An example device includes a silicon substrate having a first substrate surface and a second substrate surface; a plurality of layers related to one or more electronic components of an integrated circuit (IC), wherein a plurality of layers are deposited on the surface of the second substrate; a lithium base battery has a plurality of battery layers on the first substrate surface deposited on a silicon substrate, in which a lithium battery is used. Including an anode collector fluid and a cathodic collector; the first silicon through hole (TSV), through a silicon substrate, and an electrical connection between the anode collecting fluid and a plurality of layers associated with one or more electronic components of the IC; and second TSV across a silicon substrate and between a cathode collector and a plurality of layers associated with one or more electronic components of the IC. An electrical connection is provided.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有用于电子设备和电池的公共衬底的可安装在身上的装置相关申请的交叉引用本申请要求于2015年9月24日提交的美国专利申请第14/863510号的优先权,其全部内容通过引用合并于此。
技术介绍
微电子部件广泛用于各种电子设备(例如可佩戴计算设备、便携式计算机、移动设备等)的生产。这种微电子设备的发展带来了电池作为微型电源的进展。这种电池可以是例如锂基电池。
技术实现思路
本公开描述了涉及与用于电子设备和电池的公共衬底相关的方法、装置和系统的实施例。在一方面,本公开描述了一种装置。该装置包括具有第一衬底表面和与第一衬底表面相对的第二衬底表面的硅衬底。该装置还包括与集成电路的一个或多个电子部件相关的多个层,其中多个层沉积在第二衬底表面上。该装置还包括锂基电池,其具有沉积在硅衬底的第一衬底表面上的多个电池层。锂基电池包括限定在多个电池层内并且接触第一衬底表面的阳极集流体和阴极集流体。该装置还包括穿过硅衬底并在阳极集流体和与集成电路的一个或多个电子部件相关的多个层之间提供电连接的第一硅通孔(TSV)。第一TSV包括通过围绕第一导电沟道的第一绝缘层与硅衬底绝缘的第一导电沟道。该装置还包括穿过硅衬底并在阴极集流体和与集成电路的一个或多个电子部件相关的多个层之间提供电连接的第二TSV。第二TSV包括通过围绕第二导电沟道的第二绝缘层与硅衬底绝缘的第二导电沟道。另一方面,本公开描述了一种方法。该方法包括提供具有第一衬底表面和与第一衬底表面相对的第二衬底表面的硅衬底。该方法还包括在第二衬底表面上沉积与集成电路的一个或多个电子部件相关的多个层。该方法还包括在硅衬底的第一衬底表面上沉积锂基电 ...
【技术保护点】
一种装置,包括:硅衬底,具有第一衬底表面和与所述第一衬底表面相对的第二衬底表面;与集成电路的一个或多个电子部件相关的多个层,其中,所述多个层沉积在所述第二衬底表面上;锂基电池,具有沉积在所述硅衬底的第一衬底表面上的多个电池层,其中,所述锂基电池包括限定在所述多个电池层内并接触所述第一衬底表面的阳极集流体和阴极集流体;第一硅通孔(TSV),穿过所述硅衬底并在所述阳极集流体和与所述集成电路的一个或多个电子部件相关的多个层之间提供电连接,其中,所述第一TSV包括第一导电沟道,其通过围绕所述第一导电沟道的第一绝缘层与所述硅衬底绝缘;以及第二TSV,穿过所述硅衬底并在所述阴极集流体和与所述集成电路的一个或多个电子部件相关的多个层之间提供电连接,其中,所述第二TSV包括第二导电沟道,其通过围绕所述第二导电沟道的第二绝缘层与所述硅衬底绝缘。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.24 US 14/863,5101.一种装置,包括:硅衬底,具有第一衬底表面和与所述第一衬底表面相对的第二衬底表面;与集成电路的一个或多个电子部件相关的多个层,其中,所述多个层沉积在所述第二衬底表面上;锂基电池,具有沉积在所述硅衬底的第一衬底表面上的多个电池层,其中,所述锂基电池包括限定在所述多个电池层内并接触所述第一衬底表面的阳极集流体和阴极集流体;第一硅通孔(TSV),穿过所述硅衬底并在所述阳极集流体和与所述集成电路的一个或多个电子部件相关的多个层之间提供电连接,其中,所述第一TSV包括第一导电沟道,其通过围绕所述第一导电沟道的第一绝缘层与所述硅衬底绝缘;以及第二TSV,穿过所述硅衬底并在所述阴极集流体和与所述集成电路的一个或多个电子部件相关的多个层之间提供电连接,其中,所述第二TSV包括第二导电沟道,其通过围绕所述第二导电沟道的第二绝缘层与所述硅衬底绝缘。2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述锂基电池是在充电期间经历膨胀的类型,其中,所述锂基电池的膨胀引起向外鼓起,并且其中,所述多个电池层沉积在所述第一衬底表面上,使得向外鼓起远离所述硅衬底。3.根据权利要求2所述的装置,其中,所述锂基电池包括至少一个阳极层和电解质层,并且其中,充电期间的膨胀至少部分是通过充电期间在所述阳极层和电解质层之间产生锂来引起的。4.根据权利要求1所述的装置,还包括:附加衬底,具有经由导电粘合剂耦合到与集成电路的一个或多个电子部件相关的多个层的一个或多个导电迹线。5.根据权利要求4所述的装置,其中,所述导电粘合剂包括各向异性导电浆料(ACP)。6.根据权利要求5所述的装置,其中,所述ACP是包含金属颗粒的基于环氧树脂的粘合剂。7.根据权利要求4所述的装置,其中,所述附加衬底与眼镜可佩戴的隐形眼镜相关。8.根据权利要求1所述的装置,其中,所述集成电路包括互补金属氧化物半导体(CMOS)芯片。9.一种方法,包括:提供具有第一衬底表面和与所述第一衬底表面相对的第二衬底表面的硅衬底;在所述第二衬底表面上沉积与集成电路的一个或多个电子部件相关的多个层;将锂基电池的多个电池层沉积在所述硅衬底的第一衬底表面上,其中,所述锂基电池包括限定在所述多个电池层内并接触所述第一衬底表面的阳极集流体和阴极集流体;在所述硅衬底中形成第一硅通孔(TSV),以在所述阳极集流体和与所述集成电路的一个或多个电子部件相关的多个层之间提供电连接,其中,所述第一TSV包括第一导电沟道,其通过围绕所述第一导电沟道的第一绝缘层与所述硅衬底绝...
【专利技术属性】
技术研发人员:WJ比德曼,DJ耶格尔,B奥蒂斯,
申请(专利权)人:威里利生命科学有限责任公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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