一种微型PZT传感器制造技术

一种微型PZT传感器，包括：硅衬底，作为微型PZT传感器的基座和支撑件，用于与被测量系统进行固定连接；压电陶瓷片，为微米级层状结构，并贴附于所述硅衬底的表面，其通过正向和反向的压电效应，对外部所述被测量系统的应力应变进行感应，以测量外部的应力应变的大小；以及电路正极和电路负极，分别电性设置于所述压电陶瓷片的上下两面，以用于与被测量系统的控制电路电性连接以实现信号传输。本实用新型专利技术的微型PZT传感器可将残余应力得到了充分的释放，不仅提升了微型PZT传感器的各项导电性能，同时也延长了它的寿命，另外，本实用新型专利技术的微型PZT传感器体积小，电路简单，制造成本低。

A micro PZT sensor

A micro PZT sensor, consisting of a silicon substrate, as the base and support of a micro PZT sensor, used for fixed connection with the measured system; a piezoelectric ceramic piece, a micrometer layered structure attached to the surface of the silicon substrate, which is measured externally through a positive and reverse piezoelectric effect. The stress and strain are induced to measure the size of the external stress and strain, and the positive and circuit negative poles of the circuit, respectively, which are respectively set on the upper and lower sides of the piezoelectric ceramic plate to be connected to the control circuit of the measured system to realize the signal transmission. The micro PZT sensor of the utility model can release the residual stress fully, not only improves the electrical conductivity of the micro PZT sensor, but also prolongs its life. In addition, the miniature PZT sensor of the utility model is small, the circuit is simple, and the manufacturing cost is low.

【技术实现步骤摘要】
一种微型PZT传感器
本技术涉及传感器
，具体涉及一种微型PZT传感器。
技术介绍
目前，PZT传感器广泛使用于机器人和VR设备中，其共同优点是测量精度高，可广泛应用于需要精确测量的工程领域。然而，传统的PZT传感器在生产加工时，一般只通过一次沉淀就达到，这种沉淀方法生产的传感器的残余应力较大，导致该传感器的寿命不长且导电性能不足，以使得其测量量程有限，无法满足更高要求的测量精度需求。
技术实现思路
本技术为了解决现有技术存在的上述问题，提供了一种微型PZT传感器，以解决现有PZT传感器的残余应力较大，从而影响器件寿命和性能的技术问题。为实现上述目的，本技术提供了一种微型PZT传感器，包括：硅衬底，作为微型PZT传感器的基座和支撑件，用于与被测量系统进行固定连接；压电陶瓷片，为微米级层状结构，并贴附于所述硅衬底的表面，其通过正向和反向的压电效应，对外部所述被测量系统的应力应变进行感应，以测量外部的应力应变的大小；以及电路正极和电路负极，分别电性设置于所述压电陶瓷片的上下两面，以用于与被测量系统的控制电路电性连接以实现信号传输。作为本技术的进一步优选技术方案，所述硅衬底与被测量系统之间采用胶水或双面胶粘接。作为本技术的进一步优选技术方案，所述压电陶瓷片的厚度为10微米。作为本技术的进一步优选技术方案，所述压电陶瓷片采用分次沉淀加工而成，每次沉淀的厚度为3到5微米。本技术的微型PZT传感器可以达到如下有益效果：本技术的微型PZT传感器，通过包括：硅衬底，作为微型PZT传感器的基座和支撑件，用于与被测量系统进行固定连接；压电陶瓷片，为微米级层状结构，并贴附于所述硅衬底的表面，其通过正向和反向的压电效应，对外部所述被测量系统的应力应变进行感应，以测量外部的应力应变的大小；以及电路正极和电路负极，分别电性设置于所述压电陶瓷片的上下两面，以用于与被测量系统的控制电路电性连接以实现信号传输，使得本技术可将残余应力得到了充分的释放，不仅提升了微型PZT传感器的各项导电性能，同时也延长了它的寿命，且本技术的微型PZT传感器体积小，电路简单，制造成本低。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。图1为本技术微型PZT传感器提供的一实例的结构示意图。图中：1、电路正极，2、压电陶瓷片，3、电路负极，4、硅衬底。本技术目的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。具体实施方式下面将结合附图以及具体实施方式，对本技术做进一步描述。较佳实施例中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等用语，仅为便于叙述的明了，而非用以限定本技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本技术可实施的范畴。图1为本技术微型PZT传感器提供的一实例的结构示意图，如图1所示，微型PZT传感器，包括：硅衬底4，作为微型PZT传感器的基座和支撑件，用于与被测量系统进行固定连接；压电陶瓷片2，为微米级层状结构，并贴附于所述硅衬底4的表面，其通过正向和反向的压电效应，对外部所述被测量系统的应力应变进行感应，以测量外部的应力应变的大小；以及电路正极1和电路负极3，分别电性设置于所述压电陶瓷片2的上下两面，以用于与被测量系统的控制电路电性连接以实现信号传输。具体实施中，所述硅衬底4与被测量系统之间采用胶水或双面胶粘接，当然还可以采用其它现有技术的其它方式实现粘接，在此不做一一例举。具体实施中，所述压电陶瓷片2的厚度为10微米，所述压电陶瓷片2采用分次沉淀加工而成，其中，沉淀次数至少为3次，每次沉淀的厚度为3到5微米。为了让本领域的技术人员更好地理解并实现本技术的技术方案，下面详述本实施例的结构特性。本技术中，压电陶瓷片2为其微型PZT传感器的核心部分，压电陶瓷片2通过其正向和反向的压电效应，对外部的应力应变进行感应，从而测量外部的应力应变的大小；由于压电陶瓷片2本身的高频特性，可以在较大的频率范围内进行机械量如应力应变的测量，实现其作为传感器的功能；本技术的压电陶瓷片2生产过程中，其由至少3次或者3次沉淀而成，且每次沉淀的厚度在3到5微米之间；并在每次沉淀后，需对进行退火处理，让其内部的残余应力得到充分的释放和消除，以使得微型PZT传感器具有较低的残余应力，从而提升了其寿命和导电性能，且本技术的微型PZT传感器体积小，电路简单，制造成本低。虽然以上描述了本技术的具体实施方式，但是本领域熟练技术人员应当理解，这些仅是举例说明，可以对本实施方式做出多种变更或修改，而不背离本技术的原理和实质，本技术的保护范围仅由所附权利要求书限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微型PZT传感器，其特征在于，包括：硅衬底，作为微型PZT传感器的基座和支撑件，用于与被测量系统进行固定连接；压电陶瓷片，为微米级层状结构，并贴附于所述硅衬底的表面，其通过正向和反向的压电效应，对外部所述被测量系统的应力应变进行感应，以测量外部的应力应变的大小；以及电路正极和电路负极，分别电性设置于所述压电陶瓷片的上下两面，以用于与被测量系统的控制电路电性连接以实现信号传输。

【技术特征摘要】
1.一种微型PZT传感器，其特征在于，包括：硅衬底，作为微型PZT传感器的基座和支撑件，用于与被测量系统进行固定连接；压电陶瓷片，为微米级层状结构，并贴附于所述硅衬底的表面，其通过正向和反向的压电效应，对外部所述被测量系统的应力应变进行感应，以测量外部的应力应变的大小；以及电路正极和电路负极，分别电性设置于所述压电陶瓷片的上下两面，以用于与被测量系...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊友康，
申请(专利权)人：深圳市捷时行科技服务有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44