改进的扇出球栅阵列封装结构及其制造方法技术

技术编号:17797586 阅读:44 留言:0更新日期:2018-04-25 21:07
本发明专利技术提供一种表面安装结构,其包括重布结构、电连接件及封装体。所述重布结构具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述电连接件在所述重布结构的所述第一表面上。所述封装体囊封所述重布结构的所述第一表面及所述电连接件。所述电连接件的一部分通过所述封装体暴露。

【技术实现步骤摘要】
改进的扇出球栅阵列封装结构及其制造方法相关申请案的交叉参考本申请案请求于2016年10月17日申请的美国临时专利申请案62/409,252的权益及优先权,所述申请案以全文引用的方式并入本文中。
本专利技术一般涉及一种扇出球栅阵列(BGA)封装结构,且更确切地说,涉及具有较小厚度、具有条带型扇出BGA结构及具有低制造成本的封装结构。
技术介绍
半导体装置封装持续受到电子产品的设计者及制造商的大量关注。所述关注是基于对于效率更大、性能更高及尺寸更小的电子产品的市场需求。开发BGA封装以期满足对于具有较高导线计数及较小占据面积的封装的需求。BGA封装通常为正方形封装,其末端呈自所述封装的底部突起的焊球阵列的形式。这些末端经设计为安装在位于印刷电路板的表面上的多个垫或其它互连件上。BGA的迹线通常制造于层压衬底(例如,基于双马来酰亚胺三嗪(BT)的衬底)或基于聚酰亚胺的薄膜上。因此,这种衬底或薄膜的整个区域可用于路由互连。BGA的优势为更低的接地电感或电力电感,由此经由较短电流路径将接地网或电力网分配至印刷电路板(PCB)。热增强型机构(散热片、热球等)可应用于BGA以减小热阻。BGA封装技术的功能能力使指定增强型电及热性能的高功率及高速集成芯片(IC)受益。
技术实现思路
在一些实施例中,表面安装结构包括重布结构、电连接件及封装体。所述重布结构具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述电连接件在所述重布结构的所述第一表面上。所述封装体囊封所述重布结构的第一表面及所述电连接件。所述电连接件的一部分通过所述封装体暴露。在一些实施例中,半导体装置封装将通过表面安装技术安装于外部电路板上。所述半导体装置封装包括重布结构、半导体装置、电连接件及封装体。所述重布结构具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述半导体装置在所述重布结构的第一表面上。所述电连接件在所述重布结构的第一表面上。所述封装体囊封重布结构的第一表面、半导体装置及电连接件。所述电连接件的一部分通过所述封装体暴露。在一些实施例中,电子装置包括电路板及半导体装置封装。所述电路板具有第一表面。半导体装置封装安装在电路板的第一表面上。所述半导体装置封装包括重布结构、半导体装置、电连接件及封装体。所述重布结构具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述半导体装置在所述重布结构的第一表面上。所述电连接件在所述重布结构的第一表面上。所述封装体囊封重布结构的第一表面、半导体装置及电连接件。附图说明图1A说明根据本专利技术的一些实施例的表面安装结构的横截面图;图1B说明根据本专利技术的一些实施例的表面安装结构的横截面图;图2A说明根据本专利技术的一些实施例的表面安装结构的横截面图;图2B说明根据本专利技术的一些实施例的表面安装结构的横截面图;图3说明根据本专利技术的一些实施例的表面安装结构的电连接件的横截面图;图4说明根据本专利技术的一些实施例的表面安装结构的横截面图;图5说明根据本专利技术的一些实施例的表面安装结构的电连接件的横截面图;图6A说明根据本专利技术的一些实施例的表面安装结构的横截面图;图6B说明根据本专利技术的一些实施例的图6A的表面安装结构的仰视图;图7A说明根据本专利技术的一些实施例的表面安装结构的横截面图;图7B说明根据本专利技术的一些实施例的图7A的表面安装结构的仰视图;图8A说明根据本专利技术的一些实施例的表面安装结构的横截面图;图8B说明根据本专利技术的一些实施例的图8A的表面安装结构的仰视图;图9A说明根据本专利技术的一些实施例的制造表面安装结构的方法的一或多个阶段;图9B说明根据本专利技术的一些实施例的制造表面安装结构的方法的一或多个阶段;图9C说明根据本专利技术的一些实施例的制造表面安装结构的方法的一或多个阶段;图10A说明根据本专利技术的一些实施例的制造表面安装结构的方法的一或多个阶段;图10B说明根据本专利技术的一些实施例的制造表面安装结构的方法的一或多个阶段;图10C说明根据本专利技术的一些实施例的制造表面安装结构的方法的一或多个阶段;图11A说明根据本专利技术的一些实施例的制造表面安装结构的方法的一或多个阶段;图11B说明根据本专利技术的一些实施例的制造表面安装结构的方法的一或多个阶段;图11C说明根据本专利技术的一些实施例的制造表面安装结构的方法的一或多个阶段;图12说明根据本专利技术的一些实施例的电子装置的横截面图;图13说明根据本专利技术的一些实施例的电子装置的横截面图;图14说明根据本专利技术的一些实施例的电子装置的横截面图;图15说明根据本专利技术的一些实施例的表面安装结构的横截面图;及图16说明根据本专利技术的一些实施例的电子装置的横截面图。贯穿图式及实施方式使用共同参考编号以指示相同或类似组件。本专利技术将从以下结合随附图式所作的详细描述更显而易见。具体实施方式在诸如BGA封装技术的封装技术中,可在封装的裸片周围形成模制化合物以提供用于支撑扇出互连结构的额外表面区域。互连结构的重布层(RDL)将裸片上的输入/输出(I/O)垫电连接到扇出互连结构上的外部I/O垫。确切地说,BGA封装结构可包含半导体装置(例如,倒装裸片或线焊裸片),其通常附接至载体(例如,衬底、导线框架等)且由囊封层模制以形成半导体装置封装。然而,一些提供某些特定功能的半导体装置(例如,指纹传感器裸片)可安装到顶部载体(例如,具有感测区域的载体),且所述顶部载体组装至底部载体(例如,用于电路扇出的载体),以便安装到系统板(例如,PCB)。此类多载体结构可具有在大小(X-Y平面及Z高度)及制造成本方面的缺陷。图1A说明根据本专利技术的一些实施例的表面安装结构10的横截面图。表面安装结构10包括重布结构11、电连接件12、封装体13、半导体装置14、凸块15、电子组件16及底填充层17。重布结构11具有表面111及与表面111相对的表面112。电连接件12中的至少一个在重布结构11的表面111上。封装体13囊封重布结构11的表面111及电连接件12。每一电连接件12的一部分通过封装体13暴露。半导体装置14安装在重布结构11的表面111上。半导体装置14及重布结构11通过凸块15电连接。在一些实施例中,凸块之间的空间以底填充层17填充。电连接件12围绕半导体装置14的周边且用于扇出半导体装置14的输入及输出。电子组件16(例如,电阻器或电容器)也安装在重布结构11的表面111上。半导体装置14及电子组件16两者通过封装体13囊封。在一些实施例中,表面安装结构10进一步包括邻近于重布结构11的第二表面112的感测区域18。感测区域18可用于(例如)指纹感测或任何其它光感测目的。如图1A中所示,重布结构11不延伸到封装体13的侧壁。因此,表面安装结构10的宽度(由封装体13的两个侧壁之间的距离定义)可通过切割封装体13调整以满足表面安装结构10的所要宽度。在一些实施例中,电连接件12包括芯,所述芯包括金属芯或球体121及围绕所述金属芯或球体121的阻障层122。电连接件12进一步包括围绕芯的金属球体121及阻障层122的焊料层123。在一些实施例中,电连接件12可为(例如)焊球、金属柱(例如,铜柱)、包含由焊料壳(例如,Sn)围绕的铜芯的导电球、包含由低熔融温度的焊料壳(例如,高熔融温度Sn)围绕的高熔融温度焊料芯(例如,高熔融温度Sn)的导电球,或其两本文档来自技高网...
改进的扇出球栅阵列封装结构及其制造方法

【技术保护点】
一种表面安装结构,其包括:重布结构,其具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面;在所述重布结构的所述第一表面上的电连接件;及封装体,其囊封所述重布结构的所述第一表面及所述电连接件;其中所述电连接件的一部分通过所述封装体暴露。

【技术特征摘要】
2016.10.17 US 62/409,252;2017.07.20 US 15/655,7241.一种表面安装结构,其包括:重布结构,其具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面;在所述重布结构的所述第一表面上的电连接件;及封装体,其囊封所述重布结构的所述第一表面及所述电连接件;其中所述电连接件的一部分通过所述封装体暴露。2.根据权利要求1所述的表面安装结构,其中所述电连接件包括芯。3.根据权利要求2所述的表面安装结构,其中所述芯包括金属芯及围绕所述金属芯的阻障层。4.根据权利要求3所述的表面安装结构,其中所述电连接件进一步包括围绕所述阻障层的焊料层。5.根据权利要求2所述的表面安装结构,其中所述芯包括弹性芯及围绕所述弹性芯的金属层。6.根据权利要求5所述的表面安装结构,其中所述芯进一步包括围绕所述金属层的阻障层。7.根据权利要求6所述的表面安装结构,其中所述电连接件进一步包括围绕所述阻障层的焊料层。8.根据权利要求5所述的表面安装结构,其中所述弹性芯具有范围从大致1吉帕斯卡GPa到大致50GPa的弹性模量。9.根据权利要求5所述的表面安装结构,其中所述弹性芯具有范围从大致3GPa到大致6GPa的弹性模量。10.根据权利要求5所述的表面安装结构,其中所述弹性芯包括聚合物。11.根据权利要求5所述的表面安装结构,其中所述金属层定义一空间且所述弹性芯的至少一部分通过所述空间与所述金属层分离。12.根据权利要求5所述的表面安装结构,其中所述金属层定义具有大于1的高宽比的空间。13.根据权利要求1所述的表面安装结构,其中所述封装体具有第一表面且所述电连接件具有基本上平面表面,且其中所述电连接件的所述基本上平面表面相对于所述封装体的所述第一表面突出。14.根据权利要求1所述的表面安装结构,其中所述封装体具有第一表面且所述电连接件具有基本上平面表面,且其中所述电连接件的所述基本上平面表面与所述封装体的所述第一表面基本上共面。15.根据权利要求1所述的表面安装结构,其中所述电连接件包括金属芯及围绕所述金属芯的阻障层,且其中所述金属芯具有第一基本上平面表面且所述阻障层具有第一基本上平面表面,且其中所述金属芯的所述第一基本上平面表面及所述阻障层的所述第一基本上平面表面通过所述封装体暴露。16.根据权利要求15所述的表面安装结构,其中所述电连接件进一步包括围绕所述阻障层的焊料层,且其中所述焊料层具有第一基本上平面表...

【专利技术属性】
技术研发人员:叶俊良王盟仁蔡宗岳洪志明
申请(专利权)人:日月光半导体制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾,71

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