弹性波装置制造方法及图纸

技术编号:17962802 阅读:50 留言:0更新日期:2018-05-16 06:46
本发明专利技术提供一种具备声音反射层的弹性波装置,其中,能够降低特性劣化的可能性。弹性波装置(1)具备:支承基板(2);设置在支承基板(2)上的声音多层膜(3);设置在声音多层膜(3)上的压电基板(4);以及设置在压电基板(4)上的IDT电极(5),声音多层膜(3)具有至少4层声阻抗层,该至少4层声阻抗层包含至少一层低声阻抗层(3a、3c、3e、3g)和声阻抗比低声阻抗层(3a、3c、3e、3g)高的至少一层高声阻抗层(3b、3d、3f),还具备接合层(9),该接合层(9)设置在从由压电基板(4)侧朝向支承基板(2)侧的第四层声阻抗层(3d)中起直到声音多层膜(3)与支承基板(2)的界面为止的任一位置。

Elastic wave device

The invention provides an elastic wave device with a sound reflecting layer, which can reduce the possibility of deterioration of characteristics. The elastic wave device (1) is provided with a supporting substrate (2); a sound multilayer film (3) set on the supporting substrate (2); a piezoelectric substrate (4) set on the sound multilayer film (3); and a IDT electrode (5) set on the piezoelectric substrate (4); the sound multilayer film (3) has at least 4 layers of acoustic impedance layer, and at least the 4 layer acoustic impedance layer contains at least one layer of low sound resistance. The anti layer (3a, 3C, 3e, 3G) and at least one layer of high acoustic impedance layer (3b, 3D, 3f) higher than the low acoustic impedance layer (3a, 3C, 3e, 3G), and also has a bonding layer (9), which is set up in the fourth layer of acoustic impedance layer (3D) from the piezoelectric substrate (4) side toward the supporting substrate (2) side until the sound multilayer (3) and the supporting substrate (2). Any position at the interface.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】弹性波装置
本专利技术涉及用于谐振器、带通滤波器等的弹性波装置。
技术介绍
以往,作为谐振器、带通滤波器,广泛使用弹性波装置。在这样的弹性波装置中,利用了瑞利波、SH波等各种各样的弹性波。在下述的专利文献1公开了利用了板波的弹性波装置。在专利文献1的弹性波装置中,在支承基板上依次层叠有声音反射层、压电体层以及IDT电极。上述声音反射层包含低声阻抗层和声阻抗比该低声阻抗层高的高声阻抗层。在下述的专利文献2公开了在支承基板上依次层叠了高声速膜、低声速膜以及压电膜的弹性波装置。在该弹性波装置中,设为能够提高Q值。在先技术文献专利文献专利文献1:WO2012/086441Al
技术实现思路
专利技术要解决的课题在专利文献1记载了通过对预先设置了声音反射层的支承基板和压电体进行接合,从而制造弹性波装置的方法。然而,根据设置了声音反射层的支承基板与压电体的接合位置,存在产生特性的劣化的情况。因此,本专利技术的目的在于,在具备声音反射层的弹性波装置中,降低特性劣化的可能性。用于解决课题的技术方案本专利技术涉及的弹性波装置具备:支承基板;声音多层膜,设置在所述支承基板上;压电基板,设置在所述声音多层膜上;以及IDT电极,设置在所述压电基板上,所述声音多层膜具有至少4层声阻抗层,所述至少4层声阻抗层包含至少一层低声阻抗层和声阻抗比该低声阻抗层高的至少一层高声阻抗层,所述弹性波装置还具备接合层,所述接合层设置在从由所述压电基板侧朝向所述支承基板侧的第四层所述声阻抗层中起直到所述声音多层膜与所述支承基板的界面为止的任一位置。在本专利技术涉及的弹性波装置的某个特定的局面中,所述接合层设置在所述第四层声阻抗层中。在本专利技术涉及的弹性波装置的另一个特定的局面中,所述声音多层膜具有至少5层所述声阻抗层,所述接合层设置在比所述第四层声阻抗层靠所述支承基板侧的任一个所述声阻抗层中。在本专利技术涉及的弹性波装置的另一个特定的局面中,所述声音多层膜具有至少5层所述声阻抗层,所述接合层设置在所述第四层声阻抗层与其它所述声阻抗层的界面、或者比所述第四层声阻抗层靠所述支承基板侧的所述声阻抗层间的界面中的任一位置。在本专利技术涉及的弹性波装置的又一个特定的局面中,所述接合层设置在所述声音多层膜与所述支承基板的界面。在本专利技术涉及的弹性波装置的又一个特定的局面中,作为传播的弹性波,利用了S0模式、A0模式、A1模式、SH0模式、或SH1模式的板波。在本专利技术涉及的弹性波装置的又一个特定的局面中,所述低声阻抗层包含氧化硅。在该情况下,能够更加高效地封闭板波。在本专利技术涉及的弹性波装置的又一个特定的局面中,所述高声阻抗层包含铂或氮化硅。在该情况下,能够更加高效地封闭板波。专利技术效果根据本专利技术,在具备声音多层膜的弹性波装置中,能够降低特性劣化的可能性。附图说明图1(a)是本专利技术的第一实施方式涉及的弹性波装置的示意性正面剖视图,图1(b)是示出其电极构造的示意性俯视图。图2是将本专利技术的第一实施方式涉及的弹性波装置的主要部分放大示出的局部切割示意性剖视图。图3是示出在通过实验例制作的弹性波装置中使构成声音多层膜的声阻抗层的层叠数变化时的阻抗特性的图。图4(a)~图4(d)是用于说明本专利技术的第一实施方式涉及的弹性波装置的制造方法的各简图式正面剖视图。图5是将本专利技术的第二实施方式涉及的弹性波装置的主要部分放大示出的局部切割示意性剖视图。图6是将本专利技术的第三实施方式涉及的弹性波装置的主要部分放大示出的局部切割示意性剖视图。图7是将本专利技术的第四实施方式涉及的弹性波装置的主要部分放大示出的局部切割示意性剖视图。具体实施方式以下,通过参照附图对本专利技术的具体的实施方式进行说明,从而明确本专利技术。另外,需要指出的是,本说明书记载的各实施方式是例示性的,能够在不同的实施方式间进行结构的部分置换或组合。(第一实施方式)图1(a)是本专利技术的第一实施方式涉及的弹性波装置的示意性正面剖视图,图1(b)是示出其电极构造的示意性俯视图。此外,图2是将本专利技术的第一实施方式涉及的弹性波装置的主要部分放大示出的局部切割示意性剖视图。弹性波装置1是利用了S0模式、A0模式、A1模式、SH0模式、或SH1模式等的板波的弹性波装置。弹性波装置1具有支承基板2。在支承基板2上,层叠有声音多层膜3。在声音多层膜3上,层叠有压电基板4。在压电基板4上,层叠有IDT电极5以及电极连接盘6a、6b。电极连接盘6a、6b设置为与IDT电极5电连接。支承基板2包含Si。作为构成支承基板2的材料,没有特别限定,能够使用:蓝宝石、LiTaO3、LiNbO3、水晶等压电体;氧化铝、氧化镁、氮化硅、氮化铝、氧化硅、氧化铝、碳化硅、氧化锆、堇青石、多铝红柱石、滑石、镁橄榄石等各种陶瓷或玻璃等电介质;或者硅、氮化镓等半导体;或者树脂等。在本实施方式中,声音多层膜3具有低声阻抗层3a、3c、3e、3g和高声阻抗层3b、3d、3f。高声阻抗层3b、3d、3f的声阻抗高于低声阻抗层3a、3c、3e、3g的声阻抗。在本实施方式中,在层叠方向上交替地配置有低声阻抗层3a、3c、3e、3g和高声阻抗层3b、3d、3f。另外,在本专利技术中,低声阻抗层3a、3c、3e、3g和高声阻抗层3b、3d、3f也可以不在层叠方向上交替地配置。不过,从更进一步提高板波的封闭效率的观点出发,优选低声阻抗层3a、3c、3e、3g中的至少一层设置在比高声阻抗层3b、3d、3f中的至少一层靠压电基板4侧。此外,更优选在至少4层声阻抗层中,低声阻抗层和高声阻抗层交替地层叠。从更加高效地封闭板波的能量的观点出发,构成声音多层膜3的声阻抗层的各层的厚度优选分别为压电基板4的厚度的1/10~4倍程度的范围。不过,多个声阻抗层的各层的厚度可以与压电基板4的厚度相同,也可以不同。此外,在弹性波装置1中,声音多层膜3包含7层声阻抗层。像本实施方式那样,声阻抗层的层叠数为至少4层以上。若声阻抗层的层叠数少,则存在不能高效地封闭板波的情况。声阻抗层的层叠数的上限没有特别限定,但优选设为20层程度。低声阻抗层3a、3c、3e、3g包含SiO2。不过,低声阻抗层3a、3c、3e、3g也可以包含Al、Ti等。高声阻抗层3b、3d、3f包含Pt。不过,高声阻抗层3b、3d、3f也可以包含AlN、W、LiTaO3、Al2O3、LiNbO3、SiN、Ta2O5或ZnO等。在本实施方式中,在低声阻抗层3a中设置有接合层9。更具体地,低声阻抗层3a具有用接合层9接合了低声阻抗层部分3al和低声阻抗层部分3a2的构造。因此,接合层9设置为,被低声阻抗层部分3a1和低声阻抗层部分3a2夹持。另外,低声阻抗层部分3a1的与接合层9相反侧的主面与支承基板2相接。另一方面,低声阻抗层部分3a2的与接合层9相反侧的主面与高声阻抗层3b相接。不过,像在后述的实施例中也会叙述的那样,接合层9只要设置在从压电基板4观察的第四层声阻抗层中或比第四层声阻抗层靠支承基板2侧的任一个声阻抗层中或者界面即可。低声阻抗层部分3a1、3a2包含与低声阻抗层3a相同的材料。因此,在本实施方式中,包含SiO2。接合层9包含Ti氧化物。接合层9不限定于Ti氧化物,也可以是Al等其它金属的氧化物。此外,也可以包含Ti、Al等金属,而不是金属的氧化物。不过,优选地,本文档来自技高网...
弹性波装置

【技术保护点】
一种弹性波装置,具备:支承基板;声音多层膜,设置在所述支承基板上;压电基板,设置在所述声音多层膜上;以及IDT电极,设置在所述压电基板上,所述声音多层膜具有至少4层声阻抗层,所述至少4层声阻抗层包含至少一层低声阻抗层和声阻抗比该低声阻抗层高的至少一层高声阻抗层,所述弹性波装置还具备接合层,所述接合层设置在从由所述压电基板侧朝向所述支承基板侧的第四层所述声阻抗层中起直到所述声音多层膜与所述支承基板的界面为止的任一位置。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.10.23 JP 2015-2088011.一种弹性波装置,具备:支承基板;声音多层膜,设置在所述支承基板上;压电基板,设置在所述声音多层膜上;以及IDT电极,设置在所述压电基板上,所述声音多层膜具有至少4层声阻抗层,所述至少4层声阻抗层包含至少一层低声阻抗层和声阻抗比该低声阻抗层高的至少一层高声阻抗层,所述弹性波装置还具备接合层,所述接合层设置在从由所述压电基板侧朝向所述支承基板侧的第四层所述声阻抗层中起直到所述声音多层膜与所述支承基板的界面为止的任一位置。2.根据权利要求1所述的弹性波装置,其中,所述接合层设置在所述第四层声阻抗层中。3.根据权利要求1所述的弹性波装置,其中,所述声音多层膜具有至少5层所述声阻抗层,所述接...

【专利技术属性】
技术研发人员:岸本谕卓大村正志木村哲也
申请(专利权)人:株式会社村田制作所
类型:发明
国别省市:日本,JP

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