一种双层点焊式电极掩模制造技术

本实用新型专利技术公开了一种双层点焊式电极掩模，它包括上掩模板（1）、下掩模板（2）和晶片定位模（3），所述上掩模板（1）和下掩模板（2）上均开设有呈阵列分布的电极槽孔（4），晶片定位模（3）上开设有呈阵列分布的晶片安装槽（5），所述下掩模板（2）的外边缘与晶片定位模（3）的外边缘平齐，下掩模板（2）的外边缘与晶片定位模（3）之间经点焊焊接于一体，相邻两个晶片安装槽（5）之间均分布焊接点（6）。本实用新型专利技术的有益效果是：结构紧凑、提高调整效率、也减少了特制治具的投入、避免出现的夹杂金属屑多层不能完全重合现象。

A double layer spot welding electrode mask

The utility model discloses a double layer spot welding electrode mask, which includes a mask (1), a mask (2) and a wafer positioning model (3). The upper mask (1) and the lower mask (2) are provided with an array distribution electrode slot (4), and a wafer positioning die (3) is provided with an array distribution chip. The external edge of the mask (2) is leveled with the outer edge of the wafer positioning die (3), and the outer edge of the mask (2) is welded by spot welding between the wafer positioning die (3), and the welding points (6) are distributed between the two adjacent chip mounting grooves (5) between the outer edges of the mask (5) and the outer edge of the wafer positioning die (3). The beneficial effect of the utility model is that the structure is compact, the adjustment efficiency is improved, the input of the special control tool is also reduced, and the multiple layers of the mixed metal chips can not be completely overlapped.

【技术实现步骤摘要】
一种双层点焊式电极掩模
本技术涉及电子信息及石英晶体元器件，特别是一种双层点焊式电极掩模。
技术介绍
传统的电极掩模是由分离的晶片定位模、上电极掩模和下电极掩模构成。工作时，必需先将晶片定位模、下电极掩模用特制的辅助治具固定，晶片放入晶片定位模，人工手动调整位置。最后，将晶片定位模、上下电极掩模手动调整至完全对位重合。这样的分层掩模结构会伴随夹杂金属屑、分层有间隙、多层不能完全重合的现象，最终导致电极模糊、错位、斑点、气泡等不良。同时，由于对人工调整的高要求，随着载体投入量的增加，需配备大量特制的辅助治具，并且这些治具会耗费大量时间组装、调校，操作不方便、耗时耗力后续还会严重的影响生产效率。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的缺点，提供一种结构紧凑、提高调整效率、也减少了特制治具的投入、避免出现的夹杂金属屑多层不能完全重合现象的双层点焊式电极掩模。本技术的目的通过以下技术方案来实现：一种双层点焊式电极掩模，它包括上掩模板、下掩模板和晶片定位模，所述上掩模板和下掩模板上均开设有呈阵列分布的电极槽孔，晶片定位模上开设有呈阵列分布的晶片安装槽，所述下掩模板的外边缘与晶片定位模的外边缘平齐，下掩模板的外边缘与晶片定位模之间经点焊焊接于一体，相邻两个晶片安装槽之间均分布焊接点，焊接点还沿着晶片定位模的边缘分布，下掩模板上的电极槽孔与晶片安装槽相对应，所述上掩模板盖合在晶片定位模顶表面，上掩模板的边缘与晶片定位模的边缘平齐，且上掩模板上的电极槽孔与晶片安装槽连通。所述的电极槽孔呈矩形阵列均匀分布。本技术具有以下优点：本技术在大数量、高精度、连续性镀模中应用，避免传统方式可能出现的夹杂金属屑、多层不能完全重合的现象。调校只需要简单的上下对齐，相比传统的对位调整效率提高50%左右，也减少了特制治具的投入。附图说明图1为本技术的结构示意图；图2为下掩模板与晶片定位模覆盖后的示意图；图3为下掩模板与晶片定位模焊接后示意图；图中，1-上掩模板，2-下掩模板，3-晶片定位模，4-电极槽孔，5-晶片安装槽，6-焊接点。具体实施方式下面结合附图对本技术做进一步的描述，本技术的保护范围不局限于以下所述：如图1~3所示，一种双层点焊式电极掩模，它包括上掩模板1、下掩模板2和晶片定位模3，所述上掩模板1和下掩模板2上均开设有呈阵列分布的电极槽孔4，电极槽孔4呈矩形阵列均匀分布，晶片定位模3上开设有呈阵列分布的晶片安装槽5，所述下掩模板2的外边缘与晶片定位模3的外边缘平齐，下掩模板2的外边缘与晶片定位模3之间经点焊焊接于一体，相邻两个晶片安装槽5之间均分布焊接点6，焊接点6还沿着晶片定位模3的边缘分布，下掩模板2上的电极槽孔4与晶片安装槽5相对应，所述上掩模板1盖合在晶片定位模3顶表面，上掩模板1的边缘与晶片定位模3的边缘平齐，且上掩模板1上的电极槽孔4与晶片安装槽5连通。本技术的工作过程如下：移开上掩模板1，随后将大小及厚度合适的石英晶片放入于晶片安装槽5中，安装完成后将上掩模板1盖合在晶片定位模3顶表面，调整其位置使其与下掩模板2的边缘平齐，从而快速实现上掩模板1与下掩模板2重合。由于下掩模板2与晶片定位模3无缝焊接，同时对位精度达到0.01mm，保证了下掩模板2与晶片定位模3之间不会夹杂金属屑，同时由原来的三层调整，变为了两侧调整，避免了多层不能完全重合的现象。此外，调校只需要简单的使上下掩模板对齐，减少了调整工序，相比传统的对位调整效率提高50%左右，也减少了特制治具的投入。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双层点焊式电极掩模，其特征在于：它包括上掩模板（1）、下掩模板（2）和晶片定位模（3），所述上掩模板（1）和下掩模板（2）上均开设有呈阵列分布的电极槽孔（4），晶片定位模（3）上开设有呈阵列分布的晶片安装槽（5），所述下掩模板（2）的外边缘与晶片定位模（3）的外边缘平齐，下掩模板（2）的外边缘与晶片定位模（3）之间经点焊焊接于一体，相邻两个晶片安装槽（5）之间均分布焊接点（6），焊接点（6）还沿着晶片定位模（3）的边缘分布，下掩模板（2）上的电极槽孔（4）与晶片安装槽（5）相对应，所述上掩模板（1）盖合在晶片定位模（3）顶表面，上掩模板（1）的边缘与晶片定位模（3）的边缘平齐，且上掩模板（1）上的电极槽孔（4）与晶片安装槽（5）连通。

【技术特征摘要】
1.一种双层点焊式电极掩模，其特征在于：它包括上掩模板（1）、下掩模板（2）和晶片定位模（3），所述上掩模板（1）和下掩模板（2）上均开设有呈阵列分布的电极槽孔（4），晶片定位模（3）上开设有呈阵列分布的晶片安装槽（5），所述下掩模板（2）的外边缘与晶片定位模（3）的外边缘平齐，下掩模板（2）的外边缘与晶片定位模（3）之间经点焊焊接于一体，相邻两个晶片安装槽（5）之间均分...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨春林，奉建华，
申请(专利权)人：东晶锐康晶体成都有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51