低功耗电流饥饿型振荡器电路制造技术

本发明专利技术提供了一种低功耗电流饥饿型振荡器电路，包括：电源端和接地端；基准产生电路，与所述基准产生电路电连接的低压环形振荡器，以及与所述低压环形振荡器电连接的电压转换电路；其中，所述基准产生电路包括：第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极与所述电源端电连接，所述第一PMOS管的栅极与误差放大器的输出端电连接，所述第一PMOS管的漏极分别与所述误差放大器的正输出端和第一电阻的第一端电连接，所述第一电阻的第二端与所述接地端电连接。本发明专利技术所提供的低功耗电流饥饿型振荡器电路可实现精确的振荡器频率输出和较低功耗，并且电路的工作电压对振荡器频率值影响很小，电路结构简单。

【技术实现步骤摘要】
低功耗电流饥饿型振荡器电路
本专利技术涉及集成电路设计领域，特别涉及一种低功耗电流饥饿型振荡器电路。
技术介绍
随着集成电路技术的发展，集成电路中的振荡器对低功耗、高稳定的需求也越来越强烈；传统的环路振荡器功耗随电源电压变化的影响明显，传统的迟滞振荡器也存在功耗大，电路复杂的缺陷。
技术实现思路
本专利技术提供了一种低功耗电流饥饿型振荡器电路，其目的是为了解决振荡器功耗过大，影响电源电压变化的问题。为了达到上述目的，本专利技术的实施例提供了一种低功耗电流饥饿型振荡器电路，包括：电源端和接地端；基准产生电路，与所述基准产生电路电连接的低压环形振荡器，以及与所述低压环形振荡器电连接的电压转换电路；其中，所述基准产生电路包括：第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极与所述电源端电连接，所述第一PMOS管的栅极与误差放大器的输出端电连接，所述第一PMOS管的漏极分别与所述误差放大器的正输出端和第一电阻的第一端电连接，所述第一电阻的第二端与所述接地端电连接；第二PMOS管，所述第二PMOS管的源极与所述电源端电连接，所述第二PMOS管的栅极与误差放大器的输出端电连接，所述第二PMOS管的漏极分别与所述误差放大器的负输出端，第一电容的第一端和所述低压环形振荡器的低压电源端电连接，所述第一电容的第二端与所述接地端电连接。其中，所述低压环形振荡器包括：第一反相器，所述第一反相器的电源端口与所述低压电源端电连接，所述第一反相器的接地端口与所述接地端电连接；第二反相器，所述第二反相器的电源端口与所述低压电源端电连接，所述第二反相器的接地端口与所述接地端电连接，所述第二反相器的输入端与所述第一反相器的输出端电连接；第三反相器，所述第三反相器的电源端口与所述低压电源端电连接，所述第三反相器的接地端口与所述接地端电连接，所述第三反相器的输入端分别与所述第二反相器的输出端和第二电容的第一端电连接，所述第二电容的第二端与所述接地端电连接，所述第三反相器的输出端分别与所述第一反相器的输入端和所述电压转换电路电连接。其中，所述电压转换电路包括：输入端口和输出端口，且所述输入端口与所述低压环形振荡器电连接；第三PMOS管，所述第三PMOS管的源极与所述电源端电连接，所述第三PMOS管的漏极分别与所述第三PMOS管的栅极，第四PMOS管的栅极，第五PMOS管的源极电连接；第四PMOS管，所述第四PMOS管的源极与所述电源端电连接，所述第四PMOS管的漏极分别与第六PMOS管的源极，第三电容的第一端，第八PMOS管的栅极电连接；第五PMOS管，所述第五PMOS管的栅极分别与第六PMOS管的栅极，第五PMOS管的漏极，第五NMOS管的漏极电连接；第六PMOS管，所述第六PMOS管的漏极与所述接地端电连接；第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏极分别与电源端，第一NMOS管的栅极，第二NMOS管的栅极，第七NMOS管的栅极电连接，所述第一NMOS管的源极分别与第三NMOS管的漏极和栅极，第四NMOS管的漏极，第五NMOS管的栅极电连接；第二NMOS管，所述第二NMOS管的漏极与所述电源端电连接，所述第二NMOS管的源极分别与第四NMOS管的漏极，第四电容的第一端，第八NMOS管的栅极电连接；第三NMOS管，所述第三NMOS管的源极与所述接地端电连接；第四NMOS管，所述第四NMOS管的源极与所述接地端电连接；第五NMOS管，所述第五NMOS管的源极与所述接地端电连接；第七NMOS管，所述第七NMOS管的漏极与所述电源端电连接，所述第七NMOS管的源极与第七PMOS管的源极电连接；第七PMOS管，所述第七PMOS管的栅极分别与第六NMOS管的栅极和所述输入端口电连接，所述第七PMOS管的漏极分别与第六NMOS管的漏极，第三电容的第二端，第四电容的第二端电连接；第六NMOS管，所述第六NMOS管的源极与所述接地端电连接；第八PMOS管，所述第八PMOS管的源极与所述电源端电连接，所述第八PMOS管的漏极分别与第八NMOS管的漏极和所述输出端口电连接；第八NMOS管，所述第八NMOS管的源极与所述接地端电连接。本专利技术的上述方案有如下的有益效果：本专利技术的上述实施例所述的低功耗电流饥饿型振荡器电路采用自偏置方式，省去了基准电路，且结构简单；同时将环形振荡器电路电源电压降低，大幅度降低功耗，采用电流饥饿方式，功耗稳定，摒除了传统环形振荡器功耗随电源电压变化的因素，振荡器消耗电流稳定，电源电压抑制比较高。附图说明图1为本专利技术的电路连接示意图；图2为本专利技术的EA放大器的简化电路图；图3为本专利技术的电压转换电路的电路连接图。【附图标记说明】1-电源端；2-接地端；3-第一PMOS管；4-第二PMOS管；5-误差放大器；6-第一电阻；7-第一电容；8-第一反相器；9-第二反相器；10-第三反相器；11-第二电容；12-输入端口；13-输出端口；14-第三PMOS管；15-第四PMOS管；16-第五PMOS管；17-第六PMOS管；18-第一NMOS管；19-第二NMOS管；20-第三NMOS管；21-第四NMOS管；22-第五NMOS管；23-第七NMOS管；24-第七PMOS管；25-第六NMOS管；26-第八PMOS管；27-第八NMOS管；28-第三电容；29-第四电容；30-低压电源端。具体实施方式为使本专利技术要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。本专利技术针对现有的振荡器功耗过大，影响电源电压变化的问题，提供了一种低功耗电流饥饿型振荡器电路。如图1所示，本专利技术的实施例提供了一种低功耗电流饥饿型振荡器电路，包括：电源端1和接地端2；基准产生电路，与所述基准产生电路电连接的低压环形振荡器，以及与所述低压环形振荡器电连接的电压转换电路；其中，所述基准产生电路包括：第一PMOS管3，所述第一PMOS管3的源极与所述电源端1电连接，所述第一PMOS管3的栅极与误差放大器5的输出端电连接，所述第一PMOS管3的漏极分别与所述误差放大器5的正输出端和第一电阻6的第一端电连接，所述第一电阻6的第二端与所述接地端2电连接；第二PMOS管4，所述第二PMOS管4的源极与所述电源端1电连接，所述第二PMOS管4的栅极与误差放大器5的输出端电连接，所述第二PMOS管4的漏极分别与所述误差放大器5的负输出端，第一电容7的第一端和所述低压环形振荡器的低压电源端30电连接，所述第一电容7的第二端与所述接地端2电连接。本专利技术的上述实施例所述的低功耗电流饥饿型振荡器电路采用自偏置方式，省去了基准电路，且结构简单；同时将环形振荡器电路电源电压降低，大幅度降低功耗，采用电流饥饿方式，功耗稳定，摒除了传统环形振荡器功耗随电源电压变化的因素，振荡器消耗电流稳定，电源电压抑制比较高；其中，所述基准产生电路的主要作用是产生基准电流和低压电源，所述基准产生电路由误差放大器5、第一PMOS管3、第二PMOS管4、第一电阻6和第一电容7共同组成；所述基准产生电路由两个反馈环路组成，所述第一电容7、第二PMOS管4和误差放大器5负输出端共同组成慢反馈环路，所述第一电阻6、第一PMOS管3和误差放大器5正输出端共同组成快反馈环路；当VB电压出现波动变高后，VP电压会下降，引起本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低功耗电流饥饿型振荡器电路，其特征在于，包括：电源端和接地端；基准产生电路，与所述基准产生电路电连接的低压环形振荡器，以及与所述低压环形振荡器电连接的电压转换电路；其中，所述基准产生电路包括：第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极与所述电源端电连接，所述第一PMOS管的栅极与误差放大器的输出端电连接，所述第一PMOS管的漏极分别与所述误差放大器的正输出端和第一电阻的第一端电连接，所述第一电阻的第二端与所述接地端电连接；第二PMOS管，所述第二PMOS管的源极与所述电源端电连接，所述第二PMOS管的栅极与误差放大器的输出端电连接，所述第二PMOS管的漏极分别与所述误差放大器的负输出端，第一电容的第一端和所述低压环形振荡器的低压电源端电连接，所述第一电容的第二端与所述接地端电连接。

【技术特征摘要】
1.一种低功耗电流饥饿型振荡器电路，其特征在于，包括：电源端和接地端；基准产生电路，与所述基准产生电路电连接的低压环形振荡器，以及与所述低压环形振荡器电连接的电压转换电路；其中，所述基准产生电路包括：第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极与所述电源端电连接，所述第一PMOS管的栅极与误差放大器的输出端电连接，所述第一PMOS管的漏极分别与所述误差放大器的正输出端和第一电阻的第一端电连接，所述第一电阻的第二端与所述接地端电连接；第二PMOS管，所述第二PMOS管的源极与所述电源端电连接，所述第二PMOS管的栅极与误差放大器的输出端电连接，所述第二PMOS管的漏极分别与所述误差放大器的负输出端，第一电容的第一端和所述低压环形振荡器的低压电源端电连接，所述第一电容的第二端与所述接地端电连接。2.根据权利要求1所述的低功耗电流饥饿型振荡器电路，其特征在于，所述低压环形振荡器包括：第一反相器，所述第一反相器的电源端口与所述低压电源端电连接，所述第一反相器的接地端口与所述接地端电连接；第二反相器，所述第二反相器的电源端口与所述低压电源端电连接，所述第二反相器的接地端口与所述接地端电连接，所述第二反相器的输入端与所述第一反相器的输出端电连接；第三反相器，所述第三反相器的电源端口与所述低压电源端电连接，所述第三反相器的接地端口与所述接地端电连接，所述第三反相器的输入端分别与所述第二反相器的输出端和第二电容的第一端电连接，所述第二电容的第二端与所述接地端电连接，所述第三反相器的输出端分别与所述第一反相器的输入端和所述电压转换电路电连接。3.根据权利要求2所述的低功耗电流饥饿型振荡器电路，其特征在于，所述电压转换电路包括：输入端口和输出端口，且所述输入端口与所述低压环形振荡器电连接；第三PMOS管，所述第三PMOS管的源极与所述电源端电连接，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦鹏举，杨国庆，刘浩，刘祥远，杨柳江，徐欢，张均安，
申请(专利权)人：湖南融创微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南,43