【技术实现步骤摘要】
衬底结构、封装方法和半导体封装结构
本专利技术涉及一种衬底结构、封装方法及半导体封装结构,尤其涉及一种能够双面模制的衬底结构,包括所述衬底结构的半导体封装结构及制造所述半导体封装结构的方法。
技术介绍
在封装体叠层(package-on-package,“POP”)结构中,单独形成两个封装(例如,顶部封装和底部封装),然后堆叠(例如,顶部封装堆叠在底部封装上)。由于两个封装每个都包括封装衬底,即,顶部封装包括顶部封装衬底,并且底部封装包括底部封装衬底,所以POP结构的总厚度大,并且无法有效地减小。此外,由于单独形成两个封装(例如,顶部封装和底部封装)再堆叠,所以制造工艺复杂;因此,可以生产的每小时产出量(unitsperhour,“UPH”)低。此外,两个封装(例如顶部封装和底部封装)之间的电互连是一个问题,特别是当发生封装衬底的翘曲时更是如此。
技术实现思路
在根据一些实施例的一个方面中,衬底结构包括衬底主体、至少一个第一模制区域和至少一个第二模制区域。所述衬底本体具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面,且所述衬底本体界定贯穿所述衬底本体的至少一个第一通孔。第一模制区域安置在衬底主体的第一表面上。第二模制区域安置在衬底本体的第二表面上,其中第一模制区域通过第一通孔与第二模制区域连通。在根据一些实施例的另一方面中,一种封装方法包括:(a)提供衬底结构,其中所述衬底结构包括衬底本体、至少一个第一模制区域和至少一个第二模制区域,所述衬底本体具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面,且所述衬底本体界定贯穿所述衬底本体的至少一个第一通孔,所述第一模制区域安置 ...
【技术保护点】
一种衬底结构,其包括:衬底本体,其具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面,并且所述衬底本体界定贯穿所述衬底本体的至少一个第一通孔;至少一个第一模制区域,其安置在所述衬底本体的所述第一表面上;以及至少一个第二模制区域,其安置在所述衬底主体的所述第二表面上,其中所述第一模制区域通过所述第一通孔与所述第二模制区域连通。
【技术特征摘要】
2016.10.18 US 15/296,7221.一种衬底结构,其包括:衬底本体,其具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面,并且所述衬底本体界定贯穿所述衬底本体的至少一个第一通孔;至少一个第一模制区域,其安置在所述衬底本体的所述第一表面上;以及至少一个第二模制区域,其安置在所述衬底主体的所述第二表面上,其中所述第一模制区域通过所述第一通孔与所述第二模制区域连通。2.根据权利要求1所述的衬底结构,其进一步包括安置在所述衬底本体的所述第一表面上的至少一个第一芯片接合区域,其中所述第一芯片接合区域和所述第一通孔位于所述第一模制区域内,并且所述第一通孔位于所述第一芯片接合区域的外部。3.根据权利要求2所述的衬底结构,其中所述第一通孔为狭槽,并且所述第一通孔的长度在所述第一芯片接合区域的长度的三分之一至二分之一的范围内。4.根据权利要求1所述的衬底结构,其进一步包括安置在所述衬底本体的所述第二表面上的至少一个第二芯片接合区域,其中所述第二芯片接合区域与所述第一通孔位于所述第二模制区域内,并且所述第一通孔位于所述第二芯片接合区域的外部。5.根据权利要求1所述的衬底结构,其中所述衬底本体进一步界定贯穿所述衬底本体的至少一个第二通孔,并且所述第二通孔位于所述第一模制区域和所述第二模制区域的外部。6.根据权利要求1所述的衬底结构,其中所述衬底本体进一步界定贯穿所述衬底本体的至少一个排气通孔,并且所述排气通孔位于所述第一模制区域和所述第二模制区域的外部。7.根据权利要求1所述的衬底结构,其中所述第一模制区域的尺寸不同于所述第二模制区域的尺寸。8.根据权利要求1所述的衬底结构,其中所述衬底本体界定至少两行第一通孔。9.根据权利要求1所述的衬底结构,其中所述第一模制区域对应于多个第二模制区域和多个第一通孔,所述多个第二模制区域彼此分离,所述多个第一通孔中的每一个位于一个对应的第二模制区域内,并且所有所述多个第一通孔与所述第一模制区域连通。10.一种封装方法,其包括:(a)提供衬底结构,其中所述衬底结构包括衬底本体、至少一个第一模制区域和至少一个第二模制区域,所述衬底本体具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面,并且所述衬底本体界定贯穿所述衬底本体的至少一个第一通孔,所述第一模制区域安置在所述衬底本体的所述第一表面上,并且所述第二模制区域安置在所述衬底本体的所述第二表面上;(b)提供第一塑封模具和第二塑封模具,其中所述衬底结构夹在所述第一塑封模具和所述第二塑封模具之间,所述第一塑封模具界定对应于所述衬底结构的所述第一模制区域的至少一个第一腔体,所述第二塑封模具界定对应于所述衬底结构的所述第二模制区域的至少一个第二腔体,其中所述第一腔体通过所述第一通孔与所述第二腔体连通;以及(c)将密封剂施加到所述第一腔体和所述第二腔体,其中所述密封剂覆盖所述第一模制区域和所述第二模制区域,并且所述密封剂流过所述第一通孔。11.根据权利要求10所述的封装方法,其中,在(a)中,所述衬底结构进一步包含至少一个第一芯片接合区域和至少一个第二芯片接合区域,所述第一芯片接合区域安置在所述衬底本体的所述第一表面上,所述第一芯片接合区域和所述第一通孔位于所述第一模制区域内,并且所述第一通孔位于所述第一芯片接合区域的外部;所述第二芯片接合区域安置...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨昌易,
申请(专利权)人:日月光半导体制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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