成电流镜，使得当发生位线泄漏时，所述自适应保持电路补偿介层窗断开的存储单元的读出电压。采用上述技术方案，可以补偿介层窗断开的存储单元的读出电压。

【技术实现步骤摘要】
一种读出放大器
本专利技术涉及读出放大器领域，特别是涉及一种用于读出介层窗式只读存储器(Via-ROM)的读出放大器。
技术介绍
随着半导体技术的发展，专利技术了各种不同的存储器。介层窗式只读存储器(Via-ROM)通过介层窗记录数据。请参阅图1，图1示出了Via-ROM900的例子。Via-ROM900包括多个字线WL1，WL2，WL3…WLn，多个位线BL1,BL2…BLm以及多个存储单元，例如代码为0的若干单元C90(code-0cellsC90)以及代码为1的若干单元C91(code-1cellsC91)。例如，位线上的电压一开始会被充到高电位，代码为0的单元C90的源极接地，代码为0的单元C90的漏极的介层窗导通(在图1中以实心点表示)，在连接至单元C90栅极的字线WL2上的电压为高电平时，位线BLm通过单元C90连接至接地，即此时位线BLm上的读出电压为低电平，即代码为0的单元C90的读出电压为地电平。代码为1的单元C91的源极接地，代码为1的单元C91漏极的介层窗断开，在连接至单元C91栅极的字线WL3上的电压为高电平，而其他字线为低电平时，位线BLm仍可保持高电平，此时位线BLm的读出电压为高电平，即代码为1的单元C91的读出电压为高电平。一个选中的代码为1的单元C91的读出电压可能会由于发生在其他代码为0的单元C90上的位线泄漏而降低，即虽然其他代码为0的单元C90没有被选中，即相应的MOS管没有被导通，但是也有漏电流，所以引起位线上的电压变低。如果在一个位线上形成有大量的代码为0的单元C90，那么在这条位线上的代码为1的单元C91的读出电压可能会极大的下降，且不能被准确的识别出来。特别是，在高速via-ROM或者高温环境下，位线泄漏容易发生，并且代码为1的单元C91的读出电压不能被准确的识别出来。因此，如何补偿受位线泄漏影响的读出电压是现今的一个重要课题。
技术实现思路
本专利技术提供一种读出放大器，主要解决的技术问题是如何补偿受位线泄漏影响的介层窗式只读存储器的读出电压。本专利技术实施例提供一种读出放大器，用于读出介层窗式只读存储器，包括：读出电路，连接至所述介层窗式只读存储器；自适应保持电路，连接至所述读出电路；以及泄漏监测电路，连接至所述自适应保持电路以形成电流镜，使得当发生位线泄露时，所述自适应保持电路补偿介层窗断开的存储单元的读出电压。本专利技术另一实施例提供一种读出放大器，用于读出介层窗式只读存储器，包括：读出电路，连接至所述介层窗式只读存储器；混合保持电路，连接至所述读出电路，其中，所述混合保持电路包括静态保持电路以及自适应保持电路，其中所述静态保持电路和所述自适应保持电路并列连接；以及泄漏监测电路，连接至所述自适应保持电路以形成电流镜，使得当发生位线泄露时，所述自适应保持电路补偿介层窗断开的存储单元的读出电压。本专利技术又一实施例提供一种读出放大器，包括读出电路，所述读出电路的输入端与所述介层窗式只读存储器的位线连接，所述读出电路的输出端输出所述介层窗式只读存储器的位线的读出电压，其中，所述位线的读出电压为介层窗断开的存储单元的读出电压；虚拟模块，所述虚拟模块包括虚拟位线和连接至所述虚拟位线的虚拟单元，所述虚拟单元与耦接于所述位线的介层窗导通的单元具有相同的设置；电流镜模块，与所述读出电路耦接，用于基于所述虚拟位线的电流产生泄漏电流，并根据所述泄漏电流输出第一补偿电流，以补偿介层窗断开的存储单元的读出电压。本专利技术又一实施例提供一种读出放大器，用于读出介层窗式只读存储器，包括：读出电路，所述读出电路的输入端与所述介层窗式只读存储器的位线连接，所述读出电路的输出端输出所述介层窗式只读存储器的位线的读出电压，其中，所述位线的读出电压为介层窗断开的存储单元的读出电压；虚拟模块，所述虚拟模块包括虚拟单元，所述虚拟单元与耦接于所述位线的介层窗导通的单元具有相同的设置；电流镜模块，与所述读出电路耦接，用于基于所述虚拟单元的漏电流产生泄漏电流，并根据所述泄漏电流输出第一补偿电流，以补偿介层窗断开的存储单元的读出电压。本专利技术的读出放大器通过利用电流镜模块，或者通过利用泄漏监测电路和自适应保持电路形成的电流镜，可以补偿介层窗式只读存储器位线的读出电压，即补偿介层窗断开的存储单元的读出电压。附图说明图1是现有技术中介层窗式只读存储器(Via-Rom)的示例。图2示出读出放大器的一实施例。图3示出读出放大器的另一实施例。图4示出读出放大器的又一实施例。具体实施方式请参阅图2，图2示出了根据本专利技术一实施例的读出放大器SA1。读出放大器SA1用于读出介层窗式只读存储器(Via-ROM)100的位线BL。读出放大器SA1包括读出电路RO1、虚拟模块DM1和电流镜模块CM1(包括泄漏监测电路LM1和自适应保持电路AK1)。读出电路RO1与介层窗式只读存储器100耦接；读出电路R01用于读取Via-ROM100的一个存储单元的读出电压，例如介层窗断开的代码为1的单元C1，或者介层窗导通的代码为0的单元。代码为1的单元C1连接至字线WL1和位线BL。由于代码为1的单元C1的介层窗断开，代码为1的单元C1的读出电压应为高电平。然而，当发生位线泄漏时，代码为1的单元C1的读出电压可能会降低，即位线BL上的电压可能会降低。泄漏监测电路LM1用于提供泄露电路Ioff。泄漏监测电路LM1和自适应保持电路AK1耦接成电流镜，使得当位线泄露发生时，自适应保持电路AK1能补偿代码为1的单元C1的读出电压。泄漏监测电路LM1的泄漏电流Ioff与自适应保持电路AK1的驱动具有正向关系。当温度高或者Via-ROM的速度快时，容易发生位线泄漏。泄漏监测电路LM1的泄漏电流Ioff较高，并且自适应保持电路AK1的驱动也较高。因此，即使代码为1的单元C1的读出电压在位线泄漏的影响下极大地下降，自适应保持电路AK1也有足够的驱动能力以补偿代码为1的单元C1的读出电压。如果温度低或者Via-ROM100的速度慢，则不容易发生位线泄漏。泄漏监测电路LM1的泄漏电流Ioff较低，并且自适应保持电路AK1的驱动也较低。因此，当代码为1的单元C1的读出电压在位线泄漏的影响下没有下降或者稍稍下降，自适应保持电路AK1也有较低的驱动能力以略微补偿代码为1的单元C1的读出电压。此外，当代码为0的单元(未示出)被读出时，自适应保持电路AK1有较低的驱动能力或者没有驱动能力，这样一来代码为0的单元(未示出)的读出电压可以被准确地降低至接地。因此，即使在高速via-ROM中或者高温环境下发生位线泄漏，代码为1的单元C1以及代码为0的单元(未示出)的读出电压也可以被分别准确地识别。参阅图2，泄露监测电路LM1的晶体管T16的栅极与自适应保持电路AK1的晶体管T14的栅极连接，以及晶体管T16的栅极与晶体管T16的源极/漏极连接。晶体管T16的偏置电压Vbias驱动晶体管T14导通。在该实施例中，电流镜模块CM1中的泄漏监测电路LM1与读出电路RO1基本相同。准确的说，电流镜模块CM1可包括读出电路RO1的复制电路。泄漏监测电路LM1耦接多个虚拟单元，例如多个代码为0(code-0)的单元C0’。每一个代码为0(code-0)的单元C0’的栅极连接虚拟字线WL’，该虚拟本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种读出放大器，其特征在于，用于读出介层窗式只读存储器，包括：读出电路，连接至所述介层窗式只读存储器；自适应保持电路，连接至所述读出电路；以及泄漏监测电路，连接至所述自适应保持电路以形成电流镜，使得当发生位线泄漏时，所述自适应保持电路补偿介层窗断开的存储单元的读出电压。

【技术特征摘要】
2016.10.26 US 62/412,881;2017.04.20 US 15/492,0141.一种读出放大器，其特征在于，用于读出介层窗式只读存储器，包括：读出电路，连接至所述介层窗式只读存储器；自适应保持电路，连接至所述读出电路；以及泄漏监测电路，连接至所述自适应保持电路以形成电流镜，使得当发生位线泄漏时，所述自适应保持电路补偿介层窗断开的存储单元的读出电压。2.如权利要求1所述的读出放大器，其特征在于，所述泄漏监测电路的泄漏电流与所述自适应保持电路的驱动具有正向关系。3.如权利要求1所述的读出放大器，其特征在于，所述泄漏监测电路的晶体管的栅极与所述自适应保持电路的晶体管的栅极相连。4.如权利要求1所述的读出放大器，其特征在于，所述泄漏监测电路包括所述读出电路的复制电路。5.如权利要求1所述的读出放大器，其特征在于，与所述泄漏监测电路连接的虚拟单元的数量可被编程设置。6.如权利要求1所述的读出放大器，其特征在于，所述读出电路的输出端输出所述介层窗断开的存储单元的读出电压；所述自适应保持电路用于补偿所述输出端输出的介层窗断开的存储单元的读出电压；或者，所述自适应保持电路用于补偿所述读出电路中串联的第一晶体管和所述第二晶体管之间的连接节点上的电压；所述第一晶体管的一端为所述读出电路的输出端。7.如权利要求1或者6所述的读出放大器，其特征在于，还包括：静态保持电路，耦接所述读出电路，用于补偿介层窗断开的存储单元的读出电压。8.一种读出放大器，其特征在于，用于读出介层窗式只读存储器，包括：读出电路，连接至所述介层窗式只读存储器；混合保持电路，连接至所述读出电路，其中，所述混合保持电路包括静态保持电路以及自适应保持电路，其中所述静态保持电路和所述自适应保持电路并列连接；以及泄漏监测电路，连接至所述自适应保持电路以形成电流镜，使得当发生位线泄露时，所述自适应保持电路补偿介层窗断开的存储单元的读出电压。9.如权利要求8所述的读出放大器，其特征在于，所述静态保持电路的驱动小于所述自适应保持电路的驱动。10.如权利要求8所述的读出放大器，其特征在于，所述泄漏监测电路的泄漏电流与所述自适应保持电路的驱动具有正向关系。11.如权利要求8所述的读出放大器，其特征在于，所述泄漏监测电路的晶体管的栅极与所述自适应保持电路的晶体管的栅极相连。12.如权利要求8所述的读出放大器，其特征在于，所述泄漏监测电路包括所述读出电路的复制电路。13.如权利要求8所述的读出放大器，其特征在于，与所述泄漏监测电路连接的虚拟单元的数量可被编程设置。14.一种读出放大器，用于读出介层窗式只读存储器，其特征在于，包括：读出电路，所述读出电路的输入端与所述介层窗式只读存储...

【专利技术属性】
技术研发人员：王嘉维，赖淑琳，邱议德，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71