半导体装置及控制装置制造方法及图纸

提供一种场效应晶体管不会由于流过寄生二极管的电流而烧坏的半导体装置。构成为包括：场效应晶体管(3)，具有寄生二极管(10)；温度检测器(5)，对寄生二极管(10)的温度进行检测；以及控制部(6)，判定由温度检测器(5)检测到的温度是否为第一温度以上，在判定为是第一温度以上的情况下，使场效应晶体管(3)接通。

Semiconductor device and control device

A semiconductor device that does not burn out due to current flowing through a parasitic diode is provided. Comprising: a field effect transistor (3), a parasitic diode (10), a temperature detector (5), a temperature detection for a parasitic diode (10), and a control unit (6) to determine whether the temperature detected by the temperature detector (5) is above the first temperature, and the field effect crystal is made to be above the first temperature. The tube (3) is connected.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置及控制装置
本专利技术涉及一种通过将具有寄生二极管的场效应晶体管控制成接通或者断开来对预定方向的电流进行控制的半导体装置及控制装置。
技术介绍
在车辆用的电源装置中，在起动机(电动机)启动时流过大电流，瞬间产生较大的压降，有可能对其他车载负载(ECU(ElectronicControlUnit，电子控制单元)、汽车导航装置等)造成影响。因此，最近，存在一种车辆，该车辆具备起动机专用的辅助蓄电池，在起动机启动时，使用MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)来将起动机及辅助蓄电池与其他车载负载隔离，防止压降的影响。在专利文献1中，公开了一种理想二极管电路，该理想二极管电路具备场效应晶体管及对场效应晶体管的源极电压和漏极电压进行比较的比较器，根据比较器的比较结果来激活场效应晶体管。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-255425号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题在上述电源装置中，在将MOSFET断开而对起动机及辅助蓄电池侧进行隔离的期间内，起动机及辅助蓄电池侧成为更高压侧，有时电流通过寄生二极管而流动。在该情况下，由于寄生二极管的导通电阻较大，因此，当流过大电流时产生高热，存在MOSFET有可能烧坏这样的问题。本专利技术是鉴于上述情形而完成的，其目的在于，提供一种场效应晶体管不会由于流过寄生二极管的电流而烧坏的半导体装置。本专利技术的另一目的在于，提供一种对场效应晶体管不会由于流过寄生二极管的电流而烧坏的半导体装置进行控制的控制装置。用于解决课题的技术方案本专利技术涉及一种半导体装置，其特征在于，包括：场效应晶体管，具有寄生二极管；温度检测器，对所述寄生二极管的温度进行检测；以及控制部，判定由该温度检测器检测到的温度是否为第一温度以上，在判定为是第一温度以上的情况下，使所述场效应晶体管接通。在该半导体装置中，场效应晶体管具有寄生二极管，温度检测器对场效应晶体管的寄生二极管的温度进行检测。控制部判定由温度检测器检测到的温度是否为第一温度以上，在判定为是第一温度以上的情况下，使场效应晶体管接通。本专利技术的半导体装置的特征在于，所述控制部在所述场效应晶体管断开的情况下，判定由所述温度检测器检测到的温度是否为第一温度以上，在判定为是第一温度以上的情况下，使所述场效应晶体管接通。在该半导体装置中，在场效应晶体管断开的情况下，控制部判定由温度检测器检测到的温度是否为第一温度以上。控制部在判定为是第一温度以上的情况下，使场效应晶体管接通。本专利技术的半导体装置的特征在于，所述控制部在使所述场效应晶体管接通之后，判定由所述温度检测器检测到的温度是否为比所述第一温度低的第二温度以下，在判定为是第二温度以下的情况下，使所述场效应晶体管断开。在该半导体装置中，控制部在使场效应晶体管接通之后，判定由温度检测器检测到的温度是否为比第一温度低的第二温度以下。控制部在判定为是第二温度以下的情况下，使场效应晶体管断开。本专利技术涉及一种控制装置，其特征在于，包括：取得部，取得由对场效应晶体管所具有的寄生二极管的温度进行检测的温度检测器检测到的温度；判定部，判定由该取得部取得的温度是否为第一温度以上；以及控制部，在该判定部判定为是第一温度以上的情况下，使所述场效应晶体管接通。在该控制装置中，取得部取得由对检测场效应晶体管所具有的寄生二极管的温度进行检测的温度检测器检测到的温度。判定部判定由取得部取得的温度是否为第一温度以上，在判定部判定为是第一温度以上的情况下，控制部使场效应晶体管接通。本专利技术的控制装置的特征在于，在所述场效应晶体管断开的情况下，所述判定部判定由所述取得部取得的温度是否为第一温度以上，在所述判定部判定为是第一温度以上的情况下，所述控制部使所述场效应晶体管接通。在该控制装置中，在场效应晶体管断开的情况下，判定部判定由取得部取得的温度是否为第一温度以上。在判定部判定为是第一温度以上的情况下，控制部使场效应晶体管接通。本专利技术的控制装置的特征在于，在所述控制部使所述场效应晶体管接通之后，所述判定部判定由所述取得部取得的温度是否为比所述第一温度低的第二温度以下，在所述判定部判定为是第二温度以下的情况下，所述控制部使所述场效应晶体管断开。在该控制装置中，在控制部使场效应晶体管接通之后，判定部判定由取得部取得的温度是否为比第一温度低的第二温度以下。在判定部判定为是第二温度以下的情况下，控制部使场效应晶体管断开。专利技术效果根据本专利技术的半导体装置，能够实现场效应晶体管不会由于流过寄生二极管的电流而烧坏的半导体装置。根据本专利技术的控制装置，能够实现对场效应晶体管不会由于流过寄生二极管的电流而烧坏的半导体装置进行控制的控制装置。附图说明图1是示出半导体装置及控制装置的实施例的概略结构的框图。图2是示出半导体装置及控制装置的动作的例子的流程图。图3是示出半导体装置及控制装置的实施例的概略结构的框图。图4是示出半导体装置及控制装置的动作的例子的流程图。具体实施方式以下，针对本专利技术，根据示出其实施例的附图来进行说明。实施例1图1是示出半导体装置及控制装置的实施例1的概略结构的框图。该半导体装置用于车辆的电源装置，具备N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)3、温度检测器5、控制部6及外部ECU4。MOSFET3内置有寄生二极管10，且在栅极连接有外部ECU4及控制部6，在漏极连接有车辆的主蓄电池7、交流发电机(alternator)8及汽车导航装置9等车载负载的各正端子。MOSFET3还在源极连接有车辆的辅助蓄电池1及起动机2的各正端子。温度检测器5检测寄生二极管10的温度，并将检测到的温度值T提供给控制部6。控制部(收取部、判定部)6判定从温度检测器5提供的温度值T是否为第一温度值T1以上，如果是第一温度值T1以上，则使MOSFET3接通。另外，在使MOSFET3接通之后，判定从温度检测器5提供的温度值T是否为第二温度值T2(＜T1)以下，如果是第二温度值T2以下，则使MOSFET3断开。外部ECU4与未图示的点火开关钥匙联动，根据点火开关钥匙的动作，预先感知起动机2的启动，将MOSFET3断开，在起动机2启动之后，使MOSFET3恢复为接通。此外，MOSFET3的栅极及外部ECU4和控制部6的各输出端子连接于有线“或”门。即，如果外部ECU4及控制部6的输出端子这两方或者某一方是H电平，则MOSFET3接通，如果外部ECU4及控制部6的输出端子这两方是L电平，则MOSFET3断开。关于主蓄电池7，其正端子连接到MOSFET3的漏极，其负端子接地，并对交流发电机8产生的电力进行蓄电。关于交流发电机8，其正端子连接到MOSFET3的漏极，其负端子接地，并与未图示的发动机联动地对所产生的电力进行整流并输出。起动机2是用于启动发动机的起动电动机，其正端子连接到MOSFET3的源极，其负端子接地。辅助蓄电池1是起动机2专用的，其正端子连接到MOSFET3的源极，其负端子接地。以下，针对这样的结构的半导体装置及控制装置的动作，参照示出该动作的图2的流程图来进行说明。外部ECU4在预先感知到起动机2的启动时，将MOSFET3断开。在该状态下，当MOSFET3的源极侧与漏极侧相比成为高压侧时，电流通过寄生二极管10而流动，寄生二极管10发热。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，包括：场效应晶体管，具有寄生二极管；温度检测器，对所述寄生二极管的温度进行检测；以及控制部，判定由该温度检测器检测到的温度是否为第一温度以上，在判定为是第一温度以上的情况下，使所述场效应晶体管接通。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.29 JP 2015-1921221.一种半导体装置，其特征在于，包括：场效应晶体管，具有寄生二极管；温度检测器，对所述寄生二极管的温度进行检测；以及控制部，判定由该温度检测器检测到的温度是否为第一温度以上，在判定为是第一温度以上的情况下，使所述场效应晶体管接通。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在所述场效应晶体管断开的情况下，所述控制部判定由所述温度检测器检测到的温度是否为第一温度以上，在判定为是第一温度以上的情况下，使所述场效应晶体管接通。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述控制部在使所述场效应晶体管接通之后，判定由所述温度检测器检测到的温度是否为比所述第一温度低的第二温度以下，在判定为是第二温度以下的情况下，...

【专利技术属性】
技术研发人员：冢本克马，
申请(专利权)人：株式会社自动网络技术研究所，住友电装株式会社，住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP