An infrared LED with a monolithic and stacked structure (10), which has a n doped base (14), an upper coating (16), an active layer (18) for generating infrared radiation, an upper coating (20), a current distribution layer (24), and an upper pass layer (26), wherein the layer is arranged in the order of reference, wherein, The upper layer (20) and the current distribution layer (24) are arranged with a first tunnel diode (22), in which the current distribution layer (24) mainly includes a layer with a N content of Ga with a Ga content greater than 1%.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】红外LED
本专利技术涉及一种红外LED。
技术介绍
为了提高红外LED的效率,可以以不同的方式优化红外LED的外延结构。由DE102010014667A1已知一种具有外延结构的红外LED,所述外延结构在载体层与p掺杂的包覆层之间具有由一个或多个p掺杂的AlGaAs层构成的500nm厚的电流扩展层。由DE10211531A1已知一种红外LED外延结构,其除了多个由III-V族的化合物构成的半导体层之外为了提高效率具有高反射的金属层作为反射器。YongqinYu等人的文献《MOCVDgrowthofstrain-compensatedmulti-quantumwellslightemittingdiode》,2003出版的Vacuum,第69卷,第489-493页,研究红外发光二极管的量子效率以及光输出功率,所述红外发光二极管具有分别不同的由借助低压CVD渗入的InGaAs/GaAsP构成的MQW有源层。根据US2007/0075327A1,p掺杂的并且通过氢原子掺杂的III-V半导体层布置为p掺杂的包覆层与p掺杂的接通层之间的缓冲层,以便阻止接通层与包覆层之间的掺杂剂的扩散。由EP2009753A1已知一种多射束激光二极管,其由彼此上下地布置的并且通过隧道通道串联电连接的激光堆叠构成。
技术实现思路
在这些背景下,本专利技术的任务在于,说明一种扩展现有技术的设备。所述任务通过具有权利要求1的特征的红外LED解决。本专利技术的有利的构型是从属权利要求的主题。根据本专利技术的主题,红外LED具有单片的、堆叠状的并且外延生长的结构,所述结构具有包括GaAs的n掺杂的 ...
【技术保护点】
一种红外LED,其具有单片的和堆叠状的结构(10),所述红外LED具有:包括GaAs的n掺杂的基础衬底(14)、下包覆层(16)、用于产生红外辐射的有源层(18)、上包覆层(20)、电流分配层(24)以及上接通层(26),其中,这些层以所提及的顺序布置,其特征在于,在所述上包覆层(20)与所述电流分配层(24)之间布置有第一隧道二极管(22),其中,所述电流分配层(24)主要具有n掺杂的含Ga的层,所述n掺杂的含Ga的层具有大于1%的Ga含量。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.11 DE 102015011635.51.一种红外LED,其具有单片的和堆叠状的结构(10),所述红外LED具有:包括GaAs的n掺杂的基础衬底(14)、下包覆层(16)、用于产生红外辐射的有源层(18)、上包覆层(20)、电流分配层(24)以及上接通层(26),其中,这些层以所提及的顺序布置,其特征在于,在所述上包覆层(20)与所述电流分配层(24)之间布置有第一隧道二极管(22),其中,所述电流分配层(24)主要具有n掺杂的含Ga的层,所述n掺杂的含Ga的层具有大于1%的Ga含量。2.根据权利要求1所述的红外LED,其特征在于,在所述电流分配层(24)与所述上接通层(26)之间布置有第二隧道二极管(28)并且所述上接通层(26)是p掺杂的。3.根据权利要求1或2所述的红外LED,其特征在于,所述下包覆层(16)主要包括由GaAs或AlGaAs或InGaAsP或GaAsP或InGaP或AlInGaP构成的化合物。4.根据以上权利要求中一项或多项所述的红外LED,其特征在于,所述上包覆层(20)主要包括由GaAs或AlGaAs或InGaAsP或GaAsP或InGaP或AlInGaP构成的化合物。5.根据以上权利要求中一项或多项所述的红外LED,其特征在于,所述有源层(18)由多量子阱结构构成并且具有15nm至350nm之间的厚度或30nm至300nm之间的厚度。6.根据以上权利要求中一项或多项所述的红外LED,其特征在于,所述电流分配层(24)具有0.1μm至3.0μm之间的厚度。7.根据以上权...
【专利技术属性】
技术研发人员:D·富尔曼,M·莫伊泽尔,
申请(专利权)人:阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司,
类型:发明
国别省市:德国,DE
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