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显示装置以及用于制造其的方法制造方法及图纸

技术编号:17964731 阅读:66 留言:0更新日期:2018-05-16 07:38
通过以二维矩阵的形式布置多个像素获得的这种显示装置,每个所述像素配置有具有第一光反射层36R的第一发光元件10R、具有第二光反射层36G的第二发光元件10G以及具有第三光反射层36B的第三发光元件10B。每个发光元件具有第一电极51、有机层53和第二电极52。每个发光元件的边界区域具有沟部421、422、和423,其内部具有遮光层44。第一沟部421的底部431和第三沟部423的底部433位于在高于第一光反射层36B的顶面的位置,同时第二沟部422的底部432位于在高于第二光反射层36G的顶面的位置。

A display device and a method for making it

By arranging a plurality of pixels in the form of a two-dimensional matrix, each of the pixels is configured with a first light emitting element 10R with a first light reflection layer 36R, a second light emitting element with a second light reflection layer 36G, and a third light element 10B with the third light reflection layer 36B. Each light emitting element has a first electrode 51, an organic layer 53 and a second electrode 52. The boundary regions of each light emitting element are provided with grooves 421, 422, and 423, and the interior has a shading layer 44. The bottom 431 of the first ditch 421 and the bottom 433 of the third groove part 423 are located at the top position above the first light reflection layer 36B, while the bottom 432 of the second groove part 422 is located at the top plane of the higher than the second light reflection layer 36G.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置以及用于制造其的方法
本公开涉及显示装置以及用于制造显示装置的方法。
技术介绍
近年来,随着显示装置取代液晶显示装置,使用有机电致发光元件(在下文中,还简称为“有机EL元件”)的有机电致发光显示装置(在下文中,还简称为“有机EL显示装置”)已引起关注。有机EL显示装置是自发光型,具有低功耗的特性,并且被认为甚至对高清晰度的高速视频信号也具有足够的响应能力。用于实际使用的有机EL显示装置的开发和商业化正在敏锐地进行着。在有机EL显示装置中,可以实现高对比度和高颜色再现性,例如,通过用三个子像素(发光元件)来构成一个像素,其构成自具有红色发光层并构成自发出红光的发光元件的子像素、具有绿色发光层并构成自发出绿光的发光元件的子像素、和具有蓝色发光层并构成自发出蓝光的发光元件的子像素。同时,为了高分辨率,需要减小像素间距。然而,随着像素间距变得更细,则变得更加难以用这样的三个子像素来构成一个像素。因此,正在开发用于在所有像素上形成白色发光层并利用滤色器(滤色片,colorfilter)来着色白色光的方法,即,正在开发用三种子像素(发光元件)来构成一个像素的技术:红色子像素(称为"红色发光元件"),其是通过结合具有白色发光层的发光元件(称为"白色发光元件")和红色滤色器所获得;绿色子像素(称为"绿色发光元件"),其是通过结合白色发光元件和绿色滤色器所获得;以及蓝色子像素(称为"蓝色发光元件"),其是通过结合白色发光元件和蓝色滤色器所获得。白色发光层形成为在整个白色发光元件上的连续层。没有必要为每个子像素形成红色发光层、绿色发光层、和蓝色发光层。因此,像素间距可以是精细的。在每个白色发光元件中,白色发光层形成在第一电极和第二电极之间。在每个发光元件中独立地形成第一电极。同时,在每个发光元件中第二电极是共有的。作为用于在具有这样的配置的像素中改善光提取效率的技术,存在用于放大发射自每个发光元件的光的技术,其中通过优化在每个红色发光元件、绿色发光元件、和蓝色发光元件中的腔结构。具体地,例如,特开2009-091223号公报中公开的,光反射层形成在第一电极(其包括透明电极)和第二电极(其包括半透光材料)以下并且光反射层构成谐振器结构。此外,发射自发光层的光在光反射层和第二电极之间共振,并且一部分光发射自第二电极。现有技术文献专利文献专利文献1:特开2009-091223号公报
技术实现思路
本专利技术要解决的问题顺便地,发射自发光层的光在所有方向上传播。因此,如在图8的示意性局部横截面图中所示的,发射自某些发光元件的光(由图8中的粗实线所指示的)可进入相邻于某些发光元件的发光元件(为了方便起见,称为“相邻的发光元件”)。可替换地,在显示装置内侧发生多次反射,并且发射自某些发光元件的光可进入相邻的发光元件。注意,对于图8中的附图标记,参照图1。因此,整个像素的色度可以从所需的色度偏移。因此,本公开的目的是提供包括具有几乎不引起光进入相邻的发光元件的配置和结构的发光元件的显示装置,以及用于制造该显示装置的方法。问题解决方案为了达到上述目的,根据本公开的用于制造显示装置的方法是用于制造包括多个像素的显示装置的方法,每个像素各自包括布置在二维矩阵中的第一发光元件、第二发光元件、和第三发光元件,每个像素包括最下层/层间绝缘层、形成在最下层/层间绝缘层上的第一层间绝缘层、形成在第一层间绝缘层上的第二层间绝缘层、和最上层/层间绝缘层,每个发光元件包括:第一电极,形成在最上层/层间绝缘层上;绝缘膜,至少形成在最上层/层间绝缘层的未形成第一电极的区域上;有机层,从第一电极上方遍及绝缘膜上形成并且包括由有机发光材料构成的发光层;以及第二电极,形成在有机层上,第一发光元件,包括形成在最下层/层间绝缘层上的第一光反射层,第二发光元件,包括形成在第一层间绝缘层上的第二光反射层,以及第三发光元件,包括形成在第二层间绝缘层上的第三光反射层,上述方法包括:(A)形成最下层/层间绝缘层、图案化的第一层间绝缘层、和图案化的第二层间绝缘层;然后(B)在整个表面上形成光反射层,然后图案化光反射层以在最下层/层间绝缘层的将形成第一放光元件的区域上形成第一光反射层,在第一层间绝缘层的将形成第二发光元件的区域上形成第二光反射层,以及在第二层间绝缘层的将形成第三发光元件的区域上形成第三光反射层;然后(C)蚀刻位于在第一发光元件和第二发光元件之间边界区域中的至少第一层间绝缘层的一部分,以形成第一凹部,同时蚀刻位于在第二发光元件和第三发光元件之间的边界区域中的至少第二层间绝缘层的一部分,以形成第二凹部,并且同时蚀刻位于在第一发光元件和第三发光元件之间的边界区域中的至少第一层间绝缘层的一部分以及第二层间绝缘层的一部分,以形成第三凹部;然后(D)在整个表面上形成最上层/层间绝缘层,然后平坦化最上层/层间绝缘层,以在高于第一凹部、第二凹部、和第三凹部上方的最上层/层间绝缘层的一部分中分别形成第一沟部、第二沟部、和第三沟部;以及然后(E)在第一沟部、第二沟部、和第三沟部的内侧形成遮光层。为了达到上述目的,本公开的显示装置包括多个像素,每个像素各自包括布置在二维矩阵中的第一发光元件、第二发光元件、和第三发光元件。每个像素包括最下层/层间绝缘层、形成在最下层/层间绝缘层上的第一层间绝缘层、形成在第一层间绝缘层上的第二层间绝缘层、和最上层/层间绝缘层。每个发光元件包括:第一电极,形成在最上层/层间绝缘层上;绝缘膜,至少形成在最上层/层间绝缘层的未形成第一电极的区域上;有机层,从第一电极上方遍及绝缘膜的上形成并且包括含有有机发光材料的发光层;以及第二电极,形成在有机层上。第一发光元件,包括形成在最下层/层间绝缘层上的第一光反射层。第二发光元件,包括形成在第一层间绝缘层上的第二光反射层。第三发光元件,包括形成在第二层间绝缘层上的第三光反射层。最上层/层间绝缘层,覆盖最下层/层间绝缘层、第一光反射层、第二光反射层、和第三光反射层。第一沟部形成在位于在第一发光元件和第二发光元件之间的边界区域中的最上层/层间绝缘层的一部分中。第二沟部形成在位于在第二发光元件和第三发光元件之间的边界区域中的最上层/层间绝缘层的一部分中。第三沟部形成在位于在第一发光元件和第三发光元件之间的边界区域中的最上层/层间绝缘层的一部分中。遮光层,在第一沟部、第二沟部、和第三沟部的内侧形成。第一沟部的底部的最下部和第三沟部的底部的最下部位于在高于第一光反射层的顶面的位置。第二沟部的底部的最下部位于在高于第二光反射层的顶面的位置。本专利技术的效果在根据本公开的用于制造显示装置的方法中,在步骤(E)中,在第一沟部、第二沟部、和第三沟部的内侧形成遮光层。此外,在本公开的显示装置中,在第一沟部、第二沟部、和第三沟部的内侧形成了遮光层。因此,可以制造几乎不引起光进入相邻的发光元件的显示装置。此外,在步骤(D)中,最上层/层间绝缘层形成在整个表面上,以及然后平坦化最上层/层间绝缘层。从而可以通过所谓的自对准方法来形成第一沟部、第二沟部、和第三沟部。因此,可以微细化发光元件。此外,在本公开的显示装置中,限定了在沟部的底部的最下部和光反射层的顶面的高度之间的关系。因此,可以可靠地防止在沟部和光反射层之间的接触。在沟部和光反射层之间本文档来自技高网
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显示装置以及用于制造其的方法

【技术保护点】
一种用于制造显示装置的方法,所述显示装置包括以二维矩阵布置的多个像素,每个所述像素包括第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件,每个所述像素包括最下层/层间绝缘层、形成在所述最下层/层间绝缘层上的第一层间绝缘层、形成在所述第一层间绝缘层上的第二层间绝缘层、以及最上层/层间绝缘层,每个所述发光元件包括:第一电极,形成在所述最上层/层间绝缘层上;绝缘膜,至少形成在所述最上层/层间绝缘层的未形成所述第一电极的区域上;有机层,从所述第一电极上方遍及所述绝缘膜上形成并且包括由有机发光材料构成的发光层;以及第二电极,形成在所述有机层上,所述第一发光元件包括形成在所述最下层/层间绝缘层上的第一光反射层,所述第二发光元件包括形成在所述第一层间绝缘层上的第二光反射层,并且所述第三发光元件包括形成在所述第二层间绝缘层上的第三光反射层,所述方法包括:(A)形成最下层/层间绝缘层、图案化的第一层间绝缘层、和图案化的第二层间绝缘层;然后(B)在整个表面上形成光反射层以及然后图案化所述光反射层以在所述最下层/层间绝缘层的将形成第一发光元件的区域上形成第一光反射层,在所述第一层间绝缘层的将形成第二发光元件的区域上形成第二光反射层,并且在所述第二层间绝缘层的将形成第三发光元件的区域上形成第三光反射层;然后(C)蚀刻位于所述第一发光元件和所述第二发光元件之间的边界区域中的至少所述第一层间绝缘层的一部分以形成第一凹部,同时蚀刻位于所述第二发光元件和所述第三发光元件之间的边界区域中的至少所述第二层间绝缘层的一部分以形成第二凹部,并且同时蚀刻位于所述第一发光元件和所述第三发光元件之间的边界区域中的至少所述第一层间绝缘层的一部分以及所述第二层间绝缘层的一部分以形成第三凹部;然后(D)在整个表面上形成最上层/层间绝缘层并且然后平坦化所述最上层/层间绝缘层以分别在所述第一凹部、所述第二凹部、和所述第三凹部上方的所述最上层/层间绝缘层的一部分中形成第一沟部、第二沟部、和第三沟部;并且然后(E)在所述第一沟部、所述第二沟部、和所述第三沟部的内侧形成遮光层。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.25 JP 2015-1875731.一种用于制造显示装置的方法,所述显示装置包括以二维矩阵布置的多个像素,每个所述像素包括第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件,每个所述像素包括最下层/层间绝缘层、形成在所述最下层/层间绝缘层上的第一层间绝缘层、形成在所述第一层间绝缘层上的第二层间绝缘层、以及最上层/层间绝缘层,每个所述发光元件包括:第一电极,形成在所述最上层/层间绝缘层上;绝缘膜,至少形成在所述最上层/层间绝缘层的未形成所述第一电极的区域上;有机层,从所述第一电极上方遍及所述绝缘膜上形成并且包括由有机发光材料构成的发光层;以及第二电极,形成在所述有机层上,所述第一发光元件包括形成在所述最下层/层间绝缘层上的第一光反射层,所述第二发光元件包括形成在所述第一层间绝缘层上的第二光反射层,并且所述第三发光元件包括形成在所述第二层间绝缘层上的第三光反射层,所述方法包括:(A)形成最下层/层间绝缘层、图案化的第一层间绝缘层、和图案化的第二层间绝缘层;然后(B)在整个表面上形成光反射层以及然后图案化所述光反射层以在所述最下层/层间绝缘层的将形成第一发光元件的区域上形成第一光反射层,在所述第一层间绝缘层的将形成第二发光元件的区域上形成第二光反射层,并且在所述第二层间绝缘层的将形成第三发光元件的区域上形成第三光反射层;然后(C)蚀刻位于所述第一发光元件和所述第二发光元件之间的边界区域中的至少所述第一层间绝缘层的一部分以形成第一凹部,同时蚀刻位于所述第二发光元件和所述第三发光元件之间的边界区域中的至少所述第二层间绝缘层的一部分以形成第二凹部,并且同时蚀刻位于所述第一发光元件和所述第三发光元件之间的边界区域中的至少所述第一层间绝缘层的一部分以及所述第二层间绝缘层的一部分以形成第三凹部;然后(D)在整个表面上形成最上层/层间绝缘层并且然后平坦化所述最上层/层间绝缘层以分别在所述第一凹部、所述第二凹部、和所述第三凹部上方的所述最上层/层间绝缘层的一部分中形成第一沟部、第二沟部、和第三沟部;并且然后(E)在所述第一沟部、所述第二沟部、和所述第三沟部的内侧形成遮光层。2.根据权利要求1所述的用于制造显示装置的方法,其中在步骤(C)中,蚀刻位于所述第一发光元件和所述第二发光元件之间的边界区域中的所述最下层/层间绝缘层的一部分和所述第一层间绝缘层的一部分以形成第一凹部,同时蚀刻位于所述第二发光元件和所述第三发光元件之间的边界区域中的所述第一层间绝缘层的一部分和所述第二层间绝缘层的一部分以形成第二凹部,并且同...

【专利技术属性】
技术研发人员:大地朋和
申请(专利权)人:索尼公司
类型:发明
国别省市:日本,JP

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