半导体器件制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体器件。本实用新型专利技术公开了半导体器件的具体实施，该半导体器件可包括：具有多个单元的第一层，每个单元具有漏极指状物、源极指状物和栅极环；具有漏极焊盘和源极焊盘的第二层，该漏极焊盘具有宽度并且该源极焊盘具有与漏极焊盘基本上相同的宽度；其中该第一层的每个漏极指状物的宽度宽于该第一层的每个源极指状物的宽度；并且其中每个漏极焊盘通过第一触点而被耦接到每个漏极指状物，并且该源极焊盘通过第二触点而被耦接到每个源极指状物，其中该第一触点的宽度宽于该第二触点的宽度。本实用新型专利技术解决的一个技术问题是改进半导体器件。本实用新型专利技术实现的一个技术效果是提供改进的半导体器件。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
本文档的各个方面整体涉及半导体器件。特定具体实施涉及共源共栅器件。
技术介绍
通常，氮化镓(GaN)器件用于高功率或高频率半导体器件。常规GaN器件包括源极指状物和漏极指状物，并且使用栅极进行操作。
技术实现思路
本技术解决的一个技术问题是改进半导体器件。本技术公开了半导体器件的具体实施，该半导体器件可包括：具有多个单元的第一层，每个单元具有漏极指状物、源极指状物和栅极环；具有漏极焊盘和源极焊盘的第二层，该漏极焊盘具有宽度并且该源极焊盘具有与漏极焊盘基本上相同的宽度；其中该第一层的每个漏极指状物的宽度宽于该第一层的每个源极指状物的宽度；并且其中每个漏极焊盘通过第一触点而被耦接到每个漏极指状物，并且该源极焊盘通过第二触点而被耦接到每个源极指状物，其中该第一触点的宽度宽于该第二触点的宽度。半导体器件的具体实施可包括以下各项中的一者、全部或任一者：多个单元可为氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。半导体器件的具体实施可包括：具有第一多个指状物的第一单元和具有第二多个指状物的第二单元；耦接到第一多个指状物的第一漏极焊盘；耦接到第二多个指状物的第二漏极焊盘；耦接到第一多个指状物和第二多个指状物的源极焊盘；位于第一多个指状物和第二多个指状物之间的栅极总线；以及耦接到栅极总线的至少一个栅极焊盘。半导体器件的具体实施可包括以下各项中的一者、全部或任一者：半导体器件还可包括耦接到栅极总线的端部上的栅极焊盘的第二栅极焊盘，该端部与至少一个栅极焊盘所耦接到的端部相对。源极焊盘可耦接到第二晶体管的衬底，从而形成共源共栅器件。该第二晶体管可为具有Si衬底的硅金属氧化物场效应晶体管(Si-MOSFET)。Si-MOSFET的Si衬底可耦接到导电膜，并且该导电膜可耦接到Si-MOSFET的漏极。栅极通孔可用于将源极焊盘耦接到第二晶体管。该栅极总线和栅极焊盘可被涵盖在钝化工艺/层中，并且源极焊盘和漏极焊盘可以是开放的。半导体器件的具体实施可包括：多个单元，每个单元具有至少一个漏极指状物、至少一个源极指状物、和至少一个栅极；至少一个漏极焊盘；多个源极焊盘；以及与多个单元耦接的栅极总线；以及耦接到栅极总线的至少一个栅极焊盘；其中漏极焊盘耦接到多个单元中的每个单元的至少一个漏极指状物；并且其中多个源极焊盘中的每个源极焊盘耦接到多个单元中的每个单元的至少一个源极指状物。半导体器件的具体实施可包括以下各项中的一者、全部或任一者：多个单元可为氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。多个单元可包括具有第一长度的第一组和具有第二长度的第二组，该第二长度长于第一组的第一长度。至少一个漏极焊盘可被定位在具有第二长度的第二组单元上方。第二漏极焊盘可被定位成与在其间具有多个源极焊盘的至少一个漏极焊盘相对，第二漏极焊盘通过至少一个漏极总线而被耦接到至少一个漏极焊盘。栅极总线可位于多个源极焊盘下方。多个源极焊盘可在封装期间电耦接在一起。多个源极焊盘可通过引线接合而彼此耦接。半导体器件的具体实施可包括：具有有源区域和非有源区域的第一金属层；以及具有至少一个漏极焊盘、至少一个源极焊盘、和至少一个栅极焊盘的第二金属层；其中有源区域包括彼此交叉的多个源极指状物和多个漏极指状物；以及至少一个栅极指状物；其中漏极焊盘在多个漏极指状物的一个端部处耦接到多个漏极指状物；其中漏极焊盘仅位于第一金属层的非有源区域中；并且其中第一金属层电耦接到第二金属层。半导体器件的具体实施可包括以下各项中的一者、全部或任一者：多个漏极指状物可在一个端部处耦接在一起。半导体器件还可包括漏极焊盘和多个漏极指状物之间的单个触点。源极焊盘可仅位于第一金属层的有源区域中。半导体器件还可包括第二源极焊盘，并且其中漏极焊盘可位于源极焊盘和第二源极焊盘之间。半导体器件还可包括第二漏极焊盘，并且其中源极焊盘可位于漏极焊盘和第二漏极焊盘之间。本技术实现的一个技术效果是提供改进的半导体器件。对于本领域的普通技术人员而言，通过具体实施方式以及附图并通过权利要求书，上述内容以及其他方面、特征和优点将显而易见。附图说明将在下文中结合附图来描述具体实施，其中类似的标号表示类似的元件，并且：图1A–图1C示出上方接合有源(BOA)器件具体实施中的指状物长度和电压之间的关系；图2是常规BOA器件的顶视图；图3A是具有漏极-源极-漏极(DSD)焊盘的半导体器件的具体实施的示意图；图3B和图3C是具有DSD焊盘的半导体器件的具体实施的顶视图；图4A是具有BOA结构的半导体器件的另一个具体实施的顶视图；图4B是来自图4A中的半导体器件的焊盘层的顶视图；图4C是来自图4A中的半导体器件的高电子迁移率晶体管(HEMT)单元的顶视图；图5A是常规晶体管的剖视图；图5B是具有放大漏极触点的晶体管的具体实施的剖视图；图6A是具有DSDBOA结构的半导体器件的具体实施的顶视图，该DSDBOA结构具有到硅衬底的栅极通孔；图6B是使用图6A所示的器件的具体实施的共源共栅结构的具体实施的透视图；图7A是具有多源极BOA焊盘的半导体的具体实施的顶视图；图7B是来自图7A的焊盘的顶视图；图8A–图8C是具有多源极BOA焊盘的半导体器件的不同具体实施的示例；图9A–图9C是具有多源极BOA焊盘的半导体器件的放大视图；图10A是具有BOA结构的常规半导体器件的具体实施；图10B–图10C是示出具有常规BOA结构的半导体器件的具体实施中的电场的集中的示意图；图11A是具有半BOA结构的半导体器件的具体实施的顶视图；图11B是来自图11A的器件的顶视图的示意图；图11C是具有半BOA结构的半导体器件的具体实施的顶部透视图；图12A是具有半BOA结构的半导体器件的具体实施的顶视图；图12B是具有半BOA结构的半导体器件的另一个具体实施的顶视图；图13A是具有半BOA结构的半导体器件的具体实施；图13B是来自图13A的器件的被标记为13B的部分的放大视图；图13C是来自图13B的器件的被标记为13C的部分的放大视图；图13D是来自图13B的器件的被标记为13D的部分的放大视图；并且图13E是来自图13A中的器件的焊盘金属的顶视图。具体实施方式本公开、其各个方面以及具体实施并不限于本文所公开的特定部件、组装过程或方法元素。本领域已知的符合预期半导体器件的许多附件部件、组装过程和/或方法元素将变得显而易见地与来自本公开的特定具体实施一起使用。因此，例如尽管本技术公开了特定具体实施，但是此类具体实施和实施部件可包括符合预期操作和方法的本领域已知用于此类半导体器件并且实施部件和方法的任何形状、尺寸、样式、类型、模型、版本、测量、浓度、材料、数量、方法元素、步骤等。参见图1A，其示出了上方接合有源(BOA)氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件2的常规器件的具体实施。典型BOA器件具有：第一层，该第一层具有交替的漏极指状物4和源极指状物6；以及第二层，该第二层具有耦接到漏极指状物4的漏极焊盘8和耦接到源极指状物6的源极焊盘10。从一个焊盘的顶部到下一个焊盘的顶部测量指状物(Lf)12的长度。例如，从源极焊盘10的顶部到漏极焊盘10的顶部测量指状物12的长度。漏极和源极的指状物长度是影响器件特别是BOA器件的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：具有多个单元的第一层，每个单元包括漏极指状物、源极指状物、和栅极环；和包括漏极焊盘和源极焊盘的第二层，所述漏极焊盘具有宽度并且源极焊盘具有与所述漏极焊盘基本上相同的宽度；其中所述第一层的每个漏极指状物的宽度宽于所述第一层的每个源极指状物的宽度；并且其中每个漏极焊盘通过第一触点而被耦接到每个漏极指状物，并且所述源极焊盘通过第二触点而被耦接到每个源极指状物，其中所述第一触点的宽度宽于所述第二触点的宽度。

【技术特征摘要】
2016.07.20 US 15/214,5791.一种半导体器件，包括：具有多个单元的第一层，每个单元包括漏极指状物、源极指状物、和栅极环；和包括漏极焊盘和源极焊盘的第二层，所述漏极焊盘具有宽度并且源极焊盘具有与所述漏极焊盘基本上相同的宽度；其中所述第一层的每个漏极指状物的宽度宽于所述第一层的每个源极指状物的宽度；并且其中每个漏极焊盘通过第一触点而被耦接到每个漏极指状物，并且所述源极焊盘通过第二触点而被耦接到每个源极指状物，其中所述第一触点的宽度宽于所述第二触点的宽度。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个单元是氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。3.一种半导体器件，包括：包括第一多个指状物的第一单元和包括第二多个指状物的第二单元；耦接到所述第一多个指状物的第一漏极焊盘；耦接到所述第二多个指状物的第二漏极焊盘；耦接到所述第一多个指状物和所述第二多个指状物的源极焊盘；位于所述第一多个指状物和所述第二多个指状物之间的栅极总线；和耦接到所述栅极总线的至少一个栅极焊盘。4.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括耦接到所述栅极总线的端部上的所述栅极焊盘的第二栅极焊盘，所述端部与所述至少一个栅极焊盘所耦接到的端部相对。5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述源极...

【专利技术属性】
技术研发人员：全祐哲，刘春利，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：新型
国别省市：美国,US