一种单片式非隔离高PF值无频闪低THD的LED驱动电路制造技术

技术编号:17978041 阅读:66 留言:0更新日期:2018-05-16 18:41
本实用新型专利技术公开了一种单片式非隔离高PF值无频闪低THD的LED驱动电路,包括,IC芯片、整流桥电路、升压型功率变换电路和降压型功率变换电路,电信号依次经整流桥电路、升压型功率变换电路、IC芯片和降压型功率变换电路后输出至LED,所述升压型功率变换电路和降压型功率变换电路均包括单绕组的电感储能元件。本技术方案公开的驱动电路中,第1级BOOST回路采用1支单绕组的电感储能元件即可实现宽压输入的高PF值和低THD特性。第2级BUCK回路也采用1支单绕组的电感储能元件即可实现输出电流恒定。采用单绕组的电感储能元件替换现有技术中的双绕组的电感储能元件,实现了简化电路且降低成本的目的。

A monolithic non isolation high PF value LED driver circuit without stroboscopic and low THD

The utility model discloses a single chip non isolated high PF value free LED drive circuit without flicker and low THD, including IC chip, rectifier bridge circuit, boost type power conversion circuit and buck type power conversion circuit. The electrical signals are in turn after the rectifier bridge circuit, the boost type power conversion circuit, the IC chip and the step-down power conversion circuit. The output voltage is LED, and the boost power conversion circuit and the buck power conversion circuit include a single winding inductive energy storage element. In the drive circuit open, the first stage BOOST circuit uses 1 single winding inductive energy storage components to achieve high PF value and low THD characteristics of wide pressure input. The second stage BUCK loop also uses 1 single winding inductive energy storage elements to achieve constant output current. The single winding inductive energy storage element is used to replace the double winding inductive energy storage element in the existing technology, which simplifies the circuit and reduces the cost.

【技术实现步骤摘要】
一种单片式非隔离高PF值无频闪低THD的LED驱动电路
本技术涉及LED驱动电路领域,尤其涉及一种单片式非隔离高PF值无频闪低THD的LED驱动电路。
技术介绍
目前现有的非隔离高PF值无频闪的LED驱动电路有二种方案,第一种是前级采用非隔离高PF值恒流电路,然后在输出端再加一级去频闪电路.第二种方案是前级采用升压方式,然后采用FLYBACK或BUCK模式实现高PF值无频闪,第二种方案的无频闪效果较好,但上述两种方案均无法同时做到低THD(THD≤10%)。如果采用分立元件来实现低THD,则回路相当复杂,成本高,稳定性差。如图1所示,在升压型功率变换电路中采用双绕组的电感储能元件T1,在降压型功率变换电路采用双绕组的电感储能元件T2,而采用双绕组的电感储能元件存在电路复杂成本高的问题。词语说明:非隔离电源:非隔离电源(non-isolatedpower)是指在输入端与负载端之间没有通过变压器进行电气隔离,而又直接连接,输入端与负载端共地。PF值:PF值是指功率因素,是指一负载消耗的有功功率与视在功率的比值。频闪:是指光源随输入电压或电流的变化而出现闪烁的现象,无频闪是一个相对的概念。THD:是指总谐波电流的畸变率。BOOST:是指升压型功率变换电路。BUCK:是指降压型功率变换电路。FLYBACK:是指反激式功率变换电路。恒流:是指输出电流恒定,不随输出电压的变化而改变。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足,本技术的目的在于提供一种单片式非隔离高PF值无频闪低THD的LED驱动电路,其能解决电路复杂,成本高的问题。本技术的目的采用以下技术方案实现:一种单片式非隔离高PF值无频闪低THD的LED驱动电路,包括,IC芯片、整流桥电路、升压型功率变换电路和降压型功率变换电路,电信号依次经整流桥电路、升压型功率变换电路、IC芯片和降压型功率变换电路后输出至LED,所述升压型功率变换电路和降压型功率变换电路均包括单绕组的电感储能元件。进一步地,所述升压型功率变换电路,包括场效应管Q1、电阻RS1、单绕组的电感储能元件L1、二极管D3、二极管D4、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4和电容C2,单绕组的电感储能元件L1的一端与整流桥电路的输出端连接,单绕组的电感储能元件L1的另一端与二极管D4的阳极连接,二极管D4的阳极与场效应管Q1的漏极连接,场效应管Q1的栅极与IC芯片的GATE1管脚连接,场效应管Q1的源极与电阻RS1的有线连接,电阻RS1的另一端分别与IC芯片的PGND1管脚和MODE管脚连接,二极管D4的阴极与IC芯片的BFB管脚之间依次串联电阻R3和电阻R4,二极管D4的阴极与地之间串联电容C2,二极管D3与单绕组的电感储能元件L1和二极管D4组成的串联电路并联,二极管D3的阳极与单绕组的电感储能元件L1的一端连接,二极管D3的阴极与二极管D4的阴极连接,二极管D3的阳极与IC芯片的INPB管脚之间依次串联电阻R1和电阻R2。进一步地,所述降压型功率变换电路,包括场效应管Q2、二极管D5、电阻RS2、单绕组的电感储能元件L2、电容C5和电阻R7,所述场效应管Q2的栅极与IC芯片的GATE2管脚连接,所述场效应管Q2的源极与IC芯片的CS2管脚连接,场效应管Q2的源极与IC芯片的PGND2管脚之间串联电阻RS2,IC芯片的PGND2管脚接地,所述场效应管Q2的漏极与单绕组的电感储能元件L2的一端连接,单绕组的电感储能元件L2的另一端与电容C5的一端连接,电容C5的另一端与二极管D5的阴极连接,二极管D5的阳极与场效应管Q2的漏极连接,电阻R7与电容C5并联。进一步地,还包括二极管D2和二极管D1,所述二极管D1串联在整流桥电路的一个输入端与IC芯片的VIN1管脚之间,所述二极管D2串联在整流桥电路的另一个输入端与IC芯片的VIN2管脚之间。进一步地,所述整流桥电路的两个输出端之间出串联电容C1。进一步地,还包括电容C4、电阻R6、电阻R5和电容C3,所述电容C4串联在IC芯片的VDD管脚与地之间,所述电阻R6串联在IC芯片的OVP管脚与地之间,所述电阻R5和电容C3依次串联在IC芯片的COMP管脚与地之间。相比现有技术,本技术的有益效果在于:本技术方案,第1级BOOST回路采用1支单绕组的电感储能元件即可实现宽压输入的高PF值和低THD特性。第2级BUCK回路也采用1支单绕组的电感储能元件即可实现输出电流恒定。采用单绕组的电感储能元件替换现有技术中的双绕组的电感储能元件,实现了简化电路且降低成本的目的。附图说明图1为现有技术中单片式非隔离高PF值无频闪低THD的电子电路图;图2为本技术实施例所述的单片式非隔离高PF值无频闪低THD的LED驱动电路的电子电路图。具体实施方式下面,结合附图以及具体实施方式,对本技术做进一步描述:如图2所示,一种单片式非隔离高PF值无频闪低THD的LED驱动电路,包括,IC芯片、整流桥电路、升压型功率变换电路和降压型功率变换电路,电信号依次经整流桥电路、升压型功率变换电路、IC芯片和降压型功率变换电路后输出至LED,升压型功率变换电路和降压型功率变换电路均包括单绕组的电感储能元件。其中,升压型功率变换电路,包括场效应管Q1、电阻RS1、单绕组的电感储能元件L1、二极管D3、二极管D4、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4和电容C2,单绕组的电感储能元件L1的一端与整流桥电路的输出端连接,单绕组的电感储能元件L1的另一端与二极管D4的阳极连接,二极管D4的阳极与场效应管Q1的漏极连接,场效应管Q1的栅极与IC芯片的GATE1管脚连接,场效应管Q1的源极与电阻RS1的有线连接,电阻RS1的另一端分别与IC芯片的PGND1管脚和MODE管脚连接,二极管D4的阴极与IC芯片的BFB管脚之间依次串联电阻R3和电阻R4,二极管D4的阴极与地之间串联电容C2,二极管D3与单绕组的电感储能元件L1和二极管D4组成的串联电路并联,二极管D3的阳极与单绕组的电感储能元件L1的一端连接,二极管D3的阴极与二极管D4的阴极连接,二极管D3的阳极与IC芯片的INPB管脚之间依次串联电阻R1和电阻R2。简化了电路。降压型功率变换电路,包括场效应管Q2、二极管D5、电阻RS2、单绕组的电感储能元件L2、电容C5和电阻R7,场效应管Q2的栅极与IC芯片的GATE2管脚连接,场效应管Q2的源极与IC芯片的CS2管脚连接,场效应管Q2的源极与IC芯片的PGND2管脚之间串联电阻RS2,IC芯片的PGND2管脚接地,场效应管Q2的漏极与单绕组的电感储能元件L2的一端连接,单绕组的电感储能元件L2的另一端与电容C5的一端连接,电容C5的另一端与二极管D5的阴极连接,二极管D5的阳极与场效应管Q2的漏极连接,电阻R7与电容C5并联。简化了电路。驱动电路还包括二极管D2和二极管D1,二极管D1串联在整流桥电路的一个输入端与IC芯片的VIN1管脚之间,二极管D2串联在整流桥电路的另一个输入端与IC芯片的VIN2管脚之间。使电路工作更稳定。整流桥电路的两个输出端之间出串联电容C1。使电路工作更稳定。驱动电路还包括电容C4、电阻R6、电阻R5和电容C3,电容C4串联在IC芯片的VD本文档来自技高网...
一种单片式非隔离高PF值无频闪低THD的LED驱动电路

【技术保护点】
一种单片式非隔离高PF值无频闪低THD的LED驱动电路,包括IC芯片、整流桥电路、升压型功率变换电路和降压型功率变换电路,其特征在于:电信号依次经整流桥电路、升压型功率变换电路、IC芯片和降压型功率变换电路后输出至LED,所述升压型功率变换电路和降压型功率变换电路均包括单绕组的电感储能元件。

【技术特征摘要】
1.一种单片式非隔离高PF值无频闪低THD的LED驱动电路,包括IC芯片、整流桥电路、升压型功率变换电路和降压型功率变换电路,其特征在于:电信号依次经整流桥电路、升压型功率变换电路、IC芯片和降压型功率变换电路后输出至LED,所述升压型功率变换电路和降压型功率变换电路均包括单绕组的电感储能元件。2.如权利要求1所述的单片式非隔离高PF值无频闪低THD的LED驱动电路,其特征在于:所述升压型功率变换电路,包括场效应管Q1、电阻RS1、单绕组的电感储能元件L1、二极管D3、二极管D4、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4和电容C2,单绕组的电感储能元件L1的一端与整流桥电路的输出端连接,单绕组的电感储能元件L1的另一端与二极管D4的阳极连接,二极管D4的阳极与场效应管Q1的漏极连接,场效应管Q1的栅极与IC芯片的GATE1管脚连接,场效应管Q1的源极与电阻RS1的有线连接,电阻RS1的另一端分别与IC芯片的PGND1管脚和MODE管脚连接,二极管D4的阴极与IC芯片的BFB管脚之间依次串联电阻R3和电阻R4,二极管D4的阴极与地之间串联电容C2,二极管D3与单绕组的电感储能元件L1和二极管D4组成的串联电路并联,二极管D3的阳极与单绕组的电感储能元件L1的一端连接,二极管D3的阴极与二极管D4的阴极连接,二极管D3的阳极与IC芯片的INPB管脚之间依次串联电阻R1和电阻R2。3.如权利要求1或2所述的单片式非隔离高PF值无频闪低THD...

【专利技术属性】
技术研发人员:彭国允贺晨球
申请(专利权)人:深圳市暗能量电源有限公司
类型:新型
国别省市:广东,44

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1