The utility model discloses a kind of intelligent Mosfet power device, including base, insulation board, intelligent drive and protective circuit board and Mosfet chip array. The insulation board is set on the substrate. The Mosfet chip array is set on the insulation board. The intelligent drive and protection circuit board are set on the base, and the intelligent drive and protection circuit board are intelligent. Electrical connection with Mosfet chip array. The purpose of reducing the heat loss and simplifying the driving circuit and reducing the cost is achieved.
【技术实现步骤摘要】
一种智能Mosfet功率装置
本技术涉及电子电路领域,尤其涉及一种智能Mosfet功率装置。
技术介绍
目前,在当前的工业用低压大电流输出整流器应用上,用于输出整流、输出换向的器件普遍使用的是肖特基二极管、快速恢复二极管、可控硅等几种功率器件。上述器件皆为压降性器件,电流流过该器件则产生固定的压降,压降大小就决定了该器件的功耗大小。进口的低压降大功率肖特基二极管压降普遍在0.65V-0.75V之间。若通过1500A电流,则在整流二极管部分会产生的热功率为:0.75V×1500A=1125W该热量的耗失,使在大功率应用上损失大量的电能、高昂的散热费用以及庞大的散热器体积增加整流器的整体体积。在现有的Mosfet模块中,普遍能够长期带载的电流在300A以下。而且不带有驱动电路,以及内部保护电路。在大电流使用时,需要进行多只并联使用。因此,现有的技术存在以下缺陷:均流控制困难,驱动电路复杂,器件保护成本高,散热结构设计困难,占用空间大等问题。导致Mosfet模块在大功率工业应用上举步维艰。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足,本技术的目在于提供一种智能Mosfet功率装置,以实现减少热损耗,同时简化驱动电路且降低成本的优点。本技术的目的采用如下技术方案实现:一种智能Mosfet功率装置,包括基底、绝缘板、智能驱动及保护线路板和Mosfet芯片阵列,所述绝缘板设置在基底上,所述Mosfet芯片阵列设置在绝缘板上,所述智能驱动及保护线路板设置在基底上,且该智能驱动及保护线路板与Mosfet芯片阵列电连接。进一步地,所述基底为全铜基底,所述绝缘板为氧化铝陶瓷板。进一步地,所 ...
【技术保护点】
一种智能Mosfet功率装置,包括基底、绝缘板、智能驱动及保护线路板和Mosfet芯片阵列,其特征在于:所述绝缘板设置在基底上,所述Mosfet芯片阵列设置在绝缘板上,所述智能驱动及保护线路板设置在基底上,且该智能驱动及保护线路板与Mosfet芯片阵列电连接。
【技术特征摘要】
1.一种智能Mosfet功率装置,包括基底、绝缘板、智能驱动及保护线路板和Mosfet芯片阵列,其特征在于:所述绝缘板设置在基底上,所述Mosfet芯片阵列设置在绝缘板上,所述智能驱动及保护线路板设置在基底上,且该智能驱动及保护线路板与Mosfet芯片阵列电连接。2.如权利要求1所述的智能Mosfet功率装置,其特征在于:所述基底为全铜基底,所述绝缘板为氧化铝陶瓷板。3.如权利要求2所述的智能Mosfet功率装置,其特征在于:所述全铜基底作为电流通道以及散热基底;所述氧化铝陶瓷板:为Mosfet芯片阵列与全铜基底之间提供一层绝缘低热阻的过渡通道,并提供低阻抗的导电通道;所述智能驱动及保护线路板:为Mosfet装置提供装置内的隔离正反压驱动信号,以及装置内部的温度保护及故障反馈信号。4.如权利要求1所述的智能Mosfet功率装置,其特征在于:还包括,绝缘填充层和外壳,所述绝缘填充层覆盖在Mosfet芯片阵列上,上述基底、绝缘板、智能驱动及保护线路板和Mosfet芯片阵列均封装在外壳内。5.如权利要求4所述的智能Mosfet功率装置,其特征在于:所述绝缘填充层采用高分子硅胶材料,提供绝缘、低热阻的运行环境。6.如权利要求1-5任一所述的智能Mosfet功率装置,其特征在于:智能驱动及保护线路板,包括正负压产生电路、隔离驱动电路、栅极驱动保护电路和温度保护监测电路,所述正负压产生电路、隔离驱动电路、栅极驱动保护电路和温度保护监测电路均与Mosfet芯片阵列电连接。7.如权利要求6所述的智能Mosfet功率装置,其特征在于:所述正负压产生电路,包括电阻R1、电阻R2、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C7、电容C8、电容C9和二极管D1,所述电容C2串联在电源VCC与地之间,所述电容C3与电容C2并联,所述电容C4与电容C3并联,所述电阻R1与电容C8组成的串联电路与电容C4并联,所述电...
【专利技术属性】
技术研发人员:侯鸿斌,李震,侯镜波,
申请(专利权)人:广州市泰霖电源设备有限公司,
类型:新型
国别省市:广东,44
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