半导体封装结构制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种半导体封装结构。其包括：重分布层结构，其中该重分布层结构包括：重分布层接触垫；以及钝化层，设置在该重分布层接触垫上，其中该钝化层具有对应该重分布层接触垫的开口，使得该重分布层接触垫从该开口中露出；其中，于平面视图中，该开口的第一位置与该开口的中心点之间的距离不同于该开口的第二位置与该开口的中心点之间的距离。本发明专利技术实施例，可以改善半导体封装结构的稳定性。

Semiconductor packaging structure

The embodiment of the invention discloses a semiconductor packaging structure. It includes the redistribution layer structure, in which the redistribution layer structure includes the redistribution layer contact pad, and the passivation layer on the redistribution layer contact pad, in which the passivation layer has an opening to the contact pad of the redistribution layer so that the redistribution layer contact pad is exposed from the opening; in the plane view, the redistribution layer is exposed in the plane view. The distance between the first position of the opening and the center point of the opening is different from the distance between the second position of the opening and the center point of the opening. The embodiment of the invention can improve the stability of the semiconductor packaging structure.

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构
本专利技术涉及封装技术，尤其涉及一种半导体封装结构。
技术介绍
为了确保电子产品与通讯装置之持续小型化与多功能性，具有小尺寸、支持多引脚连接、高速操作且具有高功能性的半导体封装受到期待。这些因素迫使半导体封装制造者发展了扇出(fan-out)半导体封装。但是，多功能芯片封装增加的I/O(Input/output，输入/输出)连接数会诱发热电问题，例如散热、串扰、信号传播延迟、RF(RadioFrequency，射频)电路中的电磁干扰等问题。热电问题会影响产品的可靠性与质量。因此，一种创新的半导体封装结构受到期待。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种半导体封装结构。本专利技术实施例提供了一种半导体封装结构，包括：重分布层结构，其中该重分布层结构包括：重分布层接触垫；以及钝化层，设置在该重分布层接触垫上，其中该钝化层具有对应该重分布层接触垫的开口，使得该重分布层接触垫从该开口中露出；其中，于平面视图中，该开口的第一位置与该开口的中心点之间的距离不同于该开口的第二位置与该开口的中心点之间的距离。其中，该重分布层接触垫的边界上的第三位置与该重分布层接触垫的中心点之间的距离等于该重分布层接触垫的边界上的第四位置与该重分布层接触垫的中心点之间的距离。其中，该第一位置与该第三位置位于穿过该开口的中心点与该重分布层接触垫的中心点的第一直线上。其中，该第二位置与该第四位置位于穿过该开口的中心点与该重分布层接触垫的中心点的第二直线上。其中，沿该第一直线的该第一位置与该第三位置之间的距离不同于沿该第二直线的该第二位置与该第四位置之间的距离。其中，在平面视图中，该开口具有第一形状，以及该重分布层接触垫具有第二形状，其中该第一形状不同于该第二形状。其中，该第一形状为非圆形的形状。其中，该第一形状具有旋转对称性。其中，该第一形状包括：花瓣形、椭圆形、多边形或者星状形。其中，该钝化层具有与该重分布层接触垫重叠的重叠区，其中该重叠区的内边界的形状不同于该重叠区的外边界的形状。其中，该重分布层接触垫的边界围绕该开口。其中，进一步包括：半导体晶粒，设置在该重分布层结构的第一表面上并且电性耦接至该重分布层结构；模塑料，围绕该半导体晶粒并且接触该半导体晶粒以及该重分布层结构的该第一表面；以及导电结构，设置在该重分布层结构的第二表面上，并且接触和电性耦接至该重分布层接触垫，其中该第一表面和该第二表面互为相反面。本专利技术实施例提供了一种半导体封装结构，包括：重分布层结构，其中该重分布层结构包括：重分布层接触垫；以及钝化层，设置在该重分布层接触垫上，其中该钝化层具有对应该重分布层接触垫的开口，使得该重分布层接触垫从该开口露出；其中，于平面视图中，该开口具有第一形状且该重分布层接触垫具有第二形状，其中该第一形状不同于该第二形状。其中，该第一形状为非圆形的形状。其中，该第一形状具有旋转对称性。其中，该第一形状包括：花瓣形、椭圆形、多边形或者星状形。其中，该钝化层具有与该重分布层接触垫重叠的重叠区，其中该重叠区的内边界的形状不同于该重叠区的外边界的形状。其中，该重分布层接触垫的边界围绕该开口。其中，进一步包括：半导体晶粒，设置在该重分布层结构的第一表面上并且电性耦接至该重分布层结构；模塑料，围绕该半导体晶粒并且接触该半导体晶粒以及该重分布层结构的该第一表面；以及导电结构，设置在该重分布层结构的第二表面上，并且接触和电性耦接至该重分布层接触垫，其中该第一表面和该第二表面互为相反面。本专利技术实施例提供了一种半导体封装结构，包括：重分布层结构，其中该重分布层结构包括：重分布层接触垫；以及钝化层，设置在该重分布层接触垫上，其中该钝化层具有对应该重分布层接触垫的开口，使得该重分布层接触垫从该开口露出；其中，该钝化层具有与该重分布层接触垫重叠的重叠区，其中该重叠区的内边界的形状不同于该重叠区的外边界的形状。其中，于平面视图中，该开口的第一位置与该开口的中心点之间的距离不同于该开口的第二位置与该开口的中心点之间的距离。其中，该重分布层接触垫的边界上的第三位置与该重分布层接触垫的中心点之间的距离等于该重分布层接触垫的边界上的第四位置与该重分布层接触垫的中心点之间的距离。其中，该第一位置与该第三位置位于穿过该开口的中心点与该重分布层接触垫的中心点的第一直线上；和/或，该第二位置与该第四位置位于穿过该开口的中心点与该重分布层接触垫的中心点的第二直线上。其中，进一步包括：半导体晶粒，设置在该重分布层结构的第一表面上并且电性耦接至该重分布层结构；模塑料，围绕该半导体晶粒并且接触该半导体晶粒以及该重分布层结构的该第一表面；以及导电结构，设置在该重分布层结构的第二表面上，并且接触和电性耦接至该重分布层接触垫，其中该第一表面和该第二表面互为相反面。本专利技术实施例的有益效果是：本专利技术实施例，可以改善半导体封装结构的稳定性。附图说明通过阅读接下来的详细描述以及参考附图，可以更全面地理解本专利技术；其中：图1为根据本专利技术一些实施例的半导体封装结构的剖面示意图；图2A～2F为根据本专利技术一些实施例的平面示意图，用于显示钝化层的开口的形状以及RDL(RedistributionLayer，重分布层)结构中的RDL接触垫的形状；图3为根据本专利技术一些实施例的半导体封装结构的剖面示意图。具体实施方式在本申请说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定的元件。本领域技术人员应可理解，硬件制造商可能会用不同的名词来称呼同一个元件。本说明书及权利要求并不以名称的差异作为区分元件的方式，而是以元件在功能上的差异作为区分的准则。在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包括”、“包含”为一开放式的用语，故应解释成“包括(含)但不限定于”。另外，“耦接”一词在此为包括任何直接及间接的电气连接手段。因此，若文中描述第一装置耦接于第二装置，则代表该第一装置可直接电气连接至该第二装置，或透过其它装置或连接手段间接地电气连接至该第二装置。以下描述为实现本专利技术的较佳预期方式。该描述仅是出于说明本专利技术的一般原理的目的，并且不意味着限制。本专利技术的范围可以通过参考所附的权利要求书来确定。本专利技术将通过参考特定实施例和参考确定的附图的方式来描述，并且本专利技术不限制于此，另外本专利技术仅由权利要求来限定。描述的附图仅是原理图并且不意味着限制。在附图中，出于说明目的和非按比例绘制，可能夸大了一些元件的尺寸。另外，附图中的尺寸与相对尺寸不对应本专利技术实践中的真实尺寸。本专利技术实施例是关于对半导体封装结构中的RDL的钝化层的接垫开口的设计。图1为根据本专利技术一些实施例的半导体封装结构500a的剖面示意图。在一些实施例中，该半导体封装结构500a包括：FOWLP(fan-outwafer-levelsemiconductorpackage，扇出晶圆级半导体封装)350，例如倒装芯片(flip-chip)半导体封装。需要注意的是，在半导体封装结构500a中使用的扇出晶圆级半导体封装350仅为示例而不意味着对本专利技术实施例的限制。在一些实施例中，该FOWLP350可以包括：纯的SOC(SystemOnChip，片上系统)封装或者混合的SOC封装，其中该混合的SOC封装含有DRAM(DynamicRandomAccessMemory，动态随机存取本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装结构，其特征在于，包括：重分布层结构，其中该重分布层结构包括：重分布层接触垫；以及钝化层，设置在该重分布层接触垫上，其中该钝化层具有对应该重分布层接触垫的开口，使得该重分布层接触垫从该开口中露出；其中，于平面视图中，该开口的第一位置与该开口的中心点之间的距离不同于该开口的第二位置与该开口的中心点之间的距离。

【技术特征摘要】
2016.10.31 US 15/338,6521.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：重分布层结构，其中该重分布层结构包括：重分布层接触垫；以及钝化层，设置在该重分布层接触垫上，其中该钝化层具有对应该重分布层接触垫的开口，使得该重分布层接触垫从该开口中露出；其中，于平面视图中，该开口的第一位置与该开口的中心点之间的距离不同于该开口的第二位置与该开口的中心点之间的距离。2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该重分布层接触垫的边界上的第三位置与该重分布层接触垫的中心点之间的距离等于该重分布层接触垫的边界上的第四位置与该重分布层接触垫的中心点之间的距离。3.如权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一位置与该第三位置位于穿过该开口的中心点与该重分布层接触垫的中心点的第一直线上。4.如权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，该第二位置与该第四位置位于穿过该开口的中心点与该重分布层接触垫的中心点的第二直线上。5.如权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，沿该第一直线的该第一位置与该第三位置之间的距离不同于沿该第二直线的该第二位置与该第四位置之间的距离。6.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，在平面视图中，该开口具有第一形状，以及该重分布层接触垫具有第二形状，其中该第一形状不同于该第二形状。7.如权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一形状为非圆形的形状。8.如权利要求7所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一形状具有旋转对称性。9.如权利要求7所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一形状包括：花瓣形、椭圆形、多边形或者星状形。10.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该钝化层具有与该重分布层接触垫重叠的重叠区，其中该重叠区的内边界的形状不同于该重叠区的外边界的形状。11.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该重分布层接触垫的边界围绕该开口。12.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，进一步包括：半导体晶粒，设置在该重分布层结构的第一表面上并且电性耦接至该重分布层结构；模塑料，围绕该半导体晶粒并且接触该半导体晶粒以及该重分布层结构的该第一表面；以及导电结构，设置在该重分布层结构的第二表面上，并且接触和电性耦接至该重分布层接触垫，其中该第一表面和该第二表面互为相反面。13.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：重分布层结构，其中该重分布层结构包括：重分布层接触垫；以及钝化层，设置在该重分布层接触垫上，其中该钝化层具有对应该重分布层接触垫的开口，使得该重分布层接触...

【专利技术属性】
技术研发人员：林子闳，刘乃玮，彭逸轩，黄伟哲，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71