半导体发光结构及半导体封装结构制造技术

技术编号:17881792 阅读:22 留言:0更新日期:2018-05-06 02:51
本发明专利技术公开了一种半导体发光结构,包括一磊晶结构、一N型电极垫、一P型电极垫以及一绝缘层。N型电极垫与P型电极垫相间隔地设置于磊晶结构上,其中P型电极垫具有一第一上表面。绝缘层设置于磊晶结构上且位于N型电极垫与P型电极垫之间,其中绝缘层具有一第二上表面。P型电极垫的第一上表面与绝缘层的第二上表面共平面。

Semiconductor luminescent structure and semiconductor packaging structure

The invention discloses a semiconductor luminous structure, which comprises an epitaxial structure, a N type electrode pad, a P type electrode pad and an insulating layer. The N type electrode pad is separated from the P type electrode pad on the epitaxial structure, wherein the P type electrode pad has a first upper surface. The insulating layer is arranged on the epitaxial structure and is positioned between the N type electrode pad and the P type electrode pad, wherein the insulating layer has a second upper surface. The first upper surface of the P electrode pad is coplanar with the second upper surface of the insulating layer.

【技术实现步骤摘要】
半导体发光结构及半导体封装结构本专利技术专利申请是申请日为2014年10月9日,申请号为201410527562.1的名为“半导体发光结构及半导体封装结构”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种半导体发光结构及半导体封装结构,特别是涉及一种可有效强化磊晶结构的半导体发光结构及半导体封装结构。
技术介绍
目前,薄膜覆晶式发光二极管的制造方法是先在基板上形成磊晶结构,然后在磊晶结构上分别形成N型电极以及P型电极,而形成一半导体发光结构。进一步,将此半导体发光结构接合于承载座上,使得半导体发光结构的N型电极与P型电极分别电性连接于承载座的N型接合垫与P型接合垫。最后,再以雷射剥离技术移除基板,而形成薄膜覆晶式发光二极管。然而,由于磊晶结构为一薄层结构,在以雷射剥离技术移除基板时,磊晶结构经常会因受应力而破裂,使得薄膜覆晶式发光二极管的制造良率降低,进而增加制造成本。
技术实现思路
本专利技术提供一种可有效强化磊晶结构的半导体发光结构及半导体封装结构,以解决上述的问题。为解决上述技术问题,本专利技术提供的一种技术方案是:提供一种半导体发光结构包括一磊晶结构、一N型电极垫、一P型电极垫以及一绝缘层。N型电极垫与P型电极垫相间隔地设置于磊晶结构上,其中P型电极垫具有一第一上表面。绝缘层设置于磊晶结构上且位于N型电极垫与P型电极垫之间,其中绝缘层具有一第二上表面。P型电极垫的第一上表面与绝缘层的第二上表面共平面。其中,N型电极垫具有一第三上表面,其中P型电极垫的第一上表面、绝缘层的第二上表面与N型电极垫的部分第三上表面共平面。其中,N型电极垫具有一第三上表面,其中P型电极垫的第一上表面、绝缘层的第二上表面与N型电极垫的第三上表面共平面。其中,半导体发光结构进一步包括一增高垫,设置于磊晶结构上且位于N型电极垫与P型电极垫之间,其中绝缘层包覆增高垫。其中,半导体发光结构进一步包括一基板,其中磊晶结构形成于基板上。为解决上述技术问题,本专利技术提供的另一种技术方案是:提供一种半导体封装结构包括一承载座、一N型接合垫、一P型接合垫以及一如上所述的半导体发光结构。N型接合垫与P型接合垫设置于承载座上,且N型接合垫与该P型接合垫之间存在一凹槽。半导体发光结构的N型电极垫电性连接于N型接合垫,且半导体发光结构的P型电极垫电性连接于P型接合垫。综上所述,本专利技术是通过使P型电极垫的上表面与绝缘层的上表面共平面,来强化磊晶结构。通过这种方式,在以雷射剥离技术移除基板时,即可有效避免磊晶结构因受应力而破裂。此外,本专利技术可使P型电极垫的上表面、绝缘层的上表面与N型电极垫的部分或全部上表面共平面,以进一步强化磊晶结构。再者,本专利技术可在磊晶结构上设置增高垫且使绝缘层包覆增高垫,以在半导体发光结构成型后,确保P型电极垫的上表面与绝缘层的上表面共平面。关于本专利技术的优点与精神可以通过以下的专利技术详述及所附图式得到进一步的了解。附图说明图1为根据本专利技术第一实施例的半导体发光结构的示意图;图2为根据本专利技术第二实施例的半导体发光结构的示意图;图3为根据本专利技术第三实施例的半导体发光结构的示意图;图4为根据本专利技术第四实施例的半导体发光结构的示意图;图5与图6为根据本专利技术第五实施例的半导体封装结构的制造过程示意图;图7为根据本专利技术第六实施例的半导体封装结构的示意图;图8为根据本专利技术第七实施例的半导体封装结构的示意图;图9为根据本专利技术第八实施例的半导体封装结构的示意图。具体实施方式请参阅图1,图1为根据本专利技术第一实施例的半导体发光结构1的示意图。本专利技术的半导体发光结构1包括一形成于基板10上的一磊晶结构12,其中磊晶结构12包括一N型半导体层120、一发光层122以及一P型半导体层124,且发光层122位于N型半导体层120与P型半导体层124之间。在此实施例中,基板10可为玻璃基板、塑胶基板、蓝宝石基板、陶瓷基板或其它承载基板,N型半导体层120可为N型氮化镓层,且P型半导体层124可为P型氮化镓层。需说明的是,磊晶结构12的发光原理是为本领域技术人员所熟知,在此不再赘述。进一步,在磊晶结构12上设置相间隔的一N型电极垫22及一P型电极垫24,并且还有一绝缘层16设置于N型电极垫22及P型电极垫24之间,其中,N型电极垫22及P型电极垫24分别电性连接N型半导体层120及P型半导体层124,其制作方法为在绝缘层16上对应N型半导体层120与P型半导体层124的适当位置处开设孔洞160、162,将适当的导电材料分别填入孔洞160、162中,以在孔洞160、162中分别形成一N型导电结构18以及一P型导电结构20,N型电极垫22透过N型导电结构18与N型半导体层120电性连接,且P型电极垫24透过P型导电结构20与P型半导体层124电性连接。如图1所示,N型电极垫22与P型电极垫24是相间隔地设置于磊晶结构12上,其中P型电极垫24具有一第一上表面240,位于N型电极垫22与P型电极垫24之间的绝缘层16具有一第二上表面164,且N型电极垫22具有一第三上表面220。在此实施例中,绝缘层16的第二上表面164连接P型电极垫24的第一上表面240与N型电极垫22的第三上表面220。在此实施例中,本专利技术是通过使绝缘层16设置于P型电极垫24与N型电极垫22之间,且令P型电极垫24的第一上表面240与绝缘层16的第二上表面164共平面,来强化磊晶结构12。通过这种方式,在以雷射剥离技术移除基板10时,即可有效避免磊晶结构12因受应力而破裂。较佳地,P型电极垫24的第一上表面240、绝缘层16的第二上表面164与N型电极垫22的第三上表面220共平面,最佳地,绝缘层16的第二上表面164连接P型电极垫24的第一上表面240与N型电极垫22的第三上表面220,如此一来,P型电极垫24与N型电极垫22之间不具有空隙,半导体发光结构1可更为牢固。配合图1,请参阅图2,图2为根据本专利技术第二实施例的半导体发光结构1'的示意图。半导体发光结构1'与上述的半导体发光结构1的主要不同之处在于,由于P型半导体层124与N型半导体层120具有高度落差,因此制作N型电极垫22与P型电极垫24时,有可能会在N型电极垫22成型后存在一凹陷26,使得P型电极垫24的第一上表面240、绝缘层16的第二上表面164与N型电极垫22的部分第三上表面220共平面。需说明的是,只要P型电极垫24的第一上表面240与绝缘层16的第二上表面164共平面,即可达到强化磊晶结构12的目的。在此实施例中由于同时制作导电结构及电极垫,比起图1所示的半导体发光结构1,可节省制程时间。配合图1,请参阅图3,图3为根据本专利技术第三实施例的半导体发光结构3的示意图,半导体发光结构3与上述的半导体发光结构1的主要不同之处在于,半导体发光结构3中设置一增高垫14于磊晶结构12上,且绝缘层16包覆增高垫14,其中增高垫14的材料可为二氧化硅或金属,在此不以为限,值得一提的是,若增高垫14的材料为金属,由于金属的延展性较佳,可具有较佳的应力缓冲能力;若增高垫14的材料为二氧化硅,则绝缘效果佳。此外,增高垫14是位于N型电极垫22与P型电极垫24之间,由于绝缘层16包覆增高垫14,因此增高垫14的宽度W小于N型电极垫22与P型电极垫24之间的最本文档来自技高网...
半导体发光结构及半导体封装结构

【技术保护点】
一种半导体发光结构,其特征在于,包括:一磊晶结构;一N型电极垫与一P型电极垫,相间隔地设置于所述磊晶结构上并分别与所述磊晶结构电性连接;一金属增高垫,设置于所述磊晶结构上并位于所述N型电极垫与所述P型电极垫之间;以及一绝缘层,设置于所述磊晶结构上且覆盖所述金属增高垫,所述绝缘层位于所述N型电极垫与所述磊晶结构之间及所述P型电极垫与所述磊晶结构之间之间;其中,所述金属增高垫的一上表面低于所述P型电极垫的一上表面。

【技术特征摘要】
2013.12.20 TW 1021475641.一种半导体发光结构,其特征在于,包括:一磊晶结构;一N型电极垫与一P型电极垫,相间隔地设置于所述磊晶结构上并分别与所述磊晶结构电性连接;一金属增高垫,设置于所述磊晶结构上并位于所述N型电极垫与所述P型电极垫之间;以及一绝缘层,设置于所述磊晶结构上且覆盖所述金属增高垫,所述绝缘层位于所述N型电极垫与所述磊晶结构之间及所述P型电极垫与所述磊晶结构之间之间;其中,所述金属增高垫的一上表面低于所述P型电极垫的一上表面。2.根据权利要求1所述的半导体发光结构,其特征在于,所述绝缘层的一上表面与所述P型电极垫的所述上表面及所述N型电极垫的一上表面实质上共平面。3.根据权利要求1所述的半导体发光结构,其特征在于,所述金属增高垫与所述N型电极垫和所述P型电极垫相间隔设置。4.根据权利要求1所述的半导体发光结构,其特征在于,所述金属增高垫与所述磊晶结构电性连接。5...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴志凌黄逸儒罗玉云黄靖恩丁绍滢
申请(专利权)人:新世纪光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾,71

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