The application belongs to the technology field of monocrystalline silicon production, which specifically involves a method of preparing monocrystalline silicon in a direct drawing process. After the single crystal furnace has completed the melting of the silicon, the heating power of the single crystal furnace drops rapidly. After the temperature controller controls the temperature of the single crystal furnace in the furnace, the seed is exposed to the liquid surface after the temperature is stable, and after a certain height of the neck, no dislocation begins to be put on the shoulder. After the shoulder is released, the power of the single crystal furnace decreases step by step, and the long crystal reaches the target diameter and begins to turn to shoulder. The above mentioned method can shorten the growth cycle of 100min by about 40 and increase the success rate of neck insertion by 50%. This method can quickly find the necking temperature, reduce the long crystal dislocation, shorten the growth period of the single crystal and reduce the contact time between silicon and quartz to reduce the influence of silicon impurities, and improve the success rate of the neck and the quality of the single crystal.
【技术实现步骤摘要】
一种直拉法制备单晶硅的方法
本申请属于单晶硅生产
,具体涉及一种直拉法制备单晶硅的方法。
技术介绍
单晶硅生产过程包括以下工序:拆炉-装料-熔化料-引颈-放肩-转肩-等径-收尾-停炉。其中,引颈、放肩是当硅料熔化后通过降低单晶炉的加热功率来保证一个适合单晶生长的温度下用籽晶牵引单晶生长的过程,籽晶与液面接触时会产生位错需要引细颈来排除位错,单晶炉内温度合适,引细颈才能排好位错开始长晶。怎样在现有技术条件下有效提高单晶成精率,缩短单晶生长周期是单晶硅生产厂家迫切需要解决的重大问题。
技术实现思路
有鉴于此,本申请实施例提供一种直拉法制备单晶硅的方法,以解决现有技术条件下有效提高单晶成精率,缩短单晶生长周期的问题。本申请实施例提供了一种直拉法制备单晶硅的方法,包括:在单晶炉完成硅料熔化之后,降低所述单晶炉的加热功率至40kw,以降低所述单晶炉内的温度;在所述单晶炉内的温度降低至长晶温度时,通过温控器调节所述单晶炉的加热功率使所述单晶炉内的温度稳定在所述长晶温度的预设范围内;在所述单晶炉内的温度稳定在所述长晶温度的预设范围内的时间大于第一预设时间后,控制籽晶接触所述单晶炉内熔硅的液面,接触时间大于第二预设时间;以第一预设速度提拉引颈第三预设时间后,放肩长晶;在长晶直径达到目标直径后转肩。进一步地,所述放肩长晶包括:将提拉引颈的速度降低至第二预设速度,同时,将所述单晶炉的加热功率降低第一预设功率;在所述长晶直径达到第一预设直径后,将所述单晶炉的加热功率降低第一预设功率;在所述长晶直径达到第二预设直径后,将所述单晶炉的加热功率降低第一预设功率;进一步地,所述在长晶 ...
【技术保护点】
一种直拉法制备单晶硅的方法,其特征在于,包括:在单晶炉完成硅料熔化之后,降低所述单晶炉的加热功率至40kw,以降低所述单晶炉内的温度;在所述单晶炉内的温度降低至长晶温度时,通过温控器调节所述单晶炉的加热功率使所述单晶炉内的温度稳定在所述长晶温度的预设范围内;在所述单晶炉内的温度稳定在所述长晶温度的预设范围内的时间大于第一预设时间后,控制籽晶接触所述单晶炉内熔硅的液面,接触时间大于第二预设时间;以第一预设速度提拉引颈第三预设时间后,放肩长晶;在长晶直径达到目标直径后转肩。
【技术特征摘要】
1.一种直拉法制备单晶硅的方法,其特征在于,包括:在单晶炉完成硅料熔化之后,降低所述单晶炉的加热功率至40kw,以降低所述单晶炉内的温度;在所述单晶炉内的温度降低至长晶温度时,通过温控器调节所述单晶炉的加热功率使所述单晶炉内的温度稳定在所述长晶温度的预设范围内;在所述单晶炉内的温度稳定在所述长晶温度的预设范围内的时间大于第一预设时间后,控制籽晶接触所述单晶炉内熔硅的液面,接触时间大于第二预设时间;以第一预设速度提拉引颈第三预设时间后,放肩长晶;在长晶直径达到目标直径后转肩。2.如权利要求1所述的直拉法制备单晶硅的方法,其特征在于,所述放肩长晶包括:将提拉引颈的速度降低至第二预设速度,同时,将所述单晶炉的加热功率降低第一预设功率;在所述长晶直径达到第一预设直径后,将所述单晶炉的加热功率降低第一预设功率;在所述长晶直径达到第二预设直径后,将所述单晶炉的加热功率降低第一预设功率。3.如权利要求1所述的直拉法制备单晶硅的方法,其特征在于,所述在长晶直径达到目标直径后转肩,包括:在所述长晶直径达到目标直径后,将所述单晶炉的加热功率降低第一预设功...
【专利技术属性】
技术研发人员:王会敏,张浩强,颜超,范晓甫,赵龙,张振国,霍永超,杜瑞豹,杨乐天,
申请(专利权)人:邢台晶龙电子材料有限公司,
类型:发明
国别省市:河北,13
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