发光装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种发光装置及其制造方法。发光装置包括基板、发光元件、波长转换层、粘着层、反射层及透光封胶。发光元件设于基板上。波长转换层包括高密度转换层及低密度转换层。粘着层形成于发光元件与高密度转换层之间。反射层形成于基板上方且覆盖发光元件的侧面、粘着层的侧面及波长转换层的侧面。透光封胶形成在基板上且包覆发光元件、波长转换层、粘着层及反射层。

【技术实现步骤摘要】
发光装置及其制造方法
本专利技术是有关于一种发光装置及其制造方法，且特别是有关于一种具有透光封胶的发光装置及其制造方法。
技术介绍
传统的发光装置包含萤光胶及发光元件，其中萤光胶包覆发光元件的上表面及侧面。发光元件在发光时会产生高温，此高温会影响萤光胶，加速萤光胶老化，而改变发光装置的出光光色。因此，亟需提出一种可减缓萤光胶老化的方案。
技术实现思路
因此，本专利技术提出一种发光装置及其制造方法，可改善前述已知问题。根据本专利技术的一实施例，提出一种发光装置。发光装置包括一基板、一发光元件、一透光层、一粘着层、一反射层及一透光封胶。发光元件设于基板上。粘着层形成于发光元件与高密度转换层之间。反射层形成于基板上方且覆盖发光元件的一侧面、粘着层的一侧面及透光层的一侧面。透光封胶形成在基板上且包覆发光元件、透光层、粘着层及反射层。根据本专利技术的一实施例，该透光封胶包覆该发光元件的电极的侧面。根据本专利技术的一实施例，该透光封胶具有一呈弧形的出光面，且该出光面延伸至该基板。根据本专利技术的一实施例，该透光封胶具有一呈弧形的出光面及一呈平面的侧面，该侧面连接该出光面与该基板的一侧面，且该透光封胶的该侧面与该基板的该侧面实质上切齐。根据本专利技术的一实施例，该反侧层具有一第一侧面及一第二侧面，该反侧层的该第二侧面相对该第一侧面内缩，且该透光封胶覆盖该第二侧面，而该透光封胶的一侧面、该反侧层的该第一侧面与该基板的一侧面实质上切齐。根据本专利技术的一实施例，该反侧层具有一第一侧面，该第一侧面延伸至该基板，该透光封胶覆盖该第一侧面，而该透光封胶的一侧面与该反侧层的该第一侧面实质上切齐。根据本专利技术的一实施例，该发光元件、该透光层、该粘着层与该反射层构成一发光晶粒，该发光装置包括多个该发光晶粒及多个该透光封胶，该些发光晶粒配置在该基板上且各该透光封胶包覆对应的该发光晶粒。根据本专利技术的一实施例，该透光层为一波长转换层，该波长转换层包括一高密度转换层及一低密度转换层。根据本专利技术的一实施例，该透光层为一玻璃层。根据本专利技术的一实施例，该反侧层及该发光元件各具有一下表面，该发光元件具有一配置在该发光元件的该下表面的电极，而该反侧层的该下表面与该发光元件的该下表面实质上切齐。根据本专利技术的另一实施例，提出一种发光装置的制造方法。制造方法包括以下步骤：提供一基板及一发光元件，发光元件设于基板上；提供一透光层；以一粘着层，粘合透光层与发光元件；形成一反射层于基板上方，其中反射层覆盖发光元件的一侧面、粘着层的一侧面及波长转换层的一侧面；以及，形成一透光封胶于基板上并包覆发光元件、透光层、粘着层及反射层。根据本专利技术的一实施例，在形成该反射层于该基板上方的步骤前，该制造方法还包括：形成一第一切割道经过该透光层，以形成该透光层的该侧面；其中，在形成该反射层于该基板上方的步骤后，该制造方法还包括：形成一第二切割道经过该反射层，以形成一发光晶粒；设置该发光晶粒在该基板上；其中，在形成该透光封胶于该基板上并包覆该发光元件、该透光层、该粘着层及该反射层的步骤中，该透光封胶包覆该发光晶粒。根据本专利技术的一实施例，在形成该透光封胶于该基板上并包覆该发光元件、该透光层、该粘着层及该反射层的步骤后，该制造方法还包括：形成一第三切割道经过该基板。根据本专利技术的一实施例，在形成该透光封胶于该基板上并包覆该发光元件、该透光层、该粘着层及该反射层的步骤后，该制造方法还包括：形成一第三切割道经过该透光封胶及该基板，其中该透光封胶及该基板各形成一侧面，该透光封胶的该侧面与该基板的该侧面实质上切齐。根据本专利技术的一实施例，在形成该反射层于该基板上方的步骤前，该制造方法还包括：形成一第一切割道经过该透光层，以形成该透光层的该侧面；其中，在形成该反射层于该基板上方的步骤后，该制造方法还包括：形成一第二切割道经过该反射层及该粘着层，以形成一发光晶粒；设置该发光晶粒在该基板上；其中，在形成该透光封胶于该基板上并包覆该发光元件、该透光层、该粘着层及该反射层的步骤中，该透光封胶包覆该发光晶粒。根据本专利技术的一实施例，在形成该第二切割道经过该反射层及该粘着层以形成该发光晶粒的步骤中，该第二切割道切除形成在该发光元件的该侧面的该粘着层。为了对本专利技术的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合附图详细说明如下：附图说明图1绘示依照本专利技术一实施例的发光装置的剖视图。图2绘示依照本专利技术另一实施例的发光装置的剖视图。图3绘示依照本专利技术另一实施例的发光装置的剖视图。图4绘示依照本专利技术另一实施例的发光装置的剖视图。图5A至5H绘示图1的发光装置的制造过程图。图6A至6C绘示图1的发光装置的另一种制造过程图。图7A至7C绘示图2的发光装置的制造过程图。图8A至8C绘示图3的发光装置的制造过程图。图9A至9F绘示图4的发光装置的制造过程图。图10绘示依照本专利技术另一实施例的发光装置的剖视图。图11绘示依照本专利技术另一实施例的发光装置的剖视图。图12绘示依照本专利技术另一实施例的发光装置的剖视图。图13绘示依照本专利技术另一实施例的发光装置的剖视图。图14绘示依照本专利技术另一实施例的发光装置的剖视图图15绘示依照本专利技术另一实施例的发光装置的剖视图。图16绘示依照本专利技术另一实施例的发光装置的剖视图。图17A至17G绘示图10的发光装置的制造过程图。图18绘示图11的发光装置的制造过程图。图19A至19F绘示图12的发光装置的制造过程图。图20A至20C绘示图13的发光装置的制造过程图。图21A至21C绘示图14的发光装置的制造过程图。图22绘示图15的发光装置的制造过程图。图23绘示图16的发光装置的制造过程图。符号说明10、10'：载体100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100：发光装置500'、600'：发光晶粒110：基板111：基材111u：第一表面111b：第二表面112：第三电极113：第四电极114：第一接垫115：第二接垫116：第一导电柱117：第二导电柱120：发光元件120b、150b、130b、143s：下表面120u、130u：上表面121：第一电极122：第二电极110s、120s、130s、141s、142s、150s、660s：侧面130：波长转换层130'：波长转换层材料131：高密度转换层132：低密度转换层133：萤光粒子140：粘着层141：第一侧部142：热阻层143：第二侧部150：反射层151：第一反射部151s：第一反射面152：填充部153：第二反射部153s：第二反射面560、660：透光封胶560s：出光面G1：第一间隔G2：第二间隔L1：光线P1：路径T1、T2：厚度W1、W2、W3：切割道具体实施方式图1绘示依照本专利技术一实施例的发光装置100的剖视图。发光装置100包括基板110、发光元件120、波长转换层130、粘着层140及反射层150。基板110例如是陶瓷基板。在本实施例中，基板110包括基材111、第三电极112、第四电极113、第一接垫114、第二接垫115、第一导电柱116及第二导电柱117。基材111例如是硅基材料所形成。基材111具有相对的第一表面111u与第二表面111b。第三电极112及第四电极113形成于基材111的第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，包括：一基板；一发光元件，设于该基板上；一透光层；一粘着层，形成于该发光元件与该高密度转换层之间；一反射层，形成于该基板上方且覆盖该发光元件的一侧面、该粘着层的一侧面及该透光层的一侧面；以及一透光封胶，形成在该基板上且包覆该发光元件、该透光层、该粘着层及该反射层。

【技术特征摘要】
2016.10.19 US 62/410,3761.一种发光装置，包括：一基板；一发光元件，设于该基板上；一透光层；一粘着层，形成于该发光元件与该高密度转换层之间；一反射层，形成于该基板上方且覆盖该发光元件的一侧面、该粘着层的一侧面及该透光层的一侧面；以及一透光封胶，形成在该基板上且包覆该发光元件、该透光层、该粘着层及该反射层。2.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该反侧层具有一第一侧面及一第二侧面，该反侧层的该第二侧面相对该第一侧面内缩，且该透光封胶覆盖该第二侧面，而该透光封胶的一侧面、该反侧层的该第一侧面与该基板的一侧面实质上切齐。3.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该反侧层具有一第一侧面，该第一侧面延伸至该基板，该透光封胶覆盖该第一侧面，而该透光封胶的一侧面与该反侧层的该第一侧面实质上切齐。4.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该透光层为一波长转换层，该波长转换层包括一高密度转换层及一低密度转换层。5.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该反侧层及该发光元件各具有一下表面，该发光元件具有一配置在该发光元件的该下表面的电极，而该反侧层的该下表面与该发光元件的该下表面实质上切齐。6.一种发光装置的制造方法，包括：提供一基板及一发光元件，该发光元件设于该基板上；提供一透光层；以一粘着层，粘合该透光层与该发光元件；形成一反射层于该基板上方，其中该反射层覆盖该发光元件的一侧面、该粘着层的一侧面及该透光层的一侧面；以及形成一透...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪钦华，洪政暐，林育锋，陈政权，
申请(专利权)人：新世纪光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71