用于电机驱动的集成功率模块和智能功率模块制造技术

本申请公开了一种用于电机驱动的集成功率模块和智能功率模块。该集成功率模块包括：引线框架，所述引线框架具有多个管芯垫和多个管脚；以及固定在所述多个管芯垫上的多个高侧晶体管和多个低侧晶体管、第一栅极驱动芯片和第二栅极驱动芯片、以及第一至第三自举二极管；其中，所述第一至第三自举二极管的阴极分别连接至所述第一栅极驱动芯片，所述多个高侧晶体管固定在公共的管芯垫上，所述多个低侧晶体管分别固定在各自的管芯垫上。该集成功率模块内部设置多个独立的自举二极管，从而可根据需求调节自举二极管的电阻值，以提高电机驱动系统性能。

Integrated power module and intelligent power module for motor drive

The utility model discloses an integrated power module and an intelligent power module for motor drive. The success rate module of the set includes a lead frame with a plurality of core pads and a plurality of pins; and a plurality of high side transistors and a plurality of low side transistors fixed on the plurality of core pads, the first gate drive chip and the second gate drive chip, and the first to third self lifting diodes; The first - to third - self - lifting diode cathode is connected to the first gate drive chip respectively, the plurality of high side transistors are fixed on the common tube core pad, and the plurality of low side transistors are fixed on their respective pipe core pads respectively. There are several independent bootstrap diodes in the success rate module of the set, which can adjust the resistance of the bootstrapped diode to improve the performance of the motor drive system according to the requirement.

【技术实现步骤摘要】
用于电机驱动的集成功率模块和智能功率模块
本技术涉及集成半导体
，更具体地，涉及一种用于电机驱动的集成功率模块及智能功率模块。
技术介绍
在电机驱动应用中，可以采用电机驱动电路从直流电源产生三相的驱动电压，用于向三相电机供电。现有的电机驱动电路包括控制芯片、多个栅极驱动芯片、以及由多个晶体管组成的全桥电路。随着人们对于芯片高集成、小型化的需求，已经将电机驱动电路形成集成功率模块，以实现电机控制和功率驱动一体化。图1和2分别示出根据现有技术的集成功率模块的示意性电路图和内部透视图。如图1所示，现有的电机驱动电路包括电机控制专用芯片A1、第一至第三栅极驱动芯片U1至U3、以及第一至第三高侧晶体管Q11、Q21和Q31、第一至第三低侧晶体管Q12、Q22和Q32。电机控制专用芯片A1用于产生预定相位差的逻辑控制信号。第一栅极驱动芯片U1用于产生控制信号，用于控制串联连接的第一高侧晶体管Q11和第一低侧晶体管Q12的导通状态，在二者的中间节点U产生随时间周期性变化的U相输出信号。类似地，在第二高侧晶体管Q21和第二低侧晶体管Q22的中间节点V产生V相输出信号，以及在第三高侧晶体管Q31和第三低侧晶体管Q32的中间节点W产生W相输出信号。栅极驱动芯片如图2所示，集成功率模块100将控制芯片、栅极驱动芯片和晶体管安装在同一个引线框上。在集成功率模块100中，第一至第三高侧晶体管Q11、Q21、Q31和第一至第三低侧晶体管Q12、Q22、Q32沿横向并列设置于独立的焊芯垫上。由于焊芯垫之间需要留有安全距离，晶体管横向上的尺寸受到限制。栅极驱动芯片第一至第三栅极驱动芯片U1至U3和电机控制专用芯片A1的位置选择大大占用了纵向空间，进一步使得晶体管纵向的尺寸也受到了限制。由于晶体管的尺寸受到限制，因此集成功率模块100的输出功率也受到限制。进一步地，在集成功率模块100中，第一至第三低侧晶体管Q12、Q22、Q32的源极均连接至同一管脚PGND，在系统应用上只能应用于单电阻采样，无法应用扩展或升级。此外，集成功率模块100中的芯片数量多达4个。芯片之间采用引线连接，因此，在集成功率模块100内部，引线数量多、乱、杂、长，封装时容易受到应力发生引线弯曲、短路、塌陷、漏引线、引线断裂等问题，使得模块生产的不良率增加，生产成本增高。高压管脚与低压管脚设置混乱，增加了外围PCB走线的复杂程度。此外，现有技术提供的集成功率模块100中的栅极驱动芯片第一至第三栅极驱动芯片U1至U3中包括自举二极管，由于生产工艺的限制，自举电阻的阻值在300Ω左右，高于一般模块十几倍，可能会导致系统启动不良或变慢，影响系统性能。进一步地，该集成功率模块100中的栅极驱动芯片第一至第三栅极驱动芯片U1至U3没有集成过流保护、过温保护、FO报警等功能，使得该集成功率模块100的布局设计无法用来重复封装成不内置电机控制专用芯片A1的集成功率模块，如额外增加低压栅极驱动模块，其管脚引线又会非常困难。
技术实现思路
鉴于上述问题，本技术的目的在于提供一种集成功率模块，其可在实现小体积封装模块的低成本、多管脚布局的基础上实现大功率以及可扩展功能的智能功率模块。根据本技术的第一方面，提供一种用于电机驱动的集成功率模块，其特征在于，包括：引线框架，所述引线框架具有多个管芯垫和多个管脚；以及固定在所述多个管芯垫上的多个高侧晶体管和多个低侧晶体管、第一栅极驱动芯片和第二栅极驱动芯片、以及第一至第三自举二极管；其中，所述第一栅极驱动芯片用于为所述多个高侧晶体管提供栅极驱动信号，所述第二栅极驱动芯片用于为所述多个低侧晶体管提供栅极驱动信号，所述第一至第三自举二极管的阴极分别连接至所述第一栅极驱动芯片，所述多个高侧晶体管固定在公共的管芯垫上，所述多个低侧晶体管分别固定在各自的管芯垫上。优选地，还包括高压带，所述高压带接收高侧驱动供电电压，并且围绕所述多个高侧晶体管。优选地，所述高压带将所述多个高侧晶体管与所述多个低侧晶体管、所述第一栅极驱动芯片和所述第二栅极驱动芯片隔离。优选地，所述多个高侧晶体管包括第一至第三高侧晶体管，所述多个低侧晶体管包括第一至第三低侧晶体管，所述第一高侧晶体管与所述第一低侧晶体管经由管脚串联连接，且在中间节点提供U相输出电压，所述第二高侧晶体管与所述第二低侧晶体管经由管脚串联连接，且在中间节点提供V相输出电压，所述第三高侧晶体管与所述第三低侧晶体管经由引线串联连接，且在中间节点提供W相输出电压。优选地，所述多个管芯垫包括第一至第五管芯垫，其中，所述第一至第三高侧晶体管固定在公共的第一管芯垫上，所述第一至第三低侧晶体管分别固定在第二至第四管芯垫上，所述第一栅极驱动芯片和所述第二栅极驱动芯片固定在公共的第五管芯上。优选地，还包括第一至第三高侧驱动供电电压管脚，所述引线框架还包括第七管芯垫，所述第一至第三自举二极管的阳极共同连接至所述第七管芯垫。优选地，所述第一至第三自举二极管的阳极形成在同一个P型衬底上。优选地，所述第二栅极驱动芯片包括电机控制专用模块和低压栅极驱动模块，所述第二栅极驱动芯片包括第一至第三组管脚，第一组管脚用于提供低侧栅极驱动信号，第二组管脚用于提供高侧栅极控制信号、模拟信号和I/O信号，第三组管脚用于接收霍尔信号。优选地，所述电机控制专用模块及经由所述第二组管脚和所述第二栅极驱动芯片外部的引线向所述第一栅极驱动芯片提供高侧栅极控制信号，经由所述第三组管脚和所述第二栅极驱动芯片外部的引线从所述集成功率模块的外部获取霍尔信号，以及经由所述第二栅极驱动芯片内部的布线向所述低压栅极驱动模块提供低侧栅极控制信号。优选地，还包括：彼此相对的第一侧边和第二侧边：位于所述第一侧边的多个高压管脚；以及位于所述第二侧边的多个低压管脚，所述多个低压管脚包括多个控制信号管脚、多个模拟信号管脚和多个I/O信号管脚。优选地，所述多个控制信号管脚用于提供高侧栅极控制信号和低侧栅极控制信号，并且用于提供高侧栅极控制信号的所述控制信号管脚邻近所述第一栅极驱动芯片，用于提供低侧栅极控制信号的所述控制信号管脚邻近所述第二栅极驱动芯片。优选地，还包括：彼此相对的第一侧边和第二侧边：位于所述第一侧边的多个高压管脚；以及位于所述第二侧边的多个低压管脚，所述多个低压管脚包括多个霍尔信号管脚、多个模拟信号和多个I/O信号管脚。优选地，所述集成功率模块还包括多个预留管脚，所述预留管脚可连接至第一栅极驱动芯片，用于拓展所述集成功率模块的功能。优选地，所述多个低侧晶体管的源极分别经由管脚连接至相对应的外部采样电阻。优选地，所述多个高侧晶体管和所述多个低侧晶体管在彼此的第一方向和第二方向上分别有第一尺寸和第二尺寸，所述第一尺寸在0.6毫米至2.5毫米的范围内，所述第二尺寸在0.6毫米至5毫米的范围内。根据本技术的第二方面，提供一种智能功率模块，包括上述的集成功率模块。根据本技术实施例的集成功率模块，采用辅助模块改善模块内的芯片布局和走线，从而可以改变引线的走向及避免与其他引线之间的交叉，从而实现灵活的芯片布局和走线。因此，引线之间间距足够宽，可以有效地减小引线之间的电磁干扰，模块封装时不容易出现短路、断裂、塌丝等现象，增加了模块生产的可靠性，提升了生产本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于电机驱动的集成功率模块，其特征在于，包括：引线框架，所述引线框架具有多个管芯垫和多个管脚；以及固定在所述多个管芯垫上的多个高侧晶体管和多个低侧晶体管、第一栅极驱动芯片和第二栅极驱动芯片、以及第一至第三自举二极管；其中，所述第一栅极驱动芯片用于为所述多个高侧晶体管提供栅极驱动信号，所述第二栅极驱动芯片用于为所述多个低侧晶体管提供栅极驱动信号，所述第一至第三自举二极管的阴极分别连接至所述第一栅极驱动芯片，所述多个高侧晶体管固定在公共的管芯垫上，所述多个低侧晶体管分别固定在各自的管芯垫上。

【技术特征摘要】
1.一种用于电机驱动的集成功率模块，其特征在于，包括：引线框架，所述引线框架具有多个管芯垫和多个管脚；以及固定在所述多个管芯垫上的多个高侧晶体管和多个低侧晶体管、第一栅极驱动芯片和第二栅极驱动芯片、以及第一至第三自举二极管；其中，所述第一栅极驱动芯片用于为所述多个高侧晶体管提供栅极驱动信号，所述第二栅极驱动芯片用于为所述多个低侧晶体管提供栅极驱动信号，所述第一至第三自举二极管的阴极分别连接至所述第一栅极驱动芯片，所述多个高侧晶体管固定在公共的管芯垫上，所述多个低侧晶体管分别固定在各自的管芯垫上。2.根据权利要求1所述的集成功率模块，其特征在于，还包括高压带，所述高压带接收高侧驱动供电电压，并且围绕所述多个高侧晶体管。3.根据权利要求2所述的集成功率模块，其特征在于，所述高压带将所述多个高侧晶体管与所述多个低侧晶体管、所述第一栅极驱动芯片和所述第二栅极驱动芯片隔离。4.根据权利要求1所述的集成功率模块，其特征在于，所述多个高侧晶体管包括第一至第三高侧晶体管，所述多个低侧晶体管包括第一至第三低侧晶体管，所述第一高侧晶体管与所述第一低侧晶体管经由管脚串联连接，且在中间节点提供U相输出电压，所述第二高侧晶体管与所述第二低侧晶体管经由管脚串联连接，且在中间节点提供V相输出电压，所述第三高侧晶体管与所述第三低侧晶体管经由引线串联连接，且在中间节点提供W相输出电压。5.根据权利要求4所述的集成功率模块，其特征在于，所述多个管芯垫包括第一至第五管芯垫，其中，所述第一至第三高侧晶体管固定在公共的第一管芯垫上，所述第一至第三低侧晶体管分别固定在第二至第四管芯垫上，所述第一栅极驱动芯片和所述第二栅极驱动芯片固定在公共的第五管芯上。6.根据权利要求4所述的集成功率模块，其特征在于，还包括第一至第三高侧驱动供电电压管脚，所述引线框架还包括第七管芯垫，所述第一至第三自举二极管的阳极共同连接至所述第七管芯垫。7.根据权利要求6所述的集成功率模块，其特征在于，所述第一至第三自举二极管的阳极形成在同一个P型衬底上。8.根据权利要求1所述的集成功率模块，其特征在于，所述第二栅极驱动芯片包括电机控制专用模块和低压栅极驱...

【专利技术属性】
技术研发人员：李祥，吴美飞，陈颜，
申请(专利权)人：杭州士兰微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33