一种肖特基二极管制造技术

技术编号:17919554 阅读:41 留言:0更新日期:2018-05-10 22:54
本实用新型专利技术涉及二极管技术领域,具体涉及一种肖特基二极管,包括衬底、间隔溅射于衬底顶部的导通金属层;所述导通金属层之间设有缓冲层;缓冲层的上端及导通金属层上端外延有GaN层;GaN层的上端连接有肖特基金属层;衬底下端连接有电极金属层。本实用新型专利技术通在衬底顶部间隔溅射导通金属层、间隔的导通金属层之间设有缓冲层,可以在保证外延生长半导体层的同时有效导通衬底与GaN层,且结构简单,容易组装,另外,本实用新型专利技术的肖特基二极管加工工艺简单,生产成本低,增加了市场竞争力。

【技术实现步骤摘要】
一种肖特基二极管
本技术涉及二极管
,具体涉及一种肖特基二极管。
技术介绍
肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)为正极,以N型半导体为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。GaN二级管在大功率领域内有很大的优势,然而目前的GaN二极管组装复杂。
技术实现思路
为了克服现有技术中存在的缺点和不足,本技术的目的在于提供一种结构简单,组装方便的一种肖特基二极管。本技术的目的通过下述技术方案实现:一种肖特基二极管,其特征在于:包括衬底;间隔溅射于衬底顶部的导通金属层;所述导通金属层之间设有缓冲层;缓冲层的上端及导通金属层上端外延有GaN层;GaN层的上端连接有肖特基金属层;衬底下端连接有电极金属层。进一步的,所述衬底为Al2O3层、SiC层或Si层中的一种,其厚度为30-50um。进一步的,GaN层包括高掺杂GaN层、低掺杂GaN层,所述低掺杂GaN层位于高掺杂GaN层的上方。进一步的,高掺杂GaN层的掺杂浓度为1×1019/cm3~1×1020/cm3,厚度为2-4um。进一步的,高掺杂GaN的掺杂浓度为5×1019/cm3。进一步的,低掺杂GaN层的掺杂浓度为1.5×1015/cm3~2×1016/cm3,厚度为2-5um。进一步的,低掺杂GaN的掺杂浓度为5×1015/cm3,厚度为3um。进一步的,导通金属层为Au或Ti,其厚度为0.5-1um。进一步的,缓冲层为SiN、AlN或GaN的一种,其厚度与导通金属层相同。进一步的,肖特基金属层为Pt、Ti或Ni层的一种。本技术的有益效果在于:本技术通在衬底顶部间隔溅射导通金属层、间隔的导通金属层之间设有缓冲层,可以在保证外延生长半导体层的同时有效导通衬底与GaN层,且结构简单,容易组装,另外,本技术的肖特基二极管加工工艺简单,生产成本低,增加了市场竞争力。附图说明图1是本技术的剖面示意图。附图标记为:1-衬底;2-导通金属层;3-缓冲层;4-高掺杂GaN层;5-低掺杂GaN层;6-肖特基金属层;7-电极金属层。具体实施方式为了便于本领域技术人员的理解,下面结合实施例及附图1对本技术作进一步的说明,实施方式提及的内容并非对本技术的限定。请参阅附图1,一种肖特基二极管,包括衬底1、间隔溅射于衬底1顶部的导通金属层2、所述间隔的导通金属层2之间设有缓冲层3、缓冲层3及导通金属层2上端外延有GaN层、GaN层的上端连接有肖特基金属层6、衬底1下端连接有电极金属层7。本实施例中,在衬底1顶部间隔溅射导通金属层2,可导通衬底1与半导体层,增加电流;导通金属层2之间设缓冲层3,使得GaN层的晶格与缓冲层3匹配度高,GaN能更好的生长。进一步的,所述衬底1为Al2O3层,其厚度为50um。本实施例中,采用Al2O3作为衬底1,Al2O3价格便宜,且表面光滑,易外延生长缓冲层3及溅射导通金属层2。本实施例中,GaN层包括高掺杂GaN层4、低掺杂GaN层5,所述低掺杂GaN层5位于高掺杂GaN层4的上方。本实施例中,高掺杂GaN的掺杂浓度为5×1019/cm3,厚度为4um。本实施例中,高掺杂GaN的掺杂浓度为5×1019/cm3,厚度为4um可增加导电性能,使得衬底1与半导体层能更好的导通,产生大的电流。本实施例中,低掺杂GaN的掺杂浓度为5×1015/cm3,厚度为3um。本实施例中,低掺杂GaN的掺杂浓度为5×1015/cm3,厚度为3um可使二极管的达到稳态的速度更快,反应速度更快。本实施例中,导通金属层2为Au层,其厚度为1um。本实施例中,导通金属层2为Au层,其导电性好,且容易溅射为平整的表面。本实施例中,缓冲层3为AlN层,其厚度与导通金属层2相同。本实施例中,采用AlN作为缓冲层3的材料,其晶格匹配度更高。本实施例中,肖特基金属层6为Pt。上述实施例为本技术较佳的实现方案,除此之外,本技术还可以其它方式实现,在不脱离本技术构思的前提下任何显而易见的替换均在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...
一种肖特基二极管

【技术保护点】
一种肖特基二极管,其特征在于:包括衬底、间隔溅射于衬底顶部的导通金属层;所述导通金属层之间设有缓冲层;缓冲层的上端及导通金属层上端外延有GaN层;GaN层的上端连接有肖特基金属层;衬底下端连接有电极金属层。

【技术特征摘要】
1.一种肖特基二极管,其特征在于:包括衬底、间隔溅射于衬底顶部的导通金属层;所述导通金属层之间设有缓冲层;缓冲层的上端及导通金属层上端外延有GaN层;GaN层的上端连接有肖特基金属层;衬底下端连接有电极金属层。2.根据权利要求1所述的一种肖特基二极管,其特征在于:所述衬底为Al2O3层、SiC层或Si层中的一种,其厚度为30-50um。3.根据权利要求1所述的一种肖特基二极管,其特征在于:所述GaN层包括高掺杂GaN层、低掺杂GaN层,所述低掺杂GaN层位于高掺杂GaN层的上方。4.根据权利要求3所述的一种肖特基二极管,其特征在于:所述高掺杂GaN层的掺杂浓度为1×1019/cm3~1×1020/cm3,厚度为2-4um。5.根据权利要求4所述的一种肖特基...

【专利技术属性】
技术研发人员:龙立
申请(专利权)人:广东瑞森半导体科技有限公司
类型:新型
国别省市:广东,44

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