The utility model discloses a super low power up conversion mixer, which includes a load level unit, a switch stage unit and a transconductance stage unit. The load level unit, the switch stage unit and the transconductance stage unit are connected in turn. The load stage unit includes a first inductor L1, a seventh capacitor C7, a second inductor L2, a eighth capacitor C8, and a fifth electricity. C5 and sixth capacitance C6; one end of the L1, one end of the C7 and one end of the C5, and the other end of the L1 connecting the power VDD to the other end of the C7; the other end of the C5 connects the output positive pole RF+; the L2 end, one end of the C8 and the other end of the C8 are joint, and the other end of the gland is connected to the other end. Connect the output terminal negative RF. The ultra low power upconversion mixer is a utility model, which reduces the power supply voltage by arranging the components of the circuit, and reduces the power consumption, thus reducing the noise of the resistance.
【技术实现步骤摘要】
一种超低功耗上变频混频器
本技术涉及CMOS集成电路领域,具体涉及一种超低功耗上变频混频器。
技术介绍
混频器主要功能是完成系统的频率转换功能,上变频器一般应用在无线发射机系统,其功能是将低频信号转换为高频信号,是发射机中重要的组成部分,线性度、变频增益、噪声和功耗等是混频器的关键性能参数,直接影响着整个发射机的性能。这些性能参数之间互相影响互相制约,如何寻求一个对所在系统最优的,最满足系统性能要求的方案,成为了人们关心的问题。目前,无线通信设备正朝着重量轻,体积小,功耗低,成本低的方向迅速发展,对于导航接收机等便携式电子设备,也需要低电压低功耗电路来延长电池的使用寿命,并减小系统散热带来的压力,以保证系统长时间的稳定工作。目前使用最为广泛的是双平衡Gilbert混频器,传统的吉尔伯特混频器广泛应用于上混频器的设计中,但传统的混频器具有以下缺点:1.直流电流流过跨导级、开关级、负载级和尾电流部分。除开跨导级、开关级之外,负载级和尾电流也需要消耗一定的直流压降,因而需要较高的电源电压。2.功耗大,为了使混频器达到一定的增益和改善线性度,需要增大电流,这样功耗也随之增大。此外,开关级电流增大,会增大开关级的噪声贡献;负载级的电流增大,会消耗电压裕度,也会增加电阻的噪声贡献。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是现有的混频器需要较高的电源电压,并且功耗和噪声较大,目的在于提供一种超低功耗上变频混频器,解决上述问题。本技术通过下述技术方案实现:一种超低功耗上变频混频器,包括负载级单元、开关级单元和跨导级单元;所述负载级单元、开关级单元和跨导级单元依次连接;所述负载级单 ...
【技术保护点】
一种超低功耗上变频混频器,其特征在于,包括负载级单元(1)、开关级单元(2)和跨导级单元(3);所述负载级单元(1)、开关级单元(2)和跨导级单元(3)依次连接;所述负载级单元(1)包括第一电感L1、第七电容C7、第二电感L2、第八电容C8、第五电容C5和第六电容C6;所述L1的一端、C7的一端和C5的一端共节点,且L1的另一端和C7的另一端连接电源VDD,C5的另一端连接输出端正极RF+;所述L2的一端、C8的一端和C6的一端共节点,且L2的另一端和C8的另一端连接电源VDD,C6的另一端连接输出端负极RF‑。
【技术特征摘要】
1.一种超低功耗上变频混频器,其特征在于,包括负载级单元(1)、开关级单元(2)和跨导级单元(3);所述负载级单元(1)、开关级单元(2)和跨导级单元(3)依次连接;所述负载级单元(1)包括第一电感L1、第七电容C7、第二电感L2、第八电容C8、第五电容C5和第六电容C6;所述L1的一端、C7的一端和C5的一端共节点,且L1的另一端和C7的另一端连接电源VDD,C5的另一端连接输出端正极RF+;所述L2的一端、C8的一端和C6的一端共节点,且L2的另一端和C8的另一端连接电源VDD,C6的另一端连接输出端负极RF-。2.根据权利要求1所述的一种超低功耗上变频混频器,其特征在于,所述开关级单元(2)包括第三电阻R3、第四电阻R4、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第三电容C3和第四电容C4;所述M4的栅极、M5的栅极、R3的一端和C4的一端共节点,且R3的另一端连接第二偏置电压Vb2,C4的另一端连接本振输入负极L0-;所述M6的栅极、M3的栅极、R4的一端和C3的一端共节点,且R4的另一端连接Vb2,...
【专利技术属性】
技术研发人员:李正军,
申请(专利权)人:成都西井科技有限公司,
类型:新型
国别省市:四川,51
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