封装半导体装置制造方法及图纸

本公开涉及封装半导体装置。要解决的一个技术问题是提供改进的封装半导体装置。封装半导体装置包括接收第一电压的第一触件，接收第二电压的第二触件，比较第一和第二电压的比较元件以及响应于第一电压和第二电压的比较设置装置的参数的设置元件。当第一电压大于第二电压时，设置元件选择第一电压为高电压，第二电压为低电压，并将模式信号设置为第一值。当第二电压大于第一电压时，设置元件选择第一电压为低电压，第二电压为高电压，并将模式信号设置为第二值。第一和第二值在第一状态和第二状态之间改变与装置耦接的电子组件的条件。通过本实用新型专利技术，可以获得改进的封装半导体装置。

Encapsulated semiconductor device

The present disclosure relates to a package semiconductor device. A technical problem to be solved is to provide improved packaged semiconductor devices. The package semiconductor device includes the first touch receiving the first voltage, receiving the second contact of the second voltage, comparing the comparison elements of the first and second voltages, and the setting elements of the parameters of the device in response to the comparison of the first voltage and the second voltage. When the first voltage is greater than second voltage, the setting element selects the first voltage to be high voltage, the second voltage is low voltage, and the mode signal is set to the first value. When the second voltage is greater than the first voltage, the setting element selects the first voltage to be low voltage, the second voltage is high voltage, and the mode signal is set to second value. The first and second values change the condition of the electronic components coupled with the device between the first state and the second state. Through the utility model, an improved package semiconductor device can be obtained.

【技术实现步骤摘要】
封装半导体装置
本文档的各方面总体涉及封装半导体装置。
技术介绍
封装半导体装置(封装体)存在许多种类，并且通常包括一些类型的模塑件或包装件(例如由聚合物或陶瓷形成)，其中一个或多个电触件暴露在模塑件或包装件外表面(或延伸穿过模塑件或包装件)。电触件可以用于各种目的，例如用于将电源与封装体内部或外部的一个或多个元件耦接，向封装体内部或外部的一个或多个元件提供信号，和/或将封装体内部和/或外部的一个或多个其它元件耦接在一起。
技术实现思路
本技术要解决的一个技术问题是提供改进的封装半导体装置。根据本技术的一个方面，提供了一种封装半导体装置，所述封装半导体装置包括：第一输入触件，构造来接收第一输入电压；第二输入触件，构造来接收第二输入电压；一个或多个比较元件，构造来将所述第一输入电压与所述第二输入电压进行比较，以及；一个或多个设置元件，构造来响应于所述一个或多个比较元件对所述第一输入电压和所述第二输入电压的比较来设置所述封装半导体装置的一个或多个操作参数；其中，响应于所述第一输入电压大于所述第二输入电压，所述一个或多个设置元件被构造来选择所述第一输入电压作为高输入电压，选择所述第二输入电压作为低输入电压，并且将所述封装半导体装置的模式信号设置为第一值，以及；其中，响应于所述第二输入电压大于所述第一输入电压，所述一个或多个设置元件被构造来选择所述第一输入电压作为所述低输入电压，选择所述第二输入电压作为所述高输入电压，并且将所述模式信号设置为第二值；其中所述模式信号的所述第一值和所述第二值被构造来分别在第一状态和第二状态之间改变与所述封装半导体装置耦接的电子组件的操作条件。在一个实施例中，所述封装半导体装置还包括一个或多个模数转换器ADC，以将所述高输入电压转换为高输入数字信号，并将所述低输入电压转换为低输入数字信号。在一个实施例中，所述第一输入触件和所述第二输入触件各自与第一多路复用器耦接，所述第一多路复用器与模数转换器ADC耦接，所述模数转换器ADC与寄存器耦接，并且所述寄存器与比较器耦接并与第二多路复用器和第三多路复用器耦接，所述第二多路复用器和所述第三多路复用器由所述比较器的输出控制。在一个实施例中，所述封装半导体装置包括风扇控制器，所述风扇控制器包括被构造来与电源耦接的第三输入触件以及被构造来输出输出电压以向风扇供电的输出触件，其中所述高输入电压被构造来为与高风扇速度对应的所述输出电压设置高值，其中所述低输入电压被构造来为与低风扇速度对应的所述输出电压设置低值，并且其中所述模式信号被构造来确定所述风扇是否响应于所述输出电压降至低于所述低值而停止。根据本技术的另一方面，提供了一种封装半导体装置，所述封装半导体装置包括：第一输入触件，被构造来接收第一输入电压；第二输入触件，被构造来接收第二输入电压；第三输入触件，被构造来接收第三输入电压；一个或多个比较元件，被构造来比较所述第一输入电压、所述第二输入电压和所述第三输入电压，所述第一输入电压、所述第二输入电压和所述第三输入电压统称为输入电压，以及；一个或多个设置元件，被构造来响应于所述一个或多个比较元件对所述输入电压的比较，选择所述输入电压中的一个作为高输入电压，选择所述输入电压中的另一个作为中输入电压，并选择所述输入电压中的又另一个作为低输入电压；其中所述一个或多个设置元件还被构造来响应于哪个输入电压被选择作为所述高输入电压、哪个输入电压被选择作为所述中输入电压以及哪个输入电压被选择作为所述低输入电压而改变所述封装半导体装置的一个或多个模式信号的值；其中所述一个或多个模式信号的值被构造来在一个或多个状态之间改变与所述封装半导体装置耦接的电子组件的操作条件。在一个实施例中，所述一个或多个模式信号包括三个模式信号，并且其中所述一个或多个设置元件被构造来各自响应于哪个输入电压被选择作为所述高输入电压、哪个输入电压被选择作为所述中输入电压以及哪个输入电压被选择作为所述低输入电压而在两个值之间改变所述三个模式信号。在一个实施例中，所述一个或多个设置元件被构造来响应于哪个输入电压被选择作为所述高输入电压、哪个输入电压被选择作为所述中输入电压以及哪个输入电压被选择作为所述低输入电压而在六个值之间改变所述一个或多个模式信号中的一个。在一个实施例中，一个或多个模数转换器ADC耦接在所述一个或多个比较元件和所述输入电压之间，并且其中所述一个或多个比较元件比较所述输入电压的数字值。在一个实施例中，所述一个或多个比较元件包括三个比较器，其中所述第一输入触件、所述第二输入触件和所述第三输入触件中的每一个与所述三个比较器中的两个比较器的输入耦接，所述第一输入触件、所述第二输入触件和所述第三输入触件统称为输入触件，其中每个输入触件进一步与三个多路复用器的输入耦接，其中解码器被构造来响应于接收到所述三个比较器的输出来控制所述三个多路复用器，并且其中所述输入电压与一个或多个模数转换器耦接。在一个实施例中，所述输入电压中的每一个与多路复用器的输入耦接，所述多路复用器的输出与模数转换器ADC耦接，所述模数转换器ADC的输出与第一寄存器耦接以在所述第一寄存器中存储ADC输出值，控制器与所述多路复用器耦接并被构造来控制所述多路复用器，所述控制器被构造来比较来自所述第一寄存器的所存储的所述ADC输出值以选择所述高输入电压、所述中输入电压、所述低输入电压和所述一个或多个模式信号的所述值中的一个或多个，并且其中所述控制器被构造来在第二寄存器中存储与所述高输入电压、所述中输入电压、所述低输入电压和所述一个或多个模式信号相关联的值。本技术的一个有益技术效果是提供改进的封装半导体装置。根据具体实施方式和附图以及权利要求，本领域普通技术人员将明了前述和其它方面、特征和优点。附图说明以下将结合附图描述各种实现，在附图中类似的标号表示相同的元件，并且：图1是例示常规封装半导体装置的行为的图示；图2是例示另一常规封装半导体装置的行为的图示；图3是例示常规封装半导体装置的部分的电路图；图4是例示具有多用途输入触件的封装半导体装置的实现的部分的电路图；图5是例示图4的装置的行为的图示；图6是例示具有多用途输入触件的封装半导体装置的另一实现的部分的电路图；图7是例示具有多用途输入触件的封装半导体装置的另一实现的部分的电路图；图8是例示具有多用途输入触件的封装半导体装置的另一实现的部分的电路图；图9是代表性地例示图3的常规封装半导体装置的使用方法的流程图；图10是代表性地例示图4的装置的使用方法的流程图；图11是代表性地例示图6的装置的使用方法的流程图；图12是代表性地例示图8的装置的使用方法的流程图，以及图13是例示具有多用途输入触件的封装半导体装置的另一实现的部分的电路图。具体实施方式本公开的各方面和实现不限于本文公开的具体组件、组装过程或方法元素。在与具有多用途输入触件的预期封装半导体装置和相关方法一致的领域中已知的许多附加的组件、组装过程和/或方法元素将在与本公开的特定实现一起使用时变得明显。因此，例如，尽管公开了特定的实现，但是这样的实现和实现组件可以包括在具有多用途输入触件的这种封装半导体装置和相关方法的领域中已知的任何形状、尺寸、样式、类型、模型、版本、测量、浓度、材料、数量、方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装半导体装置，其特征在于所述封装半导体装置包括：第一输入触件，构造来接收第一输入电压；第二输入触件，构造来接收第二输入电压；一个或多个比较元件，构造来将所述第一输入电压与所述第二输入电压进行比较，以及；一个或多个设置元件，构造来响应于所述一个或多个比较元件对所述第一输入电压和所述第二输入电压的比较来设置所述封装半导体装置的一个或多个操作参数；其中，响应于所述第一输入电压大于所述第二输入电压，所述一个或多个设置元件被构造来选择所述第一输入电压作为高输入电压，选择所述第二输入电压作为低输入电压，并且将所述封装半导体装置的模式信号设置为第一值，以及；其中，响应于所述第二输入电压大于所述第一输入电压，所述一个或多个设置元件被构造来选择所述第一输入电压作为所述低输入电压，选择所述第二输入电压作为所述高输入电压，并且将所述模式信号设置为第二值；其中所述模式信号的所述第一值和所述第二值被构造来分别在第一状态和第二状态之间改变与所述封装半导体装置耦接的电子组件的操作条件。

【技术特征摘要】
2016.04.27 US 15/139,6491.一种封装半导体装置，其特征在于所述封装半导体装置包括：第一输入触件，构造来接收第一输入电压；第二输入触件，构造来接收第二输入电压；一个或多个比较元件，构造来将所述第一输入电压与所述第二输入电压进行比较，以及；一个或多个设置元件，构造来响应于所述一个或多个比较元件对所述第一输入电压和所述第二输入电压的比较来设置所述封装半导体装置的一个或多个操作参数；其中，响应于所述第一输入电压大于所述第二输入电压，所述一个或多个设置元件被构造来选择所述第一输入电压作为高输入电压，选择所述第二输入电压作为低输入电压，并且将所述封装半导体装置的模式信号设置为第一值，以及；其中，响应于所述第二输入电压大于所述第一输入电压，所述一个或多个设置元件被构造来选择所述第一输入电压作为所述低输入电压，选择所述第二输入电压作为所述高输入电压，并且将所述模式信号设置为第二值；其中所述模式信号的所述第一值和所述第二值被构造来分别在第一状态和第二状态之间改变与所述封装半导体装置耦接的电子组件的操作条件。2.根据权利要求1所述的封装半导体装置，其中所述封装半导体装置还包括一个或多个模数转换器ADC，以将所述高输入电压转换为高输入数字信号，并将所述低输入电压转换为低输入数字信号。3.根据权利要求1所述的封装半导体装置，其中所述第一输入触件和所述第二输入触件各自与第一多路复用器耦接，所述第一多路复用器与模数转换器ADC耦接，所述模数转换器ADC与寄存器耦接，并且所述寄存器与比较器耦接并与第二多路复用器和第三多路复用器耦接，所述第二多路复用器和所述第三多路复用器由所述比较器的输出控制。4.根据权利要求1所述的封装半导体装置，其中所述封装半导体装置包括风扇控制器，所述风扇控制器包括被构造来与电源耦接的第三输入触件以及被构造来输出输出电压以向风扇供电的输出触件，其中所述高输入电压被构造来为与高风扇速度对应的所述输出电压设置高值，其中所述低输入电压被构造来为与低风扇速度对应的所述输出电压设置低值，并且其中所述模式信号被构造来确定所述风扇是否响应于所述输出电压降至低于所述低值而停止。5.一种封装半导体装置，其特征在于所述封装半导体装置包括：第一输入触件，被构造来接收第一输入电压；第二输入触件，被构造来接收第二输入电压；第三输入触件，被构造来接收第三输入电压；一个或多个比较元件，被构造来比较所述第一输入电压、所述第二输入电压和所述第三输入电压，所述第一输入电压、所述第二输入电压和所述第三输入电压统称为输入电压，以及；一个或多个设...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊吉健太郎，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：新型
国别省市：美国,US