一种杜绝干法空心瓷套高温变形的烧成方法技术

本发明专利技术公开了一种干法瓷套高温下烧成调节方法，在还原阶段温度从970℃上升到止火温度，并且控制控制瓷套上下部温度低，中间温度高，通过降低局部区域温度，有效杜绝变形缺陷的产生；通过对窑炉在高温下局部区域的温度，进行一定范围内的降低，对烧成调节方法进行完善与改进，适用于百万伏空心瓷套坯件的烧成，形成统一的规范，有效杜绝变形的产生。

A sintering method to eliminate the high temperature deformation of dry hollow ceramic bushing

The invention discloses an adjustment method for the high temperature sintering at high temperature of the dry process. The temperature rises from 970 to the fire stop temperature in the reduction stage, and controls and controls the low temperature in the upper and lower parts of the porcelain sleeve, the middle temperature is high, and the deformation defects are effectively eliminated by reducing the local area temperature, and through the temperature of the local area under the high temperature of the kiln. Degree, in a certain range of reduction, the firing regulation method to improve and improve, suitable for million volt hollow porcelain blanks burning, forming a unified standard, effectively eliminate the production of deformation.

【技术实现步骤摘要】
一种杜绝干法空心瓷套高温变形的烧成方法
本专利技术属于电瓷产品生产领域，涉及一种杜绝干法空心瓷套高温变形的烧成方法。
技术介绍
在电瓷行业，干法空心瓷套，具有内孔大、壁厚小、伞裙多、坯件高的特点，坯底座由于自重及与窑面接触面积小的原因，高温下软化，出现了批量的直线度超标现象(变形)。上孔在高温软化下，重心会出现偏移，产生变形，干法瓷套烧成高温变形问题严重影响了产品的成品率。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术提供一种杜绝干法空心瓷套高温变形的烧成方法，通过降低局部区域温度，有效杜绝变形缺陷的产生，提高了瓷套整体质量，为后续瓷件装配提供了保证。为了达到上述目的，本专利技术采用以下方案：一种杜绝干法空心瓷套高温变形的烧成方法，包括以下步骤：步骤一、小火升温阶段由室温升温至300℃，升温速度为20-25℃/h，保证坯体内的水份充分排出；步骤二、氧化分解阶段此阶段包括快速升温阶段和中火保温阶段，具体如下：快速升温阶段从300℃升温到980℃，升温速度保持在35-50℃/h；中火保温阶段从980℃升温到985℃，在确保温度稳定的情况下，使窑内氧气的体积含量控制在9％-13％；步骤三、还原阶段温度从970℃上升到止火温度，控制每一个区瓷套上下部对应的上、下两副控点温度低，中间主控点温度高，升温速度一般控制在(10-20)℃/h；步骤四、高火保温阶段在止火温度点保温0.5-1小时，止火温度为1250℃～1300℃；步骤五、冷却阶段从止火温度冷却到室温时为止，耗时30-45小时。进一步，步骤三和步骤四过程中，主控点温度与工艺给定温度同步，温差控制在±2℃。进一步，步骤三中窑炉各区一次风流量控制在320-340m3/h，天然气流量控制在25-28m3/h，各区下部点火阀支管开度调整到20-30％，使下部实际温度比中间主控点温度低8-12℃，直到止火。进一步，步骤三中窑内处于渗氧状态，空气与燃气的比例控制在(12.5-13.5)：1。进一步，步骤四中窑炉各区一次风流量控制在330-350m3/h，天然气流量控制在23-26m3/h，各区上部点火阀支管开度调整到25-35％，使上部实际温度比中间主控点温度低10-12℃，直到止火。进一步，步骤四中窑内处于渗氧状态，空气与燃气的比例为(13.5-15.5)：1。本专利技术的杜绝干法空心瓷套高温变形的烧成方法，在小火升温阶段升温速度较慢，在个别关键时间点进行适当的保温，以保证坯体内的水份(包括机械结合水、结晶水、吸附水)充分排出，减小坯体出现小火开裂、断裂等现象；在氧化分解阶段包括快速升温阶段和中火保温阶段排除结构水，实现有机物、碳的氧化，碳酸盐及硫化物的分解，晶型转变；在还原阶段实现硫酸盐的分解，液相形成并溶解固相，形成新晶相和晶体生长，釉的熔融。整个过程主要采用还原气氛，即按照不同阶段控制窑内CO的含量在某一范围内，达到烧成的目的，一般情况下，此阶段气体分析中只包括CO与CO2，冷却阶段从烧成终了开始冷却到室温时为止，整个过程耗时30-45小时，坯体内的液相由塑性状态开始凝固成玻璃相，并实现晶型转变，同时伴随着重量、体积、气孔率、颜色、坯体强度、硬度的变化及变形的发生等。在还原阶段温度从970℃上升到止火温度，并且控制控制瓷套上下部温度低，中间温度高，通过降低局部区域温度，有效杜绝变形缺陷的产生。具体实施方式下面将结合实施例对本专利技术技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都应属于本专利技术保护的范围。为了更好地说明，现以某座窑炉(5个分区)举例如下：每个分区三个烧嘴，即三个控制点，5个区均布。其中，每一个区上、下两个为副控点，中间一个为主控点。具体的烧成制度简述如下：一、小火升温阶段此阶段升温速度较慢，由室温升温至300℃，升温速度为20℃/h‐25℃/h，而且在个别关键时间点进行适当的保温，以保证坯体内的水份(包括机械结合水、结晶水、吸附水)充分排出，减小坯体出现小火开裂、断裂等现象；二、氧化分解阶段此阶段包括快速升温阶段和中火保温阶段，具体如下：快速升温阶段从300℃升温到980℃，升温速度保持在35℃/h‐50℃/h；中火保温阶段从980℃升温到985℃，此阶段在确保温度稳定的情况下，使窑内氧气的体积含量控制在9％‐13％；其烧成的目的主要是排除结构水，实现有机物、碳的氧化，碳酸盐及硫化物的分解，晶型转变；三、还原阶段(970℃‐止火温度)控制每一个区上、下两副控点温度低，中间主控点温度高其烧成的目的主要是实现硫酸盐的分解，液相形成并溶解固相，形成新晶相和晶体生长，釉的熔融。整个过程主要采用还原气氛，即按照不同阶段控制窑内CO的含量在某一范围内，达到烧成的目的，一般情况下，此阶段气体分析中只包括CO与CO2，否则低价铁又变成高价铁的氧化物，容易使瓷坯发黄，其升温速度一般控制在10℃‐20℃/h；四、高火保温阶段，在止火温度点保温0.5‐1小时，止火温度范围：1250℃～1300℃，此阶段要控制好风与燃气的量；五、冷却阶段此阶段是从烧成终了开始冷却到室温时为止，整个过程耗时30‐45小时。这一阶段内，坯体内的液相由塑性状态开始凝固成玻璃相，并实现晶型转变，同时伴随着重量、体积、气孔率、颜色、坯体强度、硬度的变化及变形的发生等。两个阶段过程中，中间温度，即主控点温度与工艺给定温度同步，温差±2℃。以上内容是结合具体的优选实施方式对本专利技术所作的进一步详细说明，不能认定本专利技术的具体实施方式仅限于此，对于本专利技术所属
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术构思的前提下，还可以做出若干简单的推演或替换，都应当视为属于本专利技术由所提交的权利要求书确定专利保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种杜绝干法空心瓷套高温变形的烧成方法，其特征在于包括以下步骤：步骤一、小火升温阶段由室温升温至300℃，升温速度为20‑25℃/h，保证坯体内的水份充分排出；步骤二、氧化分解阶段此阶段包括快速升温阶段和中火保温阶段，具体如下：快速升温阶段从300℃升温到980℃，升温速度保持在35‑50℃/h；中火保温阶段从960℃升温到985℃，在确保温度稳定的情况下，使窑内氧气的体积含量控制在9％‑13％；步骤三、还原阶段温度从970℃上升到止火温度，控制每一个区瓷套上下部对应的上、下两副控点温度低，中间主控点温度高，升温速度一般控制在(10‑20)℃/h；步骤四、高火保温阶段在止火温度点保温0.5‑1小时，止火温度为1250℃～1300℃；步骤五、冷却阶段从止火温度冷却到室温时为止，耗时30‑45小时。

【技术特征摘要】
1.一种杜绝干法空心瓷套高温变形的烧成方法，其特征在于包括以下步骤：步骤一、小火升温阶段由室温升温至300℃，升温速度为20-25℃/h，保证坯体内的水份充分排出；步骤二、氧化分解阶段此阶段包括快速升温阶段和中火保温阶段，具体如下：快速升温阶段从300℃升温到980℃，升温速度保持在35-50℃/h；中火保温阶段从960℃升温到985℃，在确保温度稳定的情况下，使窑内氧气的体积含量控制在9％-13％；步骤三、还原阶段温度从970℃上升到止火温度，控制每一个区瓷套上下部对应的上、下两副控点温度低，中间主控点温度高，升温速度一般控制在(10-20)℃/h；步骤四、高火保温阶段在止火温度点保温0.5-1小时，止火温度为1250℃～1300℃；步骤五、冷却阶段从止火温度冷却到室温时为止，耗时30-45小时。2.根据权利要求1所述的杜绝干法空心瓷套高温变形的烧成方法，其特征在于：步骤三和步骤四过程中，主控点温度与工艺给定温度同步，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王宜斌，李小圣，薛显锋，
申请(专利权)人：中国西电电气股份有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西,61