【技术实现步骤摘要】
一种模块化变流器
本专利技术涉及电力电子变流
,尤其是涉及一种模块化变流器。
技术介绍
随着电力电子产品对功率器件电压等级和电流等级要求的不断提高,IEGT(InjectionEnhancedGateTransistor)器件以其优越的性能获得了广泛的应用。IEGT利用“电子注入增强效应”,使之兼有IGBT和GTO两者的优点:低饱和压降、宽安全工作区、低栅极驱动功率和较高的工作频率等。器件采用平板压接式电极引出结构,可靠性高,散热效果好,器件已经达到4.5KV/1500A的水平。随着交流传动技术的发展,IGBT变流器模块作为牵引变流器的一个重要部件,正在向模块化、系列化方向发展,应用IGBT变流器模块也日益广泛。国内有企业做过相关尝试,但因为技术不成熟等问题,与国外同类产品相比,存在较大差距。因此,IGBT变流器模块技术问题成为当前制约我国动车组发展的瓶颈之一。受功率半导体技术水平的限制以及IGBT串、并联技术的不完善,要想提高变流器模块的功率等级,就必须使用高压IGBT元件。现有的IGBT变流器模块都装有一个支撑电容,这样使得每个变流器模块都显得十分笨重,组装、拆卸以及维护都极不方便,且元件布局不合理,影响电气性能。
技术实现思路
本专利技术的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种模块化变流器。本专利技术的目的可以通过以下技术方案来实现:一种模块化变流器,包括立式框架,还包括:2个IGBT模块,纵向排列于立式框架内;2个散热器,分别设于2个IGBT模块的一侧的表面;直流母排组件,包括叠放的正直流母排和负直流母排,与IGBT模块横向并排设于立式 ...
【技术保护点】
一种模块化变流器,包括立式框架,其特征在于,还包括:2个IGBT模块,纵向排列于立式框架内;2个散热器,分别设于2个IGBT模块的一侧的表面;直流母排组件,包括叠放的正直流母排和负直流母排,与IGBT模块横向并排设于立式框架内;吸收电容,设于直流母排上;交流母排,连接IGBT模块,设于IGBT模块不设散热器的一侧的表面。
【技术特征摘要】
1.一种模块化变流器,包括立式框架,其特征在于,还包括:2个IGBT模块,纵向排列于立式框架内;2个散热器,分别设于2个IGBT模块的一侧的表面;直流母排组件,包括叠放的正直流母排和负直流母排,与IGBT模块横向并排设于立式框架内;吸收电容,设于直流母排上;交流母排,连接IGBT模块,设于IGBT模块不设散热器的一侧的表面。2.根据权利要求1所述的一种模块化变流器,其特征在于,所述正直流母排和负直流母排间设有绝缘纸。3.根据权利要求1所述的一种模块化变流器,其特征在于,所述直流母排组件的接口从立式框架的顶部伸出。4.根据权利要求1所述的一种模块化变流器,其特征在于,所...
【专利技术属性】
技术研发人员:唐跃中,黄堃,郑宗强,黄兴德,黄小鉥,周敏,袁景,毛俊,杨海涛,徐琴,方陈,
申请(专利权)人:国网上海市电力公司,国电南瑞科技股份有限公司,华东电力试验研究院有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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