充电方法及充电控制装置制造方法及图纸

技术编号:17943233 阅读:135 留言:0更新日期:2018-05-15 22:39
本发明专利技术实施例提供一种充电方法及充电控制装置,该方法适用于一种充电设备,该充电设备包括MOS开关、充电控制装置和升压装置,所述MOS开关的漏极通过并联电阻与升压装置连接,所述MOS开关的栅极与所述充电控制装置连接,所述MOS开关的源极接地,所述方法包括:所述充电控制装置向所述MOS开关输出预设波形的电压信号;所述MOS开关基于所述预设波形的电压信号执行相应的开启或关闭操作,从而触发所述升压装置将所述充电设备的输出电压提升到预设电压。本发明专利技术实施例提供的方法及装置,能够降低充电设备的成本。

Charging method and charging control device

An embodiment of the invention provides a charging method and a charging control device. The method is suitable for a charging device. The charging device includes a MOS switch, a charging control device and a boost device. The drain pole of the MOS switch is connected with a boost device through a parallel resistor, and the gate of the MOS switch is connected with the charge control device. The source of the MOS switch is grounded, and the method includes: the charging control device outputs a voltage signal of the preset waveform to the MOS switch; the MOS switch performs a corresponding opening or closing operation based on the voltage signal of the preset waveform, thereby triggering the boost mounting to lift the output voltage of the charging device. Up to the preset voltage. The method and device provided by the embodiment of the invention can reduce the cost of the charging device.

【技术实现步骤摘要】
充电方法及充电控制装置
本申请涉及充电
,尤其涉及一种充电方法及充电控制装置。
技术介绍
无线充电发射座在高压时效率比较高,比如9V的输入比5V输入高,目前主流无线充电发射方案的最大输入电流为2A,如果输入电压是5V,因为效率的问题那要在手机端支持2A的充电电流是无法实现的,目前整套方案的最大效率在70%不到。所以只有将输入电压抬高才可以满足手机端2A的充电电流。现有技术一般是通过集成PE2.0协议的集成电路(IC)来触发充电器抬高充电的输入电压。但是这个IC价格比较高昂。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种充电方法及充电控制装置,用以降低充电设备的成本。本专利技术实施例的第一方面是提供一种充电方法,该方法适用于一种充电设备,该充电设备包括MOS开关、充电控制装置和升压装置,所述MOS开关的漏极通过并联电阻与升压装置连接,所述MOS开关的栅极与所述充电控制装置连接,所述MOS开关的源极接地,所述方法包括:所述充电控制装置向所述MOS开关输出预设波形的电压信号;所述MOS开关基于所述预设波形的电压信号执行相应的开启或关闭操作,从而触发所述升压装置将所述充电设备的输出电压提升到预设电压。可选的,所述预设波形的电压信号包括起始位信号、结束位信号和位于所述起始位信号和结束位信号之间的控制位信号,所述MOS开关基于所述控制位信号执行相应的开启或关闭操作。可选的,所述控制位信号包括第一预设个数的对应于低电平的第一子信号和第二预设个数的对应于高电平的第二子信号。可选的,所述控制位信号对应的电平信号包括:00110或00111,其中0表示低电平,1表示高电平。可选的,所述第一子信号和所述第二子信号均包括一个峰和波谷,其中,在所述第一子信号中波峰长度是波谷长度的二分之一,在第二子信号中波峰长度是波谷长度的二倍。本实施例提供的充电方法,通过并联电阻将MOS开关的漏极与升压装置进行连接,将MOS开关的栅极与充电控制装置连接,将MOS开关的源极接地,通过充电控制装置向MOS开关输出预设波形的电压信号,控制MOS开关进行相应的开启或关闭操作,从而触发升压装置将所述充电设备的输出电压提升到预设电压。相较于现有的集成PE2.0协议的集成电路(IC)成本较低,因此,在保证充电设备升压功能的前提下,实现了降低成本的目的。本专利技术实施例第二方面提供一种充电控制装置,所述充电控制装置安装在充电设备中,所述充电设备包括MOS开关和升压装置,所述MOS开关的漏极通过并联电阻与升压装置连接,所述MOS开关的栅极与所述充电控制装置连接,所述MOS开关的源极接地;所述充电控制装置包括:处理器和输出电路,所述处理器和所述输出电路耦合;所述处理器用于:通过所述输出电路向所述MOS开关输出预设波形的电压信号,控制所述MOS开关执行相应的开启或关闭操作,从而触发所述升压装置将所述充电设备的输出电压提升到预设电压。可选的,所述处理器通过所述输出电路输出的预设波形的电压信号包括:起始位信号、结束位信号和位于所述起始位信号和结束位信号之间的控制位信号,所述MOS开关基于所述控制位信号执行相应的开启或关闭操作。可选的,所述控制位信号包括第一预设个数的对应于低电平的第一子信号和第二预设个数的对应于高电平的第二子信号。可选的,所述控制位信号对应的电平信号包括:00110或00111,其中0表示低电平,1表示高电平。可选的,所述第一子信号和所述第二子信号均包括一个峰和波谷,其中,在所述第一子信号中波峰长度是波谷长度的二分之一,在第二子信号中波峰长度是波谷长度的二倍。本实施例提供的充电控制装置,通过并联电阻将MOS开关的漏极与升压装置进行连接,将MOS开关的栅极与充电控制装置连接,将MOS开关的源极接地,通过充电控制装置向MOS开关输出预设波形的电压信号,控制MOS开关进行相应的开启或关闭操作,从而触发升压装置将所述充电设备的输出电压提升到预设电压。相较于现有的集成PE2.0协议的集成电路(IC)成本较低,因此,在保证充电设备升压功能的前提下,实现了降低成本的目的。附图说明图1为本专利技术实施例提供的一种充电设备的内部结构示意图;图2为本专利技术实施例提供的充电方法的流程图;图3为本专利技术实施例提供的预设波形的电压信号的示意图;图4为本专利技术实施例提供的预设波形的电压信号的示意图;图5为本专利技术实施例提供的一种充电控制装置的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。需要说明的是,当组件被称为“固定于”另一个组件,它可以直接在另一个组件上或者也可以存在居中的组件。当一个组件被认为是“连接”另一个组件,它可以是直接连接到另一个组件或者可能同时存在居中组件。除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。下面结合附图,对本专利技术的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下,下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。本专利技术实施例提供一种充电方法。该适用于一种充电设备,图1为本专利技术实施例提供的一种充电设备的内部结构示意图,如图1所示,该充电设备包括MOS开关11、充电控制装置12和升压装置13,其中,MOS开关11的漏极通过并联电阻与升压装置13连接,MOS开关的栅极与充电控制装置12连接,MOS开关11的源极接地。本实施例中MOS开关11可以被具体为P沟道MOS管开关(PMOS),或者是N沟道MOS管开关(NMOS)。PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。需要注意的是,Vgs指的是栅极G与源极S的电压,即栅极低于电源一定电压就导通,而非相对于地的电压。但是因为PMOS导通内阻比较大,所以只适用低功率的情况。大功率仍然使用N沟道MOS管。NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压大于参数手册中给定的Vgs就可以了,漏极D接电源,源极S接地。需要注意的是Vgs指的是栅极G与源极S的压差,所以当NMOS作为高端驱动时候,当漏极D与源极S导通时,漏极D与源极S电势相等,那么栅极G必须高于源极S与漏极D电压,漏极D与源极S才能继续导通。本实施例以PMOS为例。图2为本专利技术实施例提供的充电方法的流程图,如图2所示,在图1所示的充电设备的基础上,该方法包括:步骤101、所述充电控制装置向所述MOS开关输出预设波形的电压信号。步骤102、所述MOS开关基于所述预设波形的电压信号执行相应的开启或关闭操作,从而触发所述升压装置将所述充电设备的输出电压提升到预设电压。可选的,本实施例中涉及的预设波形的电压信号包括起始位信号、结束位信号和位于起始位信号和结束位信号之间的控制位信号,MOS开关11基于控制位信号执行相应的开启或关闭操作。当MOS开关11开启时,电流从MOS本文档来自技高网
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充电方法及充电控制装置

【技术保护点】
一种充电方法,该方法适用于一种充电设备,其特征在于,该充电设备包括MOS开关、充电控制装置和升压装置,所述MOS开关的漏极通过并联电阻与升压装置连接,所述MOS开关的栅极与所述充电控制装置连接,所述MOS开关的源极接地,所述方法包括:所述充电控制装置向所述MOS开关输出预设波形的电压信号;所述MOS开关基于所述预设波形的电压信号执行相应的开启或关闭操作,从而触发所述升压装置将所述充电设备的输出电压提升到预设电压。

【技术特征摘要】
1.一种充电方法,该方法适用于一种充电设备,其特征在于,该充电设备包括MOS开关、充电控制装置和升压装置,所述MOS开关的漏极通过并联电阻与升压装置连接,所述MOS开关的栅极与所述充电控制装置连接,所述MOS开关的源极接地,所述方法包括:所述充电控制装置向所述MOS开关输出预设波形的电压信号;所述MOS开关基于所述预设波形的电压信号执行相应的开启或关闭操作,从而触发所述升压装置将所述充电设备的输出电压提升到预设电压。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述预设波形的电压信号包括起始位信号、结束位信号和位于所述起始位信号和结束位信号之间的控制位信号,所述MOS开关基于所述控制位信号执行相应的开启或关闭操作。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述控制位信号包括第一预设个数的对应于低电平的第一子信号和第二预设个数的对应于高电平的第二子信号。4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述控制位信号对应的电平信号包括:00110或00111,其中0表示低电平,1表示高电平。5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述第一子信号和所述第二子信号均包括一个峰和波谷,其中,在所述第一子信号中波峰长度是波谷长度的二分之一,在第二子信号中波峰长度是波谷长度的二倍。6.一种充电控制装置,其特征在于,所述充电控制装置安装在...

【专利技术属性】
技术研发人员:王肖伟
申请(专利权)人:上海传英信息技术有限公司
类型:发明
国别省市:上海,31

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