【技术实现步骤摘要】
一种肖特基二极管
本技术涉及二极管
,具体涉及一种肖特基二极管。
技术介绍
肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)为正极,以N型半导体为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。GaN二级管在大功率领域内有很大的优势,然而目前的GaN二极管组装复杂。
技术实现思路
为了克服现有技术中存在的缺点和不足,本技术的目的在于提供一种结构简单,组装方便的一种肖特基二极管。本技术的目的通过下述技术方案实现:一种肖特基二极管,其特征在于:包括衬底;间隔溅射于衬底顶部的导通金属层;所述导通金属层之间设有缓冲层;缓冲层的上端及导通金属层上端外延有GaN层;GaN层的上端连接有肖特基金属层;衬底下端连接有电极金属层。进一步的,所述衬底为Al2O3层、SiC层或Si层中的一种,其厚度为30-50um。进一步的,GaN层包括高掺杂GaN层、低掺杂GaN层,所述低掺杂GaN层位于高掺杂GaN层的上方。进一步的,高掺杂GaN层的掺杂浓度为1×1019/cm3~1×1020/cm3,厚度为2-4um。进一步的,高掺杂GaN的掺杂浓度为5×1019/cm3。进一步的,低掺杂GaN层的掺杂浓度为1.5×1015/cm3~2×1016/cm3,厚度为2-5um。进一步的,低掺杂GaN的掺杂浓度为5×1015/cm3,厚度为3um。进一步的,导通金属层为Au或Ti, ...
【技术保护点】
一种肖特基二极管,其特征在于:包括衬底、间隔溅射于衬底顶部的导通金属层;所述导通金属层之间设有缓冲层;缓冲层的上端及导通金属层上端外延有GaN层;GaN层的上端连接有肖特基金属层;衬底下端连接有电极金属层。
【技术特征摘要】
1.一种肖特基二极管,其特征在于:包括衬底、间隔溅射于衬底顶部的导通金属层;所述导通金属层之间设有缓冲层;缓冲层的上端及导通金属层上端外延有GaN层;GaN层的上端连接有肖特基金属层;衬底下端连接有电极金属层。2.根据权利要求1所述的一种肖特基二极管,其特征在于:所述衬底为Al2O3层、SiC层或Si层中的一种,其厚度为30-50um。3.根据权利要求1所述的一种肖特基二极管,其特征在于:所述GaN层包括高掺杂GaN层、低掺杂GaN层,所述低掺杂GaN层位于高掺杂GaN层的上方。4.根据权利要求3所述的一种肖特基二极管,其特征在于:所述高掺杂GaN层的掺杂浓度为1×1019/cm3~1×1020/cm3,厚度为2-4um。5.根据权利要求4所述的一种肖特基...
【专利技术属性】
技术研发人员:龙立,
申请(专利权)人:广东瑞森半导体科技有限公司,
类型:新型
国别省市:广东,44
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